- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
Наиболее важная характеристика адсорбционной системы
Определяет
На качественном уровне можно объяснить используя те же приемы, что и в случае молекул
Энергия адсорбции
Величину равновесного покрытия Термическую устойчивость, Каталитическую активность и т.п.
Образование связывающих орбиталей
Есть отличия
Металл - неистощимый резервуар электронов
Образование связи возможно даже в случае полного заполнения валентного уровня.
Электроны переходят с разрыхляющих состояний в металл и не могут больше дестабилизировать систему
Другое отличие |
Усиление роли свободных состояний |
Переход электронов из металла на связывающую орбиталь
Образование прочной хемосорбционной системы
В ряде случаев удобно использовать понятие “поверхностное соединение”
Полезно, особенно если некоторые орбитали поверхностного атома связаны с орбиталями адатома более сильно, чем с соседями
Адсорбция СО на Ni |
мостиковых: O = C < |
Ni |
|
||
Известно строение молекул карбонилов |
Ni |
|
|
|
|
|
линейных O ≡ C - Ni |
|
Энергии и волновые функции известны, остается учесть взаимодействие со свободными электронами
Ограничения 
Энергия орбиталей должна быть вне разрешенных энергетических зон твердого тела.
Получающаяся картина не должна противоречить зонной теории.
Слабое взаимодействие несколько сдвигает и расширяет уровни
При сильном взаимодействии электронные |
Понятие “поверхностное |
|
состояния не имеют ничего общего с |
||
соединение” незаконно |
||
дискретными уровнями |
||
|
Теоретическое рассмотрение поверхностного соединения отличается от теории, рассматривающей простую молекулу
Поверхностное соединение может
содержать нецелое число электронов
Атом является частью объема, необходимо учитывать вклад от свободных электронов.
Является открытой системой, обменивающейся со своим окружением. Постоянной является величина химического потенциала, а не заряд
Важна электронная структуры адчастицы
Десорбция атомов 5d-металлов с граней вольфрама
Максимум зависимости l0/lW от атомного номера соответствует Re
Отклонение лишь у Pt и Au на некоторых гранях
Зависимость еще более оригинальна, если Re сопоставить 7
Точки для других металлов оказываются отстоящими от точки для Re на целые числа: у W и Os - 6. у Та и Ir - 5 и т.д
Можно ввести понятие эффективной валентности В связи адатома с подложкой равноправно участвуют s и d валентные электроны
W ~ 6s25d4 |
2+4=6 |
Re ~ 6s25d5 |
2+5=7 |
Os ~ 6s25d6 |
2+5 -1=6 Шестой d-электрон на антисвязывающей орбитали, |
||
|
компенсирует одну из связей |
|
|
Результаты для Pt и Au
не укладываются в простую схему
Pt ~ 6s0d10, Au - 6s1d10
Валентность 0 и 1
Но
Достаточно небольших затрат энергии, чтобы спровоцировать возбуждение электронов с d-орбиталей на более высоко расположенные s-орбитали.
Pt: 6s0d10→6s2d8 |
Валентность 4 |
Au: 6s1d10→6s2d9 |
Валентность 3 |
Строгие квантово- |
|
Количественное согласие |
|
механические расчеты |
|
оставляет желать лучшего |
|
Некоторые закономерности |
v |
Зависимость l0(Z) для 5d-адатомов, |
|
описываются верно |
|||
|
близка к экспериментальной |
||
|
|
v Правильна последовательность
l0 для щелочных адатомов на металлах Увеличение энергии связи при переходе к более легким атомам (от Cs к Li )
МФП |
E(z) для щелочных атомов на металле |
||
универсальны при подходящем выборе координат |
|||
|
|||
E(z) = l0 E(a), где a = |
z − zp |
λ - длина экранирования Томаса-Ферми |
|
λ |
Характеризует масштабы возмущения металла |
||
|
|||
|
|
||
Имеют некоторое значение полуэмпирические оценки энергии адсорбции |
|||
Хигучи |
Метод МО |
||
|
|
ψi соответствует чисто ионному состоянию |
|
ψс - чисто ковалентное состояние: ci и сk - константы
ψi и ψс ортогональны |
ò |
|
|
|
2 |
2 |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
и нормированы |
|
ψ |
|
|
dτ = ci |
+ ck |
= 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
$ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
ψ i *, ò...dτ |
|
|
H(ciψi + ckψk ) = E(ciψi + ckψk ) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
* $ |
Энергия чисто ионного состояния |
|
|
|
|
||||||||||||||
εi = òψi |
Hψidτ |
|
|
|
|
||||||||||||||
* |
€ |
Резонансный интеграл. |
|
|
|
|
|
||||||||||||
β = òψ i Hψ k dτ |
|
|
|
|
|
||||||||||||||
То же самое, но с ψk* |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Детерминант |
(ε k − E)(εi − E) = β 2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
Исключая β |
|
|
ci2 (E − εi )2 = ck2 (E − ε k )(E − εi ) |
|
|
|
1 |
= 1+ |
E − εi |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
ci2 |
E − ε k |
|
|
|
||||||||||
|
1 |
= 1+ |
E − εi |
|
|
|
|
||
Необходимо оценить |
|
ci , εi , εк, |
|||||||
|
|
ci2 |
E − ε k |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
ci |
- доля ионного состояния |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Дипольный момент системы адатом-подложка связан с переносом заряда.
