- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
Полезно остановиться на |
Модельный вариант адсорбции |
|
взаимодействии двух молекул |
||
Механизмы взаимодействия в |
||
|
||
ε = ε or + ε pol + ε dis + ε rep |
обоих случаях одинаковы |
|
|
εor – ориентационная составляющая энергии εpol - поляризационная часть
εdis - дисперсионная часть
εrep - репульсивная составляющие энергии
εor Определяется силами притяжения между полярными молекулами
Молекулы А и В |
Дипольные моменты μА |
и μВ |
|
Ориентируются в пространстве таким образом, чтобы обеспечить наибольший выигрыш энергии.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Начало координат - центр диполя μА |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ось z по линии, соединяющей μА |
и μВ |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Напряженность электрического поля, |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
создаваемого диполем μА |
в точке R, |
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
r |
|
r |
|
3 |
|
r |
|
R R |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
μ |
A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
FA = − |
μ |
A + |
( |
|
|
) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
r |
|
|
|
r |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
r |
|
|
|
|
|
|
2 |
( |
r |
r |
|
( |
r |
A |
)( |
r |
B |
) |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
r |
|
|
R |
|
|
μ |
A B) |
|
μ |
|
μ |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U(μAμB) |
|
|
|
|
|
|
|
μ |
− 3 |
|
R |
|
R |
|
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
= −μBFA = |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
= |
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
= |
|
μA |
|
|
|
μB |
|
|
|
{sinϑA sinϑB cos(ϕ A − ϕB) − 2 cosϑA cosϑB} |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
R3 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
r r |
|
|
a xbx + a yby + a zbz |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
cos(ab )= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
a x2 + a 2y + a z2 |
|
bx2 + by2 + bz2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
|
a |
|
b |
|
|
cosϕa sinϑa cosϕb sinϑb + sinϕa sinϑa sinϕb sinϑb |
|
+ cosa cosϑb |
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
a |
|
b |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
= cos(ϕa |
− ϕa )sinϑa sinϑb + cosϑa |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
|
cosϑb |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||
Минимальное значение - оба диполя |
|
|
|
|
|
|
U(μAμB) = − |
2μAμB |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
R3 |
|||||||||||||||||
ориентированы в одном направлении (ϑA=ϑB=0) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
Тепловое движение разориентирует диполи |
|
|
|
|
|
|
Повышается средняя |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
энергия системы |
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
Статистический вес конкретной ориентации |
|
|
|
|
|
|
gi |
≈ exp(− |
U μ Aμ B |
) |
||||||||||||||
определяется Больцмановским множителем |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
kT |
|
|||||||||||
|
|
Усредненная величина |
|
|
|
|
|
|
|
|
æ |
|
U |
|
ö |
|
|
|||||||
|
U |
|
= |
U |
|
|
- |
μ Aμ B |
|
|
||||||||||||||
|
|
энергии взаимодействия |
|
μ Aμ B |
μ Aμ B |
expç |
|
÷ |
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
è |
|
|
|
kTø |
|
|
|||||||||||
|
|
U |
|
< kT |
|
μA μ B = UμA μ B |
- |
1 |
|
U2 |
μA μ B |
+ ××× |
|
|
||||||||||
|
U |
|
|
|||||||||||||||||||||
μAμB |
kT |
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
2 μA2 μB2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
UμA μB |
= − |
|
Пропорциональна 1/R6 |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
3kT R6 |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
2òπ dϕB |
2òπ dϕB πòdϑA πòdϑB {sinϑA sinϑB cosϕB - 2cosϑA cosϑB }2 sinϑA sinϑB |
= |
|
|||||||||||||||||||
0 |
|
|
0 |
0 |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
2òπ dϕB |
2òπ dϕB πòsinϑAdϑA πòdϑB sinϑB |
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
0 |
0 |
|
0 |
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
ü |
|
|
|
|
2π |
π |
π |
ì |
|
3 |
|
|
3 |
|
|
2 |
|
2 |
|
2 |
|
|
|
||
|
|
ïsin |
ϑA sin |
ϑB cos |
ϕB - 4sin |
ϑA sin |
ϑB cosϕB cosϑA cosϑB +ï |
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
2π òdϕB òdϑA òdϑB í |
|
|
2 |
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
ý |
|
||||
|
|
0 |
0 |
0 |
ï |
4cos ϑA cos ϑB sinϑA sinϑB |
|
|
|
ï |
|
|||||||||||
= |
|
î+ |
|
|
|
þ |
= |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2π |
× 2π × 2 × 2 |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
πòdϑA πòdϑB {sin3 ϑA sin3 ϑB ×π + 4cos2 ϑA cos2 ϑB sinϑA sinϑB × 2π} |
|
|
||||||||||||||||||
= |
0 |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8π |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
1 ìéπ
=8 ïíïëêòsin î 0
3 |
ù |
2 |
é |
π |
2 |
ù |
2 |
ü |
|
1 |
ì |
4 |
ù |
2 |
é |
2 |
ù |
2 |
ü |
|
2 |
|
|
|
ï |
= |
ïé |
|
|
ï |
= |
||||||||||||
|
ϑAdϑA ú |
|
+ 8êòcos |
|
ϑA sinϑAdϑB ú |
|
ý |
8 |
íê |
3 |
ú |
|
+ 8ê |
3 |
ú |
|
ý |
3 |
|||
|
û |
|
ë |
0 |
|
û |
|
ï |
|
ïë |
û |
|
ë |
û |
|
ï |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
þ |
|
|
î |
|
|
|
|
|
|
|
þ |
|
|
εpol |
Если одна из молекул не полярная |
|
|
|
μ |
B |
~ αB μ A |
R3 |
α |
B |
- поляризуемость |
|
|
|
|
1R6 |
|
|||
Зависимость от расстояния |
|
|
|
|
|
|||
|
εdisp |
|
|
|
Электростатика не в состоянии |
|||
|
Неполярные частицы |
|
|
|||||
|
|
|
объяснить взаимодействие |
|||||
|
|
|
|
|
||||
Дисперсионные силы |
|
|
|
|
|
|
||
Усредненное по времени
распределение электронного заряда сферически симметрично
Но: мгновенное расположение электронов приводит к возникновению перманентного дипольного момента.
