- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
W(001)
При Т<200 К на электронограмме дифракционной |
|
|
|
|
|
|
||
с(2х2) |
( 2x 2) − R450 |
|||||||
картины появляются дополнительные рефлексы. |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|||
Два варианта |
|
|
|
|
|
|
|
|
Взъерошивание: |
Спаривание |
|
|
|
|
|
|
|
Равноценность смещений атомов вольфрама в направлениях |
|
|
|
[110] и [110] |
|||
На поверхности - домены, отличающиеся только ориентацией. 0,15-0,3 Å параллельно поверхности, релаксируют внутрь на 0,1 Å
Ir(110)-(2x1) |
|
Три модели |
|
Спаренных рядов |
Гофрированная |
Модель |
|
поверхности |
пропущенных рядов |
||
|
Модель пропущенных рядов Поверхностный слой релаксирован в сторону объема на 10%
Золото (001)
Структура
(5х20) ~ (5х1)
Псевдогексагональная.
Атомы ближе друг к другу, чем в объеме:
На 5 рядов атомов в объеме Но: 6 рядов на поверхности.
В молекуле Au2 расстояние между ядрами
на 15% меньше, чем в металлической решетке
Атомы не обязательно должны находиться в одной плоскости
Можно было полагать, что аналогичная перестройка должна наблюдаться
у Cu и Ag, принадлежащих к той же,
что и золото, подгруппе
Но:
Грани (001) Ag и Cu имеют структуру (1х1).
Пленка Au на Ag (001) – (1x1)
2-3 монослоев достаточно для формирования на поверхности структуры, свойственной данному металлу
Главный вопрос: почему происходит реконструкция поверхности?
Более общий - почему атомы данного элемента кристаллизуются в данную структуру.
Ответ может быть получен в результате рассмотрения полной энергии системы Несомненно, причиной реконструкции поверхности является снятие возмущения
Изменению структуры химической связи может сопутствовать перераспределение электронного заселения орбиталей, что может приводить к появлению
дипольного момента у поверхностных атомов.
локализованных электронных состояний (поверхностные состояния)
отличия упругих констант на поверхности от объемных
