- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
4.2. Полимолекулярная адсорбция
Экспериментальные изотермы в редких случаях соответствуют изотерме Ленгмюра Концентрация в насыщении существенно превышает монослойное
Не оправдываются предположения
Отсутствие взаимодействия частиц
Один центр - одна частица
Последнее устранено в теории, разработанной Брунауером, Эмметом и Теллером
Теория БЭТ
Единственное отличие
Возможность адсорбции частиц поверх уже имеющихся адсорбированных слоев
Случай равновесия |
|
|
|
|
|
|||
θ1 - доля поверхности с монослойным покрытием, |
|
|
||||||
θ2 – покрытие из двух монослоев |
∞ |
|
|
|
||||
|
|
|
||||||
θi - i монослоев |
|
åθi = 1 |
|
|
|
|||
θ0 - доля чистой поверхности. |
|
i=0 |
|
|
|
|||
|
|
∞ |
||||||
Полное число частиц, |
|
n = n *θ1 + 2n *θ2 + L + in *θi + L = n * åiθi |
||||||
находящихся на поверхности |
|
|
|
i=1 |
||||
Динамическое равновесие |
|
Адсорбция – десорбция, но θi=const |
||||||
|
|
|
χ0νθ0 = β1θ1 |
|
|
|
|
|
Уменьшение |
|
Увеличение |
|
|
||||
|
|
Уменьшение |
|
За счет десорбции атомов |
β1θ1 |
|||
|
θ1 |
|
||||||
|
|
из первого монослоя |
||||||
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
За счет адсорбции на первом слое с |
χ1νθ1 |
|||
|
|
|
|
образованием двухслойного покрытия. |
||||
χ1 - коэффициент прилипания частиц к первому монослою
|
|
θ1 |
|
Увеличение |
Адсорбция на |
|
|
|
χ0νθ0 |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
чистой поверхности |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Десорбция адатомов |
β2θ2 |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
из второго монослоя |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
χ1νθ1 = β2θ2 |
|
|
|
β1θ1 + χ1νθ1 = χ0νθ0 + β2θ2 |
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
χ0νθ0 |
= β1θ1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
В общем случае |
|
|
|
|
χ i-1 νθ i-1 |
/ = βi θ i |
|
|
||||||
|
θ |
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Влияние подложки быстро затухает с увеличением покрытия |
|
||||||||||||
Начиная со второго монослоя можно считать, |
|
|
χ1 = χ2 = ...= χi =...=χ |
|||||||||||
что β и χ не изменяются при увеличении θ. |
|
|
β2 = β3 |
=...= βi = ...= β |
||||||||||
Обозначение |
|
x ≡χν/β |
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
||||||||||
θ |
= xθ ; |
θ = xθ = x2θ ; |
θ = xi-1θ |
1 |
||
2 |
1 |
3 |
2 |
1 |
i |
|
|
|
|
|
|
|
θ = xi-1θ |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Атомы первого слоя, контактирующие |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Другие c0 и β1 |
|||||||||||||||||||||||||||||
с подложкой, находятся в особом положении |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
Положим |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(χ0β)/(χβ1)≡ k |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
θi = kxiθ0 |
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∞ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∞ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
θ 0 = 1− åkxiθ 0 = 1− kθ 0 åxi |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
Возможно только |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i=1 |
|
|
|
|
|
|
|
x |
i=1 |
|
θ0 |
= |
|
|
1− x |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
θ |
|
|
= 1− kθ |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
при x ≡χν/β < 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1− x + kx |
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
0 1 |
− x |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∞ |
|
|
|
∞ |
|||
|
Общее число адсорбированных частиц |
|
|
|
|
|
|
|
n = n * åikxiθ 0 |
= n * kθ 0 åixi |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
|
∞ |
i |
|
|
d |
æ |
∞ |
i ö |
|
|
|
d x |
|
é |
|
1 |
|
|
x |
|
ù |
|
|
x i=1 |
|
|
|
i=1 |
|||||||||||||||
|
åix |
|
= x |
|
|
|
ç |
åx ÷ |
= x |
|
|
|
|
|
= xê |
|
|
+ |
|
|
|
|
|
|
ú |
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
dx |
dx 1- x |
|
- x |
(1- x) |
2 |
|
(1- x) |
2 |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
= |
1 |
|
|
|
è |
= |
1 |
ø |
|
|
|
|
ê1 |
|
|
ú |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
i |
|
|
|
|
|
|
i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ë |
|
|
|
|
û |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
n = n * |
|
|
|
1- x |
|
k |
|
|
x |
= n * |
|
|
|
|
kx |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
(1- x + kx) |
(1- x)2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
(1- x + kx)(1- x) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
Обычно энергия |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
адсорбции и |
|
|
|
|
|
|
|
Вид изотермы определяется |
коэффициент |
|
|||
величиной k. |
прилипания в |
|
|||
|
|
|
|
первом монослое |
|
|
|
|
|
выше |
|
|
|
|
|
k>1 |
|
|
|
|
|
k£2 |
Случай «а» |
k³2 |
S-образная зависимость→ «б» |
|
|
||
Теории БЭТ подчиняется сравнительно |
Неоднородность поверхности, |
|
узкий круг систем, причем обычно в |
||
взаимодействие между адчастицами |
||
ограниченном интервале давлений |
||
и т.п. приводит к отклонениям |
||
Еще более сложные зависимости |
||
Капиллярная конденсация – «в», «г» |
||
в случае пористых поверхностей |
||
|