q = eci2
Дипольный момент |
μ = 2r q = 2ec2r |
r0 - равновесное расстояние |
|
0 |
i 0 |
||
μ - экспериментально, из изменения работы выхода при адсорбции.
εk – энергия связи, если бы связь была чисто ковалентной
Метод, предложенный для вычисления |
|
1 |
|
|
ковалентной связи в молекуле |
ε k = |
[D(A − A) + D(B − B)] |
||
Эмпирическое выражение для |
2 |
|||
либо |
|
|
|
|
энергии связи двухатомных |
εk = |
|
|
|
|
|
D(A − A)D(B − B) |
||
молекул в случае одинарной связи |
|
|
|
|
D(X-X) - энергия связи в молекуле Х2
Оба варианта близки, если D(А-А) и D(В-В) не сильно различаются
é |
1 |
[(D + δ ) + D] = |
D + |
δ |
; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ù |
||||
êср.арифм. = |
2 |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ú |
|||||||
ê |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ú |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
æ |
|
|
δ 2 |
|
ö |
|
δ δ 2 |
||||
ê |
|
|
æ |
|
δ ö |
δ |
|
|
|
ú |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
êср.геом. = |
(D + δ )D = D ç1 |
+ |
|
÷ |
|
ç |
|
- |
|
|
÷ |
= D + |
|
- |
|
+ ...ú |
|||
|
|
|
|
2 |
|
|
|||||||||||||
|
|
= Dç1+ |
2D |
8D |
+ ...÷ |
2 |
8D |
||||||||||||
ë |
|
è |
|
D ø |
è |
|
|
ø |
|
|
û |
||||||||
|
Для многих адсорбатов эта величина D известна |
|
|
|
Металлы |
Из энергии когезии Еког |
|
Модель попарных |
D(M-M)= Еког/(число связей атома на поверхности)≈ |
||
взаимодействий |
≈ Еког/(1/2 числа связей атома в объеме) |
||
гцк |
6 ближайших соседей и 6 следующих |
1/2 числа связей = 6 |
|
оцк |
8 ближайших соседей, 6 более удаленных |
1/2 числа связей = 7 |
|
Учитывая приближенность можно считать D(M-M)≈1/6 Еког
εi |
Энергия в случае, если бы адчастица находилась в |
|
полностью ионизованном состоянии |
|
Работа, необходимая для переноса электрона
от адатома к атому подложки
εi = I − A + εÅ-Æ
I – энергия ионизацию адатома А – сродство к атому подложки.
εÅ-Æ Энергия взаимодействия заряженных атомов
|
e2 |
|
B |
|
|
|
dεÅ-Æ |
|
|
|
= 0 = |
e2 |
|
− |
|
mB |
|
|
e2 |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
εÅ-Æ = − |
|
+ |
|
|
|
|
|
dR |
|
|
|
|
|
|
|
|
B = |
|
R0m−1 |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
R02 |
R0m+1 |
|
||||||||||||||||
R |
|
Rm |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
R=R0 |
|
|
m |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
e2 |
æ |
1 ö |
|
|
|
|
|
|
|
e2 |
æ |
|
1 ö |
|
|
||||||||
ε Å-Æ = - |
|
|
|
ç1- |
|
|
÷ |
ε |
i |
= |
I - A- |
|
|
|
|
ç1 - |
|
÷ |
|
|
|||||
R0 |
|
|
R |
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
è |
|
mø |
|
|
|
|
|
è |
|
mø |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Другая возможность оценки |
Из электроотрицательности |
|
ионной части энергии связи |
||
|
Электроотрицательность |
Способность атома |
|||
притягивать электрон (Полинг) |
||||
|
|
|
||
(xA − xB )2 = D(A− B)− |
1 |
[D(A− A)+ D(B − B)]≡ AB |
||
|
2 |
|
|
|
A, B и С в порядке уменьшения электроотрицательности 
AB + 
BC = 
AC
Эмпирическая величина
По Малликену
M A = 12 (IA − AA )
Удачно
МА – МВ = 2,78( хА – хВ )
H |
|
|
|
|
|
|
2,1 |
|
|
|
|
|
|
Li |
Be |
B |
C |
N |
O |
F |
1,0 |
1,5 |
2,0 |
2,5 |
3,0 |