Поле воздействует на |
Согласование |
Выигрыш в энергии |
|
движение электронов |
|||
движения электронов |
|
||
соседнего атома |
|
||
|
|
В случае двух частиц |
εdis |
= - |
C6 |
- |
C8 |
|
-××× |
|
|
|
|||||||
|
|
|
R8 |
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
R6 |
|
|
|
|
|
|
||||||||
Первый - диполь-дипольное взаимодействие, второй - диполь-квадрупольное |
|
|
|||||||||||||||
С6, С8 - коэффициенты, зависящие от свойств взаимодействующих частиц. |
|
|
|||||||||||||||
Один из вариантов расчета С6 |
C |
= |
3 |
|
I A I B |
α |
A |
α |
B |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
6 |
|
2 I A + IB |
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I - потенциал ионизации |
|
|
|||||
|
|
С6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
α - поляризуемость |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
Атомы |
Расчет |
Рекомендуемое |
Cправедливо для сравнительно больших |
||||||||||||||
|
|
значение |
расстояний между частицами, когда |
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||||||
He-He |
1.30 |
1.46 |
можно пренебречь перекрыванием |
|
|
||||||||||||
|
|
|
волновых функций |
|
|
|
|
||||||||||
Ne-Ne |
4.23 |
6.88 |
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Ar-Ar |
53.25 |
66.9 |
При очень |
|
|
|
|
|
U dis » - C7 |
|
|
||||||
Kr-Kr |
108 |
135.1 |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
больших |
|
|
|
|
|
R |
7 |
||||||||||
Xe-Xe |
250 |
281.1 |
расстояниях |
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
εrep
Репульсивные силы
Одноименно заряженные ионные остовы
Электрон-электронное взаимодействие, обусловленное как силами Кулона,
|
|
|
|
так и принципом Паули. |
|||
|
|
|
|
|
Увеличение кинетической энергии |
||
|
|
|
|
|
при сближении частиц |
||
|
|
|
Пусть электронные плотности валентных |
||||
|
|
|
электронов атомов равномерно распределены |
||||
|
|
При R>>RA+RB |
TAB |
= TA + TB ≈ nA53 + nB53 |
|||
Пусть никаких изменений в |
|
|
Концентрация в области S → nA + nB |
||||
распределении не происходит |
|
|
|||||
Т ~ (n |
A |
+ n )5/3 |
Всегда (n |
A |
+ n )5/3 > n |
5/3+n 5/3 |
|
|
B |
|
B |
A |
B |
||
Перекрытие оболочек приводит к |
Появление репульсивных сил |
|
увеличению кинетической энергии |
||
|
Отсутствует строгое аналитическое описание взаимодействия между частицами
Единственный имеющийся путь - квантово-механический расчет конкретной системы в числовой форме, не допускает обобщения на другие системы.
Эмпирические выражения
Потенциал Леннарда-Джонса (потенциал 6-12)
l0 |
- энергия связи частиц |
E |
|
= -l |
|
é |
æ r |
ö 6 |
|
æ r |
ö |
12 ù |
||
|
|
int |
0 |
ê2 |
0 |
÷ |
- |
ç |
0 |
÷ |
ú |
|||
|
|
|
|
|||||||||||
r |
- равновесное расстояние |
|
|
|
|
ê |
è r |
ø |
|
è |
r |
ø |
ú |
|
0 |
|
|
|
|
|
ë |
|
|
|
|
|
|
|
û |
Потенциал Морзе
а - константа, специфичная для каждой пары
Взаимодействие не с одним атомом подложки, а с группой.
Модель попарного взаимодействия |
Eint = åEint (A − j) |
|
j |
Считается - энергия взаимодействия адатома с j-атомом твердого тела не зависит от характера и силы связи с другими атомами
Если воспользоваться потенциалом 6-12
для описания взаимодействия каждой пары атомов
После суммирования |
Eint = − |
C3 |
+ |
C9 |
|
z3 |
z9 |
||||
|
|
|
z - расстояние от поверхности
С3 и С9 - некоторые новые константы
Силы, действующие между частицами достаточно индивидуальны, появление соседей должно приводить к их изменению.
