5.2.3. Уваривание утфеля I кристаллизации

из концентрированного сиропа

При поступлении на станцию уваривания концентрированного сиропа (массовой долей сухих веществ 68 - 72%) процесс уваривания ведут по способу, разработанному ВНИИСП совместно с Краснодарским политехническим институтом:

- сироп после III корпуса выпарной установки (массовая доля сухих веществ около 55%) и клеровка сахара II кристаллизации после сульфитирования и фильтрования поступают на IV корпус выпарной установки;

- после концентратора сироп, сгущенный до массовой доли сухих веществ 68 - 72%, поступает в сборники перед вакуум-аппаратами;

- до "пробы" набирают минимальное количество сиропа, обеспечивающее покрытие поверхности теплообмена перед введением затравки;

- перед заводкой кристаллов температуру уваренного сиропа поднимают до 84 - 86 °C путем снижения разрежения;

- после достижения коэффициента пересыщения 1,2 - 1,3 в аппарат вводят затравку;

- после образования необходимого количества кристаллов прерывают кристаллообразование раскачкой;

- после закрепления кристаллов температуру кипения утфеля постепенно снижают до 80 - 82 °C, повышая разрежение;

- после непродолжительного уваривания температуру кипения утфеля повышают до 86 °C и раскачивают утфель сиропом;

- перед окончанием уваривания утфеля температуру его постепенно снижают до 76 - 78 °C.

5.3. Уваривание утфеля II кристаллизации

при трехкристаллизационной схеме

5.3.1. Технологические параметры процесса

    1. Массовая доля сухих веществ в готовом

утфеле, %                                          92,0 - 93,0

    2. Разрежение в аппарате, МПа (кгс/кв. см)     0,08  - 0,09 (0,8 - 0,9)

    3. Температура кипения утфеля, °C              65 - 76

    4. Давление греющего пара, МПа (кгс/кв. см)    0,070 - 0,10 (0,7 - 1,0)

    5. Эффект кристаллизации, ед.                  5 - 7

5.3.2. Особенности ведения процесса

1. Для получения утфеля III кристаллизации с доброкачественностью, не превышающей 75%, утфель II кристаллизации необходимо уваривать из второго и первого оттеков утфеля I кристаллизации со средней (динамической) доброкачественностью около 86%.

2. При работе по трехкристаллизационной схеме, предложенной ВНИИСП и включающей использование части (около 1/3) утфеля II в качестве кристаллической основы для уваривания утфеля III кристаллизации, доброкачественность оттека, поступающего на уваривание утфеля II кристаллизации, может быть снижена до 82%.

3. Оттеки перед вводом в аппарат нагревают в сборниках открытым паром до 85 °C, чтобы растворить кристаллы и обеспечить немедленное вскипание их при поступлении в аппарат. При этом необходимо избегать длительного нагревания оттеков, чтобы не было излишнего разложения сахарозы. Оттеки вводят в вакуум-аппарат последовательно, по нисходящей доброкачественности (сначала второй, затем первый оттек).

4. Первоначальное заполнение аппарата осуществляют так, чтобы вся поверхность нагрева в момент заводки кристаллов сахара была закрыта кипящим оттеком. К набору аппарата оттеком приступают немедленно после его пропарки, чтобы горячий оттек, попадая в горячий аппарат, тотчас же в нем вскипал. Вентили греющего пара открывают, как только вся поверхность нагрева или включаемые в работу отдельные ее секции покроются кипящим оттеком.

5. Оттек сгущают для заводки кристаллов сахара при полностью открытом воздушном вентиле. О готовности оттека к заводке в нем кристаллов сахара судят по внешним признакам.

6. Кристаллы сахара заводят сахарной пудрой, вводимой в аппарат в количестве 60 - 80 г при температуре 76 - 78 °C. После закрепления кристаллов двумя - тремя подкачками дальнейшее их наращивание проводят при температуре 74 - 76 °C.

7. Образование кристаллов протекает в условиях более высокой плотности межкристального раствора, чем при уваривании утфеля I кристаллизации. Время начала и окончания подкачек определяют визуально (по внешним признакам увариваемого утфеля) и по пробе утфеля на стекле.

8. Утфель центрифугируют нагорячо.