- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
3.9.2. Метод функционала плотности
Необходимо решить |
Hψ = Eψ |
|
уравнение Шредингера: |
Ψ - волновая функция, зависит от |
|
|
||
|
координат и спина всех электронов |
|
Плотность электронов |
Поиск многочастичной функции – |
|
проводимости в металле ~1023см-3 |
||
дело безнадежное. |
||
|
||
К счастью |
Знание такой ψ совершенно необязательно |
|
Можно упростить задачу |
Перейти к описанию системы |
|
на языке плотности заряда. |
||
|
Гамильтониан
T −оператор кинетической энергии
H = T + U + V U −оператор электрон− электронного взаимодействия
V −оператор взаимодействия электронов с внешним полем
в т.ч. с положительным фоном
Считаем → основное состояние не вырождено
Распределение электронов в пространстве однозначно определяется внешним потенциалом v(r)
Справедливо и |
v(r) - однозначный функционал плотности |
|
|
||||||||||||||||
обратное |
|
|
v[n(r)] |
||||||||||||||||
|
с точностью до аддитивной постоянной |
|
|
|
|
||||||||||||||
утверждение |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
ψ(r) также функционал n(r) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
ψ[n(r)] |
|
) |
ψ = T[n(r)] |
|||||||||
|
Средние, вычисленные на функциях ψ, |
|
|
|
|
T = |
ψ |
T |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
E = E[n(r)] |
|
|||||||||||||
|
однозначные функционалы плотности |
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
Выделим из Е части, связанные с дальнодействующим взаимодействием |
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
r |
r r |
1 |
|
n(r)n(r1) |
|
1 |
|
r |
|
|
|
|
|
|
||||
|
E[n(r )] = òv(r )n(r )dτ + |
2 |
òò |
|
r r1 |
|
|
dτdτ |
|
+ G[n(r )] |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
r − r |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
G[n(r)] - некоторый функционал
Хоэнберг и Коэн доказали следующую теорему:
”Существует универсальный функционал G[n(r)] такой, что плотность, c
оответствующая любому внешнему потенциалу, должна минимизировать функционал при дополнительном условии: 
Физический смысл G[n(r)] |
G[n(r )] = T[n(r )] + E |
|
[n(r )] + E |
[n(r )] |
||
|
r |
r |
x |
r |
c |
r |
T[n(r)] - функционал кинетической энергии
Ex[n(r)] – функционал обменной энергии.
Электрон окружен пространством, в котором имеется недостаток (если забыть о нашем электроне) частиц с параллельным нашему электрону спином.
Принцип Паули
Обменная дырка
EС[n(r)] – функционал корреляционной
энергии, Электроны - заряженные частицы
ЕС - разность между точной величиной энергии и ее Хартри-Фоковским значением
Расталкиваются |
Движение электронов не является независимым |
кулоновскими силами |
В среднем находятся дальше друг от друга, чем это |
|
было бы при хаотическом движении. |
Корреляционная дырка
Обменно-корреляционная дырка
Трудность при использовании МФП
Удалось в двух предельных случаях
Электронный газ с почти постоянной плотностью
~ |
~ |
n(r ) = n + n(r ) |
|
|
òn(r)dτ = 0 |
n~ << n
Для электронного газа с медленно изменяющейся плотностью
Ñn(r) << kF n(r)
kF - волновое число на поверхности Ферми
n = |
объем в простр.импульсов |
4 |
3 |
πp3 |
|
× 2 = 2 × |
|
F |
|||
|
объем, занимаемый одним сост. |
|
|
h3 |
|
Конкретный вид функционала G[n(r)].
=8π pF3
3 h3