3,5 |
4,0 |
|
|
|
|
|
|
|
Na |
Mg |
Al |
Si |
P |
S |
Cl |
0,9 |
1,2 |
1,5 |
1,8 |
2,1 |
2,5 |
3,0 |
K |
|
|
Ge |
As |
Se |
Br |
0,8 |
|
|
1,8 |
2,0 |
2,4 |
2,8 |
Rb |
|
|
|
|
|
I |
0,8 |
|
|
|
|
|
2,5 |
Cs |
|
|
|
|
|
|
0,7 |
|
|
|
|
|
|
Электроотрицательность позволяет предсказывать
|
HF |
HCl |
HBr |
HI |
|
|
|
|
|
хА – хВ |
1,9 |
0,9 |
0,7 |
0,4 |
|
|
|
|
|
μ(D) |
1,74 |
1,03 |
0,78 |
0,38 |
|
|
|
|
|
v Дипольный момент молекул
μ ≈ хА – хВ
vДолю ионного характера связи
Р– доля ионного характера связи в процентах
P = 16 xA − xB + 3,5(xA − xB )2
Свойства одного атома, в том числе химические, могут отличаться от свойств кристалла.
Предложение Стивенсона 
Соответственно может отличаться и величина электроотрицательности
хМ = 0,355 ϕ
ϕ - работа выхода поверхности
|
|
|
|
Взаимодействие не 2-х атомов, а атома с |
||||
Металл |
l ,(экспер.) |
l ,(расчет) |
|
|||||
|
0 |
ккал/мол |
0 |
ккал/мол |
|
поверхностью |
||
|
|
ь |
|
ь |
|
Полуэмпирические модели базируются на |
||
Ta |
|
45 |
|
50 |
|
модели попарных взаимодействий |
||
|
|
|
|
|
|
|
В пользу модели. |
|
W |
|
45 |
|
46 |
|
§ В |
||
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
большинстве случаев |
адатом старается |
|
Ni |
|
30 |
|
29 |
|
|||
|
|
|
максимизировать число соседей |
|||||
|
|
|
|
|
|
|||
Fe |
|
32 |
|
32 |
|
|
(011) гцк-кристалла или (001) оцк |
|
|
|
|
|
|
||||
Расположение зависит от размеров |
||||||||
адатома и постоянной решетки подложки О на Fe(001) - в центре ложбины
Длина связи О и Fe во втором слое 2.07 А. Расстояние между О и Fe в первом слое - 2.09 А
Строго - координационное число для О равно 1.
Но разница мала, оправдано говорить о 5 ближайших соседях При меньших размерах адатомов три или даже две связи
Полинг :
связь в кристалле - резонанс между набором структур
§ l0 убывает с уменьшением плотности атомов на грани
Не в пользу попарной модели
§
§
§
Металлы не всегда кристаллизуются в наиболее плотную решетку - гпу
Близость l0 величине энергии связи в химических соединениях из тех же атомов
Энергия связи в карбонилах металла 25÷35 ккал/моль,
Энергия десорбции молекул
СО 27÷34 ккал/моль
Модель требует совпадения потенциального и геометрического рельефов
§Не удается объяснить различие в энергии десорбции с разных граней адсорбента
§Не удается объяснить последовательность изменения энергии активации поверхностной диффузии.
Модель предсказывает для |
Эксперимент – |
|
щелочных адатомов на никеле: |
||
иная последовательность |
||
l0(110)> l0(100)> l0(111). |
||
l0(110)< l0(100)≈ l0(111) |
Диффузия одиночного атома
По попарной модели |
Увеличение энергии адатома |
|
в центре грани, |
||
|
||
|
ее уменьшение у края грани |
|
P0 – вероятность нахождения адатома в центре грани. |
||
P
P0 = exp(− Fi / kT)
Re/W |
W/W |
|
θ >> 0
Методы |
Основной – термодесорбция |
||||||||
ν = n |
m |
|
æ |
l |
( n ) |
ö |
m = |
1 |
...1,2, |
|
C( n )expç |
- 0 |
|
÷ |
3 |
||||
|
|
|
è |
|
|
kT ø |
|
|
|
lnν = const − kTl0
Изобары
Изостеры
Метод атомного пучка
Корреляция со структурными изменениями
Температура повышена, нарушен дальний порядок
Важен не дальний порядок, а ближайшее окружение
Термодесорбционная спектроскопия
