- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
G[n(r)] можно разложить в ряд по степеням малых величин n~(r )
r |
r |
~ |
r |
|
r r/ |
|
~ |
r |
r/ |
|
/ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
(r )dτ + òK( |
r − r |
|
(r )n(r )dτdτ |
|
|
|
|
||||||
G[n(r )] = G[n]+ òH (r )n |
|
)n |
|
|
|
|
|||||||||
Система инвариантна по |
H(r) - константа |
|
|
Второй член суммы |
|||||||||||
отношению к повороту |
|
|
|
обращается в нуль |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
K(|r-r/|) можно разложить |
|
|
|
|
K( |
r |
r |
|
r |
r |
r |
r |
|||
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
r |
− r / |
)= òK(q)exp(iq(r |
− r |
/ ))dq |
|||||||
в ряд Фурье |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
K(q) точно может быть выражено через статическую диэлектрическую проницаемость однородного электронного газа
r |
2π |
1 |
K(q)= |
q3 |
r |
|
σ (q)−1 |
Особенность K(q) |
Не аналитичность при q→2kF |
Связана с наличием резкой границы в k-пространстве при k=kF
Наличие дальнодействующих Следствие
осцилляций электронной
плотности Осцилляции Фриделя
Следствие волновой природы электронов, результат интерференционных процессов.
n(r)~ |
cos(2kF r) |
В случае сферической формы |
(kF r)m |
поверхности Ферми m=3 |
3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
Более интересный случай |
Но - в случае реальных металлов требование |
|||
для физики поверхности |
невысокой скорости изменения n(r) |
|||
|
|
выполняется плохо |
|
|
G[n(rr)] = òg[n(rr)]dτ |
|
Ряд по степеням градиента плотности |
||
g[n(r )] |
Инвариантна относительно |
Нечетные степени |
||
должны отсутствовать |
||||
|
поворота системы координат |
|||
(скаляр)
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Локальное |
Величина коэффициентов в любой точке пространства |
|||||
приближение |
считается функцией только от значения плотности |
|||||
|
электронного газа именно в этой точке и не зависит от |
|||||
|
величины плотности в других точках |
|||||
Не функционал, а просто функция координаты - g(n(r)).
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
g0(n) |
плотность не электростатической |
известна из теории |
||||||
энергии однородного газа |
электронного газа |
|||||||
|
||||||||
g0 (n(r))= [t0 (n)+ ε0x (n) + ε0c (n)]n(r)
t0(n) - средняя кинетическая энергия, приходящаяся на одну частицу однородного электронного газа с плотностью n
ε0x и ε0с , соответственно, средние Хартри-Фоковская обменная и корреляционная
. энергии, приходящиеся на одну частицу
t0(n)
(p) 
Вероятность того, что импульс электрона имеет значение
в интервале p ÷ p+dp,
Отношение числа состояний в шаровом слое в пространстве импульсов к полному числу заполненных состояний
рF - импульс электронов на уровне Ферми
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
pF |
|
|
|
|
p |
2 |
pF |
4 |
|
|
3 |
|
|||
Средняя кинетическая энергия |
t0 (n) = ò |
Â( p)dp × |
|
= ò |
|
3p |
dp = |
pF2 |
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
3 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
3 |
(3π 2n)23 |
|
1.105 |
0 |
2 |
0 |
|
2 pF |
|
10 |
|
|||||||||||||||
|
t |
0 |
( n ) = |
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
10 |
|
|
r2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
s |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Вычисление средней обменной энергии более сложно,
Самое важное – |
|
зависимость от концентрации |
Из соображений размерности |
|
Обменная энергия –выигрыш в кулоновской энергии за счет более удаленного размещения электронов друг от друга.
|
х |
Должна совпадать |
|
2 |
2 |
Размерность ε0 |
e |
|
[ML T 2 ] |
||
|
с размерностью |
|
|||
|
|
|
r |
|
|
Пусть |
|
|
[ 2 |
] |
[ |
] |
= |
[ML3 |
|
] |
|
|
Размерность |
e |
|
~ энергия× L |
|
|
T 2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
[n]~ [L−3 ]
[ML2 T 2 ]~ [ML3 T 2 × L−3S ] |
|
2 = 3 – 3s |
||||
Из теории однородного |
x |
= - |
3 |
æ |
3n ö13 |
|
ε0 |
4 |
ç |
÷ |
|||
электронного газа |
|
|
è |
π ø |
||
ε c |
= - 0.44 |
|
||||
|
|
|||||
|
0 |
|
7.8 + rs |
|
||
|
|
|
||||
Нельзя пренебрегать последующими членами градиентного разложения.
Особенно важна поправка к кинетической энергии t2(n).
s = 13 
= - 0.458 rs
Получено Вигнером.
Иначе одинаковое для всех систем значение ϕ =1,3 эВ
λ зависит от концентрации
От 1 (большой rs )
Чаще - λ=1/9
до 1/9 (rs ~2)
Поправками к обменной и корреляционной энергиям, и более высокого порядка обычно пренебрегают.
