- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
Поверхности монокристаллов принято обозначать индексами Миллера, соответствующими плоскости, параллельной поверхности
Расположение атомов на грани (001) кристалла, имеющего гранецентрированную кубическую структуру, очевидно
Саморджаем предложено обозначать такие поверхности следующим образом:
Объем.струк.(S) [m(001)xn(010)]
(S) указывает на ступенчатое строение грани. В квадратных скобках т - ширина террасы, ее ориентация, высота (n) и ориентация ступени.
Часто структура поверхностного слоя отличается от объемной.
Ячейка поверхностной решетки имеет большие размеры.
Это не означает, что не могут быть меньше расстояния между атомами. Такие решетки называют сверхрешетками
Основные вектора трансляции |
в объеме |
|
Tx ,Ty |
|||
|
|
|
||||
|
|
. |
|
на поверхности |
tx , ty |
|
|
|
|
|
|
|
|
Могут быть связаны друг с другом при помощи матрицы М: |
||||||
æm m |
ö |
tx = m11Tx + m12Ty |
||||
M = ç |
11 |
12 |
÷ |
r |
r |
r |
èm21 |
m22 ø |
ty = m21Tx + m22Ty |
||||
|
|
|
||||
æ |
+1-1ö |
|
æ |
+1 -1ö |
M |
|
æ+ 2 0 |
ö |
|||
Mb = |
ç |
|
|
÷ |
c |
= ç |
|
÷ |
|||
ç |
÷ |
ç |
|
|
; |
|
ç |
0 + 2 |
÷ |
||
Ma = ç |
÷; |
|
0 |
+ 2 |
÷ |
|
|
è |
ø |
||
è |
+1+1ø |
|
è |
ø |
|
|
|
||||
tx ´ ty = (m11Tx + m12Ty )´ (m21Tx |
+ m22Ty )= m12 |
× m21 |
(Ty ´Tx )+ m11 × m22 (Tx ´Ty )= |
||||
r r |
r |
r |
|
r |
r |
||
= m11 × m22 (Tx ´Ty )- m12 |
× m21(Tx ´Ty )= det |
|
M |
|
× (Tx |
´Ty ) |
|
|
|
||||||
Матричная запись используется редко
Обычно используется обозначение, предложенное Вудом
Обязательное |
Углы между основными векторами трансляций в объеме |
условие |
и на поверхности одинаковы |
Можно ввести |
|
|
|
tr |
|
|
|
|
|
|
|
tr |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
m = |
rx |
|
; |
n = |
ry |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
два числа |
|
|
Tx |
|
|
|
|
|
Ty |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
Если не известно строение ячейки |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(mxn)-Rα0 |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Если ячейка простая |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
р(mxn)-Rα0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
Если ячейка центрированная |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с(mxn)-Rα0 |
|
||||||||||
p( |
2 |
x |
2 |
) − R450 , |
c(2x2). |
Релаксация
На поверхности
Реконструкция
Релаксация - смещение атомов без изменения симметрии
Реконструкция - взаимное расположение частиц в поверхностном слое кардинально отличается от имеющегося в объеме, изменяется симметрия решетки
