Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ОТЦ / Start_main1a.pdf
Скачиваний:
531
Добавлен:
09.02.2015
Размер:
15.21 Mб
Скачать

Модуль 3.3. Параллельный колебательный контур

Цель модуля: изучение амплитудно частотных и фазо частотных характери стик параллельного колебательного контура.

Схемы замещения

Параллельным колебательным контуром называется электрическая цепь, в

которой индуктивные катушки и конденсаторы размещены в двух ветвях, подклю ченных параллельно источнику энергии. Принципиальные электрические схемы параллельных колебательных контуров различных видов приведены на рис. 3.20, б

— д.

Знакомство с параллельными колебательными контурами начнем с простого параллельного контура (рис. 3.20, б). В соответствии с основным методом теории цепей заменим реальные элементы контура их упрощенными моделирующими це пями, а принципиальную электрическую схему контура — его схемой замещения. Используя параллельные схемы замещения источника энергии, индуктивной ка тушки и конденсатора, получаем один из вариантов схемы замещения контура (рис. 3.34, а). Ограничим рассмотрение случаем, когда элементы контура имеют высокую добротность, при этом зависимостью Lпар от частоты ω можно пренебречь и в соот ветствии с (3.20), (3.21) считать, что параметры реактивных элементов параллель ной и последовательной схем замещения индуктивной катушки и конденсатора имеют одинаковые значения:

пар

посл

; пар

посл

.

3.76

Заменяя сопротивления потерь одним элементом

1

1

3.77

пар

 

пар

и пренебрегая внутренней проводимостью источника энергии, получаем простей шую схему замещения параллельного контура основного вида (рис. 3.34, б).

Рис. 3.34. Схемы замещения параллельного колебательного контура основного вида, полу ченные при использовании параллельных схем замещения элементов

Если каждый из пассивных элементов контура заменить последовательной схемой замещения, то при тех же допущениях получим несколько более сложную схему замещения контура (рис. 3.35, а). В теории цепей в зависимости от характера решаемой задачи нашли применение оба варианта схем замещения.

273

Параллельный колебательный контур основного вида

Ранее было установлено, что идеализированные цепи, схемы которых приве дены на рис. 3.23, б и 3.34, б, являются дуальными, поэтому при рассмотрении про цессов в параллельном колебательном контуре основного вида с помощью про стейшей схемы замещения (рис. 3.34, б) можно использовать все выражения, полу ченные для последовательного колебательного контура, произведя в них взаимные замены токов и напряжений, сопротивлений и проводимостей, емкостей и индук тивностей. Действительно, выражения для комплексной входной проводимости па

раллельной

RLС

цепи (2.100) и комплексного входного сопротивления последова

тельной

RLС

цепи (2.96) имеют одинаковую структуру и могут быть получены од

но из другого путем упомянутых замен. На резонансной частоте (

ω =

р) мнимая со

 

ставляющая входной проводимости параллельной RLC цепи должна быть равна ну лю:

 

 

 

Im

р

Im

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

р

 

 

р

1

0.

3.78

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

р

 

Решая уравнение (3.78), находим, что резонансная частота параллельного ко

лебательного0

контура

р совпадает с резонансной частотой последовательного кон

тура

ω

, составленного из тех же элементов:

1

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

р

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

На резонансной частоте полные проводимости емкости

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

|

 

р

|

 

 

р

р

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.35. Схема замещения параллельного колебательного контура основного вида, полученные при использовании последовательных схем замещения элементов

274

и индуктивности

|

р | |

р

1

р

равны характеристической проводимости параллельного колебательного контура σ, которая является величиной, обратной характеристическому сопротивлению кон тура ρ (выражения для характеристических сопротивлений параллельного и после довательного колебательных контуров совпадают). Как видно из векторных диа грамм параллельной RLC цепи (рис. 2.23, в), при ω = р действующее значение тока емкости равно действующему значению тока индуктивности: IC = IL = σU, а входной ток контура (ток неразветвленной части параллельной RLC цепи) равен току прово димости: I = IG = GU.

Отношение действующего значения тока реактивного элемента к входному то ку параллельного колебательного контура на резонансной частоте называется доб­ ротностью параллельного колебательного контура:

|

р

|

р

 

.

3.79

 

Выражение (3.79) имеет такую же структуру, как и выражение (3.32), и может быть получено из него заменой сопротивления потерь R и характеристического со противления ρ последовательного контура на проводимость потерь G и характери стическую проводимость σ параллельного контура.

