5.4. Диспергированные пленки

Диспергированные пленки	Островковая структура на
	диэлектрической подложке

При малых напряжениях – омический характер

Удельное сопротивление может на порядки превышать ρ массивного вещества

Зависит от условий формирования пленки

От размеров зерен, их ориентации, их расположения.

При больших напряжениях – эмиссия электронов

Одновременно с эмиссией - свечение

Можно полагать – центры эмиссии электронов и центры свечения совпадают

Сильная зависимость ρ от температуры системы.

Нередко ρ экспоненциально	Механизм переноса заряда –
связана с 1/T	термически активированный процесс

1. Термоэлектронная эмиссия

Величина барьера понижена вследствие наличия потенциалов сил зеркального изображения и электрического поля.

Эффективная высота потенциального барьера F – напряженность электрического поля

ϕeff = ϕ − Bed 2 − AF

F>>V/L

Основное падение потенциала на зазорах между островками

1ρ ~ T exp(− ϕkTeff )

Механизм предпочтителен при больших расстояниях между островками (d>100Å)

2. Туннелирование

Эффект значителен при d ≤ 20-50 Å

3. Активированное туннелирование

При переходе заряда от одного островка к другому энергия системы возрастает.

Изменение энергии пропорционально e2/(ε0d). Следовательно, чтобы переход совершился необходима активация системы. Число носителей ~exp(-e2/(ε0dkT)).

4. Туннелирование через подложку.

Переход электрона через вакуумный промежуток между островками - не самый оптимальный путь.

Сродство подложки к электрону	Через диэлектрик барьер
χ>0 (чаще всего)	существенно ниже

Препятствием для применения - отсутствие технологии

<<< < Предыдущая 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 5051 / 5351 52 53 > Следующая >>>