- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
Классические
представления
Центр тяжести наведенного заряда:
Появление поверхностного заряда
σ = |
F |
F - напряженность |
|
||
4π |
электрического поля |
Заряд располагается в плоскости поверхности
С микроскопической точки зрения такого описания не достаточно
Приближение слабого внешнего поля.
nF(z)=nF(z)-nF=o(z),
Основные изменения вне фона положительного заряда (z>0)
+∞ |
|
|
òz |
nF dz |
~ 0.3 Å от z=0 |
d0 = −∞ |
+∞ |
|
|
ò |
nF dz |
−∞
U(z) = F[z − d0 |
(z)] |
d0 |
совпадает с положением зеркальной плоскости |
|
в случае взаимодействия заряда с поверхностью |
||||
|
|
|||
Внешнее поле |
Последовательное размещение элементов заряда |
|||
на большом расстоянии от поверхности |
||||
|
|
|||
Другая особенность nF(z) |
|
Наличие осцилляций |
||
|
|
Более выражены, чем осцилляции у поверхности |
||
В сильных полях |
Изменяется скорость изменения электронной плотности. |
|
γ увеличивается в случае положительных полей (+ на металле), уменьшается в случае отрицательных.
Смещение центра тяжести наведенного заряда
Только при крайне сильных полях, почти не достижимых в нормальных экспериментальных условиях, центр тяжести может располагаться на поверхности металла
IV. АДСОРБЦИЯ
qЯ.деБур “Динамический характер адсорбции”. М., ИИЛ, 1962, 290 стр.
qCб. “Межфазовая граница. Газ-твердое тело”, ред.Э.Флада.
М., Мир,1970 (III глава, С.Брунауэр... с.77-97)
q Сб. ”Теория хемосорбции”. Ред. Дж.Смит. М., Мир, 1983.
qЛ.А.Большов, А.П.Напартович, А.Г.Наумовец, А.Г.Федорус “Субмонослойные пленки на поверхности металлов”. –
УФН. 122, 1, 125-158, 1977.
qО.М.Браун, В.К.Медведев “Взаимодействие между частицами, адсорбированными на поверхности металла”. –
УФН, 155, 4. 631-666, 1989.
4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
При контакте с газом |
Устанавливается равновесное покрытие |
|
начинается адсорбция |
физико-химических свойств |
|
Темп зависит от |
||
адсорбента и адсорбата |
||
|
||
|
экспериментальных условий |
|
|
наличия внешних полей |
|
|
давления газа |
|
Описание процесса |
Кинетика адсорбции |
Первое теоретическое описание кинетики адсорбции дано Ленгмюром.
Ряд предположений
1. Адсорбция атомов возможна только на отдельных адсорбционных центрах
Важно |
а) Число центров - постоянная величина |
Не зависит |
v От температуры |
|
v От количества адсорбированных частиц |
Зависит только |
q От материала подложки |
|
q От кристаллографической ориентации |
|
q От предшествующей биографии поверхности; |
б) Все центры равноправны Для всех центров § одинакова теплота адсорбции
§ одинакова вероятность "захвата" падающей частицы
Однородная поверхность в) На каждом из центров может быть адсорбирована одна и только одна частица
Адчастица может быть связана с поверхностью только одним, вполне определенным образом.
2. Адсорбированные частицы не взаимодействуют друг с другом
n* - число адсорбционных центров на 1 см2 |
|
|
||
Согласно газокинетической |
ν = |
p |
p - давление газа |
|
теории поток газа |
(2πMkT)12 |
М - масса частицы |
||
Количество адсорбированных частиц за |
|
|
||
|
dnad = (n* - n)χ0ν dt |
|||
время dt |
поверхности |
|
||
n - число адчастиц на 1 см2 |
|
|
||
χ0 |
- коэффициент прилипания |
Вероятность закрепления частицы |
|
на поверхности |
|||
|
|
При Т>0 с некоторой вероятностью β частица может получить энергию, достаточную для десорбции.
|
|
β равна обратной величине |
|
β≡ 1/τ. |
|||
dndes= β n dt |
|
|
|||||
|
времени жизни частицы на поверхности: |
||||||
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Полное изменение |
|
|
|
|
|
||
|
dn = dnad - dndes |
= [(n* - n) χ0ν - βn]dt |
|
||||
концентрации |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||
dn = [(n* - n) χ0ν - βn]dt |
|
|
|
|
|
dθ |
|
= (1− θ )χ 0ν − βθ |
||||||||
|
|
|
|
|
dt |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
χ 0 |
||||
Интересна зависимость от давления газа |
|
|
|
α = |
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
2πMkT |
||||||||||||
|
dθ |
= αp − θ (αp + β) |
dθ |
|
= dt |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
αp − θ (αp + β) |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
dt |
|
αp |
|
|
− C exp[− (αp + β )t] |
||||||||||
|
ln[αp − θ (αp + β)] = −(αp + β)t + C |
|
θ = |
|
|
|||||||||||
|
|
αp + β |
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Константа С из начального условия
При t = 0 - чистая поверхность (θ =0)
C = αp
αp + β
При малых временах экспоненту можно разложить в ряд:
θ = αpα+p β [1 − 1 + (αp + β)t]= αpt
При больших временах
limθ =θ |
p |
= |
αp |
|
αp+β |
||||
t→∞ |
|
Изотерма Ленгмюра