Рис. 3.36. К определению эквивалентной добротности параллельного колебательного кон тура

Из выражения (3.79) следует, что с увеличением проводимости потерь доброт ность параллельного колебательного контура падает. Таким же образом на доброт ность контура влияют внутренняя проводимость источника энергии Gi и проводи мость нагрузки GH , подключенная к зажимам контура 1 — 1’ (рис. 3.36). Добротность параллельного колебательного контура с учетом внутренней проводимости источ ника Gi , и проводимости нагрузки Gн определяется выражением

эк

 

1

 

 

н

,

3.80

н

 

 

 

где Q — добротность параллельного контура без учета Gi и Gн.

275

Таким образом, для повышения эквивалентной добротности параллельного ко­ лебательного контура желательно, чтобы проводимости источника энергии и на­ грузки были бы близки к нулю, т. е. чтобы свойства источника энергии, к которому подключен контур, приближались к свойствам идеального источника тока, а сопро­ тивление нагрузки контура было бы бесконечно большим.

При исследовании комплексных частотных характеристик параллельного кон тура внешнее воздействие на контур обычно задают в виде тока идеального источ ника тока, подключенного к зажимам 1 — 1’, а в качестве реакции контура рассмат ривают напряжение u на этих же зажимах (см. рис. 3.34, б). В ряде случаев в ка честве реакции контура рассматривают ток емкости iC C или ток индуктивности iL L . Следовательно, параллельный колебательный контур, подобно последова тельному, обладает как входными, так и передаточными характеристиками.

К входным характеристикам параллельного колебательного контура относится его комплексное входное сопротивление в режиме холостого хода (Gн = 0)

1

1

.

3.81

н

Выражения для нормированного модуля и аргумента комплексного входного сопротивления параллельного колебательного контура

1

 

1

р

 

р

 

1

1

;

3.82

 

 

arctg

 

 

 

р

 

 

arctg

 

 

 

р

 

 

 

 

 

полностью совпадают с выражениями (3.54) для нормированного модуля и аргу мента комплексной входной проводимости последовательного колебательного кон тура. Следовательно, нормированные АЧХ и ФЧХ входного сопротивления парал лельного колебательного контура совпадают с соответствующими характеристика ми входной проводимости последовательного колебательного контура (рис. 3.28, 3.29).

На частоте резонанса токов ω = ωP входное сопротивление параллельного ко лебательного контура имеет чисто резистивный характер (φ = 0), а модуль входного сопротивления достигает максимального значения:

р

1

.

3.83

На частотах ниже резонансной входное сопротивление контура имеет рези стивно индуктивный характер (0<φ<π/2), а на частотах выше резонансной — рези стивно емкостный (—π/2< φ <0).

276

Можно показать, что выражения для коэффициентов передачи параллельного колебательного контура по току GC(ω) и GL(ω) совпадают с выражениями для коэф фициентов передачи последовательного контура по напряжению KL(ω) и KC(ω):

 

 

 

 

;

 

р

р

 

 

 

 

 

и иллюстрируются теми же кривыми (рис. 3.31, а). (При этом напряжению емкости последовательного контура соответствует ток индуктивности параллельного кон тура, а напряжению индуктивности последовательного контура — ток емкости па раллельного.) Все, что ранее говорилось о передаточных характеристиках последо вательного контура, справедливо и для передаточных характеристик параллельного

контура. ВGчастностиL( С

, при высокой добротности контура на частотах, близких к ре

зонансной

ω

)

G (ω

ω

 

 

)

Q ( ).

В связи с тем, что нормированные входные и передаточные характеристики последовательного и параллельного колебательных контуров совпадают, их изби рательные свойства одинаковы. Полоса пропускания параллельного колебательного контура, если пренебречь внутренней проводимостью источника и проводимостью нагрузки, определяется выражением (3.69). Если необходимо учесть влияние прово димости нагрузки и внутренней проводимости источника энергии на избиратель ные свойства контура, то вместо Q в выражение (3.69) подставляют эквивалентную добротность Qэк рассчитываемую с помощью выражения (3.80).

