- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
4.3.Б. Метод валентных связей
Молекула водорода
|
|
|
$ |
|
|
h2 |
2 |
2 |
2 æ |
1 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
1 |
|
|
1 |
|
|
|
|
1 |
|
|
1 ö |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(Ñ1 |
+ Ñ2 ) - e ç |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
H = - |
2m |
|
|
+ |
|
|
rb2 |
+ |
|
|
+ |
rb1 |
- |
|
r12 |
|
- |
|
÷ |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
è ra1 |
|
|
|
|
|
ra 2 |
|
|
|
|
|
|
Rø |
|||||||||||||
|
|
|
|
Первый - |
кинетическая энергия электронов |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
Второй – кулоновское взаимодействие электронов с |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
ядрами, друг с другом и взаимодействие ядер |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
R велико |
|
Энергии взаимодействия электронов с удаленными ядрами, |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
электронов и ядер друг с другом пренебрежимо малы |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
ra |
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
rb |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
€ |
€ |
€ |
ψ A(1) = |
|
|
|
|
exp(− |
a 0 ); |
ψ B(2) = |
|
|
|
|
|
exp(− |
|
a 0 ) |
а0 - радиус |
|
||||||||||||||
H |
= H A + HB |
|
π |
|
|
π |
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Бора |
|
|
|||||||||
Независимые и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
невзаимодействующие |
|
|
|
|
|
|
Волновая функция |
|
|
|
|
|
|
|
( |
) |
|
|
( ) |
|
||||||||||||||
системы |
|
|
|
|
|
|
|
|
объединенной системы |
|
ψ = ψ А 1 ψ В |
|
2 |
|
|
|||||||||||||||||||
с волновыми функциями ψА и ψВ |
|
|
|
Собственная энергия |
|
|
|
Е=Е +Е =2Е |
Н |
|
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
А |
|
|
В |
|
|
|
|
||||||||||||
Малые R |
Пренебрегать взаимодействием электронов |
|
с “чужими” ядрами и друг с другом нельзя |
||
|
Собственная энергия может быть вычислена используя вариационный принцип Ритца
ε = òψ * Hψdτ |
Имеет минимальное значение при |
||||
|
|
òψ *ψdτ |
использовании оптимальной |
||
|
|
волновой функции |
|||
|
|
|
|
||
.ε = 2EH + |
e2 |
+ òò |
re2ψ A2 (1)ψ B2 (2)dτ1dτ2 − 2ò |
re2 ψ B2 (2)dτ2 |
|
R |
|||||
|
|
12 |
|
A2 |
|
Первый |
|
|
Энергия двух изолированных атомов водорода |
||
|
|
|
|
||
Второй |
|
|
Энергия отталкивания положительно заряженных ядер |
||
|
|
|
|
||
Третий |
|
|
Энергия взаимодействия электронов |
||
Четвертый |
|
|
Энергия взаимодействия зарядового облака, |
||
|
|
локализованного около атома А с ядром В, и наоборот. |
|||
|
|
|
|
||
Имеет решающее значение
Связь возможна, только если четвертый превышает другие кулоновские члены
( ) ( |
) |
Энергия связи примерно в 20 раз меньше |
|
|
||
ψ = ψ А 1 ψ В |
2 |
реальной (0,25 эВ) |
|
|
|
|
Не учтен ряд обстоятельств |
ψ |
(1) |
( ) ( |
2 |
) |
|
|
|
|||||
Электроны неразличимы |
|
= ψ А 1 ψ В |
|
|||
Равноправны |
|
|
|
|
||
|
|
ψ (2) = ψ А(2)ψ В(1) |
|
|||
Более разумно искать решение в виде
ψ = с1ψ (1) + с2ψ (2)
Результат значительно лучше
Энергия связи - 3,14 эВ, что отличается от экспериментальной только на ~ 1,6 эВ (кривая 2б)
Возможна некоторая поляризация электронной плотности.
ψА~exp(-crА)
с – варьируемый параметр
Еще лучше ψА~λ1 exp(-crА)+xλ2 exp(-crА),
Нельзя исключить, что возможна
конфигурация Н+Н--
Желательно включение |
( ) ( |
2 |
) |
в волновую |
ψА 1 ψА |
|
функцию членов вида
Вычисленное равновесное расстояние между атомами в молекуле Н2 совпадает с экспериментальным с точностью до третьего знака, а энергия связи - до четвертого, что превышает имеющуюся экспериментальную ошибку
Eexp = 4,7466±0,0007 эВ Eth = 4,7467 эВ
Метод МО и метод ВСприближенные
Необходимо использование дополнительных соображений, зачастую основанных на интуиции.
Идейно отличаются
Метод МО
Молекула - единая система с заданным расположением ядер, обладающая соответствующей электронной структурой.
Недооценивается электронная корреляция
Более пригоден при малых расстояниях между частицами
Метод ВС
Изменение энергетического спектра вследствие взаимодействия первоначально независимых атомов
Переоценивается корреляция.
Более пригоден при больших расстояниях между частицами
Картина образования химической связи одинакова – концентрирование электронной плотности в области между ядрами
