- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
3.1. Модельные представления потенциала на поверхности
Трехмерная трансляционная симметрия.
Успехи в теоретическом описании |
Адиабатическое приближение |
|
объемных свойств твердых тел |
||
Одноэлектронное приближение |
||
|
Взаимодействие электронов апроксимируется эффективным потенциалом, вообще говоря нелокальным.
Величина потенциала зависит не только от координаты данного электрона, но и от расположения других электронов
N
Ψ(r1,r2 ,...ri ) = ∏ψ (ri )
i =1
Собственные значения энергии определяют систему уровней, на которых могут находиться электроны.
Полубесконечный кристалл обладает только двумерной трансляционной инвариантностью
Использование традиционных подходов возможно только при использовании приближенного описания системы
Выбором эффективного потенциала
Методы различаются. |
Граничными условиями |
|
|
|
Представлением волновых функций |
Даже в случае металлов выбор - нелегкое дело |
|
Модель полубесконечного кристалла
Решение в трех областях: объем, поверхностная область, вакуум Волновые функции сшиваются на границе между областями
Модель пленки
Решение для ограниченного набора атомных плоскостей, симметричного относительно начала координат.
Количество плоскостей выбирается так, чтобы в середине пленки воспроизводились объемные свойства
“Искусственный” кристалл
Система, состоящая из периодически расположенных пленок.
Расстояние между ними выбирается таким, чтобы можно было пренебречь их взаимодействием..
Такая геометрия позволяет использовать циклические граничные условия
Важен выбор эффективного потенциала
Первый вариант
Пренебрегается электрон-электронным взаимодействием
Приближение сильной связи
Ход потенциала на поверхности?. Две возможности
1.Как и в объеме вплоть до z=0, где скачок к значению потенциала в вакууме Еv
2.Потенциал в наружном слое плавно достигает значения, соответствующего Uv
Энергия взаимодействия электронов с ионами существенно больше
Другое приближение (диаметрально противоположное)
Пренебрегается электрон-ионным взаимодействием по сравнению с электрон-электронным
Упускаются детали структуры твердого тела
Единственный параметр, характеризующий свойства кристалла →
концентрация электронного газа ρ(r).
В первом приближении можно не учитывать периодического изменения потенциала в объеме
Электроны считаются свободными, не связанными с ионными остовами.
Радиус сферы Вигнера-Зейтца rs |
Радиус сферы, объем которой |
|||||||
|
4 |
|
πr3 |
= |
1 |
|
равен объему, занимаемому |
|
|
ρ |
в среднем одним электроном |
||||||
3 |
||||||||
s |
|
|
|
|||||
Металлы |
rs - от 1.5 ат.ед. (тугоплавкие металлы - |
|
W, Mo, Ta) до 5 ат.ед. у Cs |
Приближение желе-металла |
|
Можно объединить оба подхода |
Приближение |
|
самосогласованной решетки |
|
Позволяет учесть взаимодействие как |
|
между электронами, так и |
|
между электронами и ионами |
Особенно большие трудности в случае переходных металлов
Имеют незаполненную d-оболочку
d-электроны целиком или частично могут быть локализованы на связях между атомами.
Возможно другое, диаметрально |
Кластерное |
|
противоположное приближение |
||
|
Поверхность заменяется группой из нескольких атомов (кластером).
Влияние остальных частиц твердого тела рассматривается как возмущение.
Позволяет использовать для расчетов методы квантовой химии