Таким образом, применение простейшей схемы замещения параллельного ко лебательного контура позволяет существенно упростить процесс рассмотрения его свойств путем использования соответствующих выражений, полученных при иссле довании последовательного колебательного контура. Однако непосредственное применение этих выражений на практике, в частности выражений (3.79), (3.80) и (3.83), в значительной степени затруднено в связи с тем, что в них входит проводи мость потерь контура G, которая зависит от частоты. [Напомним, что проводимость потерь контура G определяется выражением (3.77), причем с учетом соотношений (3.23) она практически совпадает с величиной, обратной сопротивлению потерь ин дуктивной катушки в параллельной схеме замещения (3.20)] Этого недостатка ли шены выражения для сопротивления контура на резонансной частоте и добротно сти, полученные с помощью схемы замещения рис. 3.35, а, в которой индуктивная катушка и конденсатор представлены последовательными схемами замещения.

Используя эту схему, найдем комплексное входное сопротивление параллель ного колебательного контура

277

 

 

 

 

 

 

 

посл

посл

1

.

3.84

 

 

 

 

 

 

 

посл

посл

 

1

Ограничимся, как и ранее, случаем, когда элементы контура имеют высокую

добротность [ Р

L

>>

посл, 1/( Р

C

)>>

посл], а частота внешнего воздействия нена

 

 

много отличается от резонансной (

Р . Тогда выражение (3.84) можно преоб

разовать к более простому виду :

 

 

1

 

,

 

 

3.85

где ρ =

/

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

посл

посл — характеристическое

сопротивление и сопротив

ление потерь последовательного контура, составленного из тех же элементов, что и рассматриваемый параллельный контур, или, точнее, характеристическое сопро тивление и сопротивление потерь одиночного колебательного контура (рис. 3.19). С учетом соотношений (3.23) можно считать, что сопротивление R практически равно RL посл и не зависит от частоты. Таким образом, эквивалентная схема, приведенная на рис. 3.35, а, в большинстве важных для практики случаев может быть заменена бо лее простой схемой (см. рис. 3.35, б), в которую входят те же элементы, что и в экви валентную схему последовательного колебательного контура, причем параметры элементов можно считать не зависящими от частоты.

На резонансной частоте мнимая составляющая комплексного входного сопро тивления контура должна быть равна нулю, что возможно только в том случае, ко гда мнимая составляющая знаменателя выражения (3.85) равна нулю:

1

р

р 0.

3.86

Из выражения (3.86) следует, что условие резонанса токов в параллельном ко­ лебательном контуре при высокой добротности элементов имеет такой же вид, как условие резонанса напряжений в последовательном колебательном контуре (3.26), и, следовательно, частота резонанса токов совпадает с резонансной частотой после­ довательного контура, составленного из тех же элементов:

р

1

3.87

.

Если элементы контура имеют невысокую добротность, для определения час тоты резонанса токов необходимо приравнять нулю мнимую составляющую вход ного сопротивления, определяемую из выражения (3.84). При этом частота резо нанса токов несколько отличается от резонансной частоты последовательного кон тура:

278

 

 

р

посл

,

однако при

посли

посл

посл этим различием можно пренебречь.

Как отмечалось выше, характеристическое сопротивление параллельного кон тура, равное абсолютному значению мнимых составляющих сопротивлений ветвей контура на резонансной частоте, определяется тем же выражением, что и характе ристическое сопротивление последовательного контура:

| |

р

|

р

р

1

 

 

.

р

 

 

Входное сопротивление параллельного колебательного контура на резонанс ной частоте R0 (резонансное сопротивление контура) имеет чисто резистивный характер и, как следует из (3.85), может быть найдено с помощью выражения

|

р

 

.

3.88

 

Следовательно, ток i и напряжение u на зажимах 1 — 1’ (рис. 3.35, б) на резо нансной частоте совпадают по фазе, а их действующие значения I0 = I|ω=ωр, U0=U|ω=ωр, связаны между собой соотношением U0 = R0I0 = ρ2I0/R.

Действующие значения токов ветвей контура на резонансной частоте имеют одинаковые значения:

|

р

|

р

 

 

 

.

3.89

 

 

Используя выражение (3.89), находим добротность параллельного колебатель ного контура:

1

 

.

3.90

 

рр

Таким образом, добротность параллельного колебательного контура основно го вида совпадает с добротностью последовательного колебательного контура, со ставленного из тех же элементов.

Аналогичный результат может быть получен и из соотношения (3.42), пригод ного для определения добротности любых колебательных систем.

С учетом выражений (3.88) и (3.90) представим комплексное сопротивление параллельного контура в следующем виде:

279

Соседние файлы в папке ОТЦ