- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
4.3.В.Заселенность перекрывания
Связь тем прочнее, чем сильнее перекрываются атомные орбитали, чем больше часть электронной плотности сосредоточенная в области между ядрами
ò |
|
ψ |
|
2 dτ = 1= ò |
|
cAψ A + cBψ B |
|
2 dτ = cA2 + 2cA cB S + cB2 |
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
||||||
В молекуле электронная плотность принадлежит обоим центрам |
|||||||||
Как разделить электронную |
|
|
Может позволить на качественном уровне |
||||||
|
|
плотность между ними ? |
|
|
рассматривать и даже предвидеть силу |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
связи в молекуле, ее свойства |
Привычно - сА2 и сВ2 с атомами А и В |
|
||||||||
|
|
Остается |
2cAcBS |
Заселенность перекрывания. |
|||||
Малликен предложил “демократически” поделить поровну Можно проделать для всех молекулярных орбиталей
В случае кристалла процедура позволяет рассчитать локальную плотность состояний.
Удвоенный (спин) интеграл от локальной плотности состояний по энергиям до уровня Ферми дает полную электронную заселенность на данном атоме, Т.е. заряд данного атома.
TiO2
Электроны с низкой E концентрируются на атомах О Высокоэнергетичные электроны в основном на Ме
Заселенность перекрывания позволяет оценить вклад орбитали в величину связи,
Интеграл перекрывания S всегда может быть выбран положительным
Если сА и сВ имеют |
Заселенность |
Имеет место |
одинаковые знаки |
перекрывания > 0 |
связывание |
|
σg1s<σu*1s<σg2s<σu*2s<πzu2p=πyu2p<σg2p=πyg2p<σu*2p |
Молекула N2 |
v Уровни 1σg1s и σu*1s практически не перекрываются. Вклад в образование связи ничтожен
vОрбиталь σg2s активно участвует в образовании связи.
vσu*2s и σg2p практически не дают вклада в связь - неподеленные электроны
v πzu2p=πyu2p – сильная связь
v Орбитали 3σu и πg являются сильно разрыхляющими
Связывание максимально, когда молекула содержит 7 пар электронов
(1σg+1σu+2σg+2σu+πu+3σg).
Уменьшение или увеличение числа электронов приведет к понижению полной заселенности перекрывания и, соответственно, к уменьшению энергии связи
Если просуммировать заселенность перекрывания по всем имеющимся у системы орбиталям с учетом их заполнения электронами
Твердое тело
Полная заселенность перекрывания.
По смыслу близка к порядку связи
Большая молекула, имеющая большое число электронных состояний.
. |
ρ(Е)dE=числу уровней между E и E+dE. |
Плотность состояний |
Соседние уровни располагаются |
|
|
|
π |
|
|
|
|
aN |
||||
на одинаковом расстоянии по оси k |
|
|||||
Длина волны электрона в металле |
|
λ = |
|
2π |
|
|
|
|
k |
||||
|
|
|
|
|
||
При k→0 |
λ →∞ |
S положительно |
|
|
Максимальный |
|
|
|
вклад в связь |
||||
и максимально |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
k = 2πa
λ = 4a
ψ меняет знак через атом
|
S ≈ 0 |
Электроны не |
|
|
участвуют в связи |
||
k = |
π |
||
λ = 2a |
|||
|
a |
|
ψ имеет разные знаки на соседних атомах
.
Заселенность перекрывания отрицательна и имеет большую абсолютную величину, что соответствует разрыхлению
Если учитывать взаимодействие только ближайших соседей (1-2), энергия связи максимальна в том случае, если зона разрешенных состояний заполнена до середины.
Учет взаимодействия (1-3) трансформирует связь
Аналогичный анализ может быть выполнен и в случае трехмерного кристалла
Связь атомов d-металла
Орбитали s- и p-типа
сильно перекрываются
Взаимодействие d-орбиталей существенно меньше
вследствие более слабого перекрытия электронов
Широкая зона разрешенных состояний.
Меньше ширина разрешенной зоны, генетически происходящей из этих состояний
Модель жестких зон
Зонная структура и ПЗП должны быть аналогичными для любого переходного металла
Максимальной энергией связи должны обладать металлы у которых заполнены все состояния, соответствующие положительному значению ПЗП.
