5.4. Уваривание утфеля последней кристаллизации

5.4.1. Технологические параметры процесса

    1. Массовая доля сухих веществ в готовом

утфеле, %                                          94 - 95

    2. Разрежение в аппарате, МПа (кгс/кв. см)     0,08  - 0,09 (0,8 - 0,9)

    3. Температура кипения утфеля, °C              60 - 72

    4. Давление греющего пара, МПа (кгс/кв. см)    0,07 - 0,10 (0,7 - 1,0)

    5. Эффект кристаллизации, ед.                  10 - 12

5.4.2. Особенности ведения процесса

1. При двухкристаллизационной схеме на уваривание утфеля последней кристаллизации поступают первый оттек утфеля I кристаллизации и аффинационный.

2. При трехкристаллизационной схеме для уваривания утфеля последней кристаллизации используют оттеки утфеля II кристаллизации, аффинационный оттек и оттек, получаемый от промывки центрифуг III кристаллизации.

3. При затруднениях в уваривании утфеля последней кристаллизации целесообразно для интенсификации процесса кристаллизации, устранения пенообразования и улучшения процесса центрифугирования применять поверхностно-активные вещества - ПАВ (см. п. 5.7).

4. Оттеки, вводимые в аппараты, не должны содержать кристаллов сахара. Растворение кристаллов обеспечивают, нагрев оттеки до 85 °C в сборниках при помощи барботеров.

5. Сгущение оттека до заводки кристаллов сахара

а) Перед вводом в вакуум-аппарат второго оттека утфеля II кристаллизации его нагревают в сборнике до 85 °C.

б) Пропаривают аппарат, закрывают спускное отверстие и затем, при разрежении не более 0,04 МПа (0,4 кгс/кв. см), в аппарат набирают оттек. К концу набора разрежение увеличивают постепенным открыванием вентиля.

в) Первоначальный набор аппарата проводят так, чтобы поверхность нагрева покрылась кипящим оттеком.

г) Оттек сгущают до заводки кристаллов при полностью открытом воздушном вентиле. Не следует заводить кристаллы сахара в периоды, когда в вакуумной системе по каким-либо причинам наблюдается низкое разрежение. Так, например нельзя заводить кристаллы в момент подключения какого-либо другого вакуум-аппарата к воздушному трубопроводу.

д) О готовности оттека к заводке кристаллов судят по внешним (органолептическим) признакам (подвижности утфеля в аппарате, скорости стекания брызг по зрительному стеклу и пробе "на волос"). Кристаллы заводят при температуре 72 - 76 °C.

6. Заводка кристаллов сахара

а) Кристаллы сахара заводят путем ввода в аппарат сахарной пудры в один прием. Количество ее для аппарата емкостью 40 т составляем 150 - 200 г.

Требования, предъявляемые к сахарной пудре, применяемой для заводки кристаллов, те же, что и для пудры, используемой при уваривании утфеля I кристаллизации.

б) После ввода пудры в аппарат тщательно промывают пробный кран.

в) Убедившись в том, что в аппарате образовалось требуемое количество кристаллов сахара, немедленно снижают степень пересыщения межкристального раствора для прекращения дальнейшего образования кристаллов. Образовавшиеся кристаллы закрепляют наращиванием. Для этого проводят две-три небольшие подкачки оттека, с промежутком в 2 - 4 мин.

г) При уваривании утфеля III кристаллизации на кристаллической основе утфеля II кристаллизации его расчетное количество (п. 5.1.1) вводят при открытом воздушном вентиле в вакуум-аппарат III кристаллизации. Пар в паровую камеру подают после того, как поверхность нагрева покроется утфелем. Его раскачивают оттеком утфеля II кристаллизации и продолжают уваривание.

Размеры кристаллов утфеля II кристаллизации, используемого в качестве кристаллической основы, должны быть в пределах 0,25 - 0,35 мм.

7. Наращивание кристаллов сахара

а) Кристаллы сахара наращивают вводом первого оттека утфеля предыдущей ступени кристаллизации - частыми небольшими подкачками или при непрерывном питании аппарата. Непрерывные, а также частые небольшие подкачки устраняют вредные для уваривания утфеля колебания в величине пересыщения межкристального раствора.

Повышение пересыщения перед очередной подкачкой снижает циркуляцию в аппарате и этим тормозит процесс испарения воды, а излишнее разбавление межкристального раствора задерживает рост кристаллов. Кроме того, сильное сгущение массы сопровождается обильным образованием вторичных кристаллов, ухудшающих качество кристаллического сахара. Удаление вторичных кристаллов растворением приводит к уменьшению производительности вакуум-аппарата.

К концу наращивания кристаллов интервалы между подкачками и объем их постепенно увеличивают.

б) Время начала и окончания подкачек, а также объем каждой подкачки устанавливают по пробе на стекле, взятой из пробного крана аппарата.

в) Разделку кристаллов проводят путем подкачки в аппарат оттека, подогретого на 5 - 10 °C выше температуры кипения в аппарате.

г) В конце уваривания, при окончательном сгущении утфеля, в аппарат забирают аффинационный оттек.

д) Температуру уваривания в период наращивания кристаллов поддерживают на уровне 68 - 70 °C.

8. Окончательное сгущение утфеля

а) Последнюю стадию процесса уваривания утфеля ведут при температуре 65 - 68 °C, чтобы вязкость межкристального раствора была минимальной.

б) Массовая доля сухих веществ уваренного утфеля должна быть в пределах 94 - 95%. Уваренный утфель оценивают с учетом его подвижности, обеспечивающей нормальный спуск из аппарата.

в) Уваривание при температуре 65 - 68 °C можно обеспечить только при разрежении в вакуум-аппаратах не менее 0,085 МПа (0,85 кгс/кв. см). Поэтому в ремонтный период должна быть произведена тщательная герметизация воздушно-конденсационной системы и выделен для уваривания утфелей II и III кристаллизаций отдельный конденсатор.