- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
Наличие поверхности проявляется не только в появлении ПС, но может сказаться и на ширине запрещенной и разрешенной зон
Ионный кристалл MX, из катионов М+ и анионов Х -
Генетически |
Валентная зона |
Анионы |
|
Зона проводимости |
Катионы. |
||
|
При сближении ионов уровень М+ повышается, Х- понижается.
Вследствие взаимодействия уровни расщепляются в зоны проводимости и валентную,
На поверхности ионы в поле, отличающемся от существующего в объеме
Поле в месте |
Более отрицательно, |
Электронное состояние |
|
должно иметь |
|||
расположения аниона |
|||
чем в объеме. |
|||
более высокую энергию, |
|||
|
|||
|
|
Катионы
Противоположный результат
Может привести к запрещенной зоне с шириной Egs, отличающейся от объемной.
Egs можно оценить используя классическую теорию.
Переход электрона |
Появляются два |
Затрачиваемая энергия |
|
равна ширине |
|||
в зону проводимости |
нейтральных атома: М0 и Х0 |
||
|
|
запрещенной зоны |
Два случая |
(1) М0 |
и Х0 |
появляются в объеме |
|
|
|
(2) М0 и Х0 возникают на поверхности твердого тела
Наиболее простой вариант
Структура неизменна везде, включая и поверхность
Ионы в поле, создаваемом классическими кулоновскими силами окружающих частиц
Начнем с первого случая. Термодинамический цикл
I этап |
Удаление аниона |
|
из кристалла. |
Работа W1=- EХ
Энергия, необходимая для перемещения иона по кристаллической решетке, при адиабатическом процессе возвращаются решетке после ухода частицы.
EX = (− eZa )U X |
-eZa - заряд аниона |
|
UХ - потенциал, создаваемый |
||||
U X = å |
qhij |
|
qhij |
|
1 |
|
остальными ионами: |
å |
|
Cx |
|
||||
r |
r |
= |
a |
Сx - число Маделунга. |
|||
h,i, j, R |
h,i, j, R |
|
|
|
|||
|
hij |
|
hij |
|
|
|
|
qhij - заряд иона с координатой Rhij |
|
|
|
|
|
||
W1= eZaCx/a |
|
|
|
|
|
|
|
II этап |
Удаление электрона |
|
|
||||
W2 = A |
А - сродство |
|
|
|
|
||
III этап |
Возвращение нейтрального |
||||||
атома на прежнее место |
|
||||||
|
|
|
|||||
Если не учитывать квантово- |
|
|
|
|
|
||
механическое взаимодействие, |
W3 = 0. |
|
|||||
энергия системы не изменяется |
|
||||||
Та же процедура с положительным ионом М+
IV этап |
Удаление аниона из кристалла. |
|
|
|
Z - заряд катиона, |
W4=eZMCM/a |
CMM - число Маделунга |
|
V этап |
|
для катиона |
Нейтрализация катиона |
||
Используем имеющийся электрон
VI этап
Результат
W5= - I. I – энергия ионизации |
|
Возвращение M0 в кристалл |
W6=0. |
В кристалле два |
Равнозначно переводу |
нейтральных |
электрона из валентной |
атома X0 и M0 |
зоны в зону проводимости |
При Z=ZХ=ZМ
Аналогичный цикл для ионов, расположенных на поверхности
Отличие – число Маделунга |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
Если h - номер плоскости, параллельной поверхности |
æ |
åh 0 |
q |
+ åh 0 |
q |
ö |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
Число Маделунга |
|
В объеме |
|
CX = açç |
Rrhij |
Rrhij |
÷÷ |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
è |
≤ |
|
hij |
> |
hij ø |
|
|
|
|
|
|
|
|
На поверхности |
s |
|
å |
qhij |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Cx |
= |
Rr |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
h≤0 |
hij |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Экспериментально эффект не подтвержден |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
Соединение |
Cs/C |
|
Egs/ Eg |
|
Модель упрощает ситуацию |
|
|
||||||||
|
|
CdO |
0.96 |
|
|
0.9 |
|
Нет соединений с чисто ионной связью |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Не учитывается релаксация атомов |
||||||||
|
|
ZnO |
0.88 |
|
|
0.73 |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
CdS |
0.88 |
|
|
0.71 |
|
Возможность эффекта существует. |
|
||||||||
|
|
ZnS |
0.85 |
|
|
0.65 |
|
Надо учитывать при анализе |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
экспериментальных результатов. |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
