- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
4.3.3. Химическая связь
Атомы образуют прочные соединения - молекулы
Вопросы
Почему одни атомы способны объединиться, а другие - нет Чем вызываются силы, удерживающие их Какова величина энергии связи
Ответ |
Можно получить рассчитав электронную структуру образований |
||
|
|||
|
Аналитически задача решается полностью только в случае |
||
|
простейших атомов H и He |
|
|
Два приближения |
Метод молекулярных орбиталей (ММО |
||
Метод валентных связей (МВС). |
|||
|
|
||
4.3.3.А. Метод молекулярных орбиталей
Как и в случае атома 
Одноэлектронное приближение
Движение данного электрона в некотором усредненном поле, создаваемом ядрами и остальными электронами.
Каждому электрону
Волновая функция ψ Молекулярная орбиталь
соответствует |
Собственное значение энергии |
|
Разрешенные орбитали заполняются двумя электронами на каждую, начиная с наинизшего.состояния
Отличие от атома |
Многоцентровая задача |
Двухатомная молекула АВ |
|
|
|
|
Не участвуют в |
Электроны внутренних |
||
оболочек |
образовании |
|
|
|
химической связи |
Вид их волновых функций и собственные значения энергии сохраняются после образования химической связи
Рассматриваем только внешнюю, валентную, орбиталь Пусть на ней только один электрон.
Около ядра А
Значение гамильтониана преимущественно определяется свойствами остова А
Молекулярная орбиталь ψ не должна значительно отличаться от ψА свободнго атома А
Около ядра В |
ψ должна быть близка к ψВ. |
Метод линейной комбинации атомных орбиталей (ЛКАО)
ψ = сАψА + сВψВ |
сА и сВ - коэффициенты, которые необходимо найти |
|
€ |
|
|
H (cAψ A + cBψ B )= E(cAψ A + cBψ B ) |
||
Вариационный принцип Ритца |
||
|
$ |
Основному состоянию отвечают ψ, |
E = |
òψ * Hψdτ |
обеспечивающие минимальное |
òψ *ψdτ |
значение собственной энергии |
|
Умножаем уравнение Шредингера слева на ψ*, интегрируем по всему пространству
Появляются
интегралы ò $
Ei = ψi * Hψidτ
β ≡ òψ A * Hψ Bdτ S ≡ òψ A *ψ Bdτ
Ei близка к значению энергии электрона в основном состоянии свободного атома
Резонансный интеграл
Интеграл перекрывания
cA2 EA + 2cA cB β + cB2 EB = E(cA2 + 2cA cB S + cB2 ) |
E = |
cA2 EA + 2cA cB β + cB2 EB |
|||||
(cA2 + 2cA cB S + cB2 ) |
|||||||
|
|
|
|||||
|
|
|
∂E |
|
∂E |
||
Требование минимальности энергии |
|
∂cA |
= ∂cB = 0 |
||||
|
|
|
|
|
|
||
Секулярные или вековые уравнения
Чтобы система имела решение, необходимо равенство нулю детерминанта
Левая часть ≡ f(E)
Пусть ЕА < EB
Решение - точки пересечения f(E) с осью абсцисс
При энергиях ЕА и EB → f(E)<0
Решения уравнения справа от EB и слева от ЕА
Энергетический промежуток между собственными значениями, отвечающим комбинированной волновой функции, оказывается больше.
Уровни «отталкиваются» друг от друга.
Два решения для комбинированной ψ.
Одно ниже, другое - выше Промежуток зависит от расстояния
между ядрами R
ЕА(R) и EB(R) не пересекаются
ЕА(R) и EB(R) пересекаются
Собственные значения Е, соответствующие комбинированной ψ, не равны друг другу вследствие взаимного отталкивания уровней
Правило справедливо |
Правило непересечения |
|
и для многоатомных молекул |
||
Справедливо, когда ψА и ψВ |
||
|
||
|
имеют одинаковую симметрию. |
|
При разной симметрии |
Энергия комбинированной волновой |
|
β и S равны 0 или малы |
||
функции не отличается от ЕА и EB |
||
|
Двухатомная молекула |
|
|
|
Гомоядерная молекула |
||
с одинаковыми ядрами |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
Простейшая система - Н2+ |
|
|
|
EA= EB= EH |
β |
|
|
|
( |
) |
|
EH m |
|
E |
|
- E = ± |
β - ES |
|
|
|
H |
E = 1 m S |
|
||||
Дважды вырожденный уровень расщепляется на два.
|
|
|
|
Минимум при R=R0 |
|
|
|
Нижний уровень |
|
||
|
|
|
Энергия связи l0. |
||
|
|
|
|
||
|
|
|
|
||
|
|
Устойчивое |
Связывающая |
||
|
|
молекулярная орбиталь |
|||
|
|
состояние |
|||
|
|
|
|||
|
|
|
|
||
|
|
Верхний уровень |
|
||
|
|
|
|
Разрыхляющая или |
|
Молекула неустойчива, |
|||||
антисвязывающая |
|||||
самопроизвольно |
|||||
молекулярная орбиталь |
|||||
распадается |
|||||
|
|||||
Антисвязывающая смещена больше, чем связывающая |
|||||
Образование химической связи в молекуле Не2 |
не возможно |
|
|
|
|
|
|||||||||||||
cA = ±1 |
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Молекулярный ион водорода cB |
ψ |
b |
= |
|
|
|
|
|
ψ |
A |
+ ψ |
B ) |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
Связывающее состояние |
|
|
2 |
+ 2S |
( |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Разрыхляющее состояние |
ψ |
|
= |
|
|
1 |
|
|
|
|
ψ |
|
− ψ |
B ) |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
ab |
|
|
|
|
|
2 − 2S ( |
|
A |
|
|
|||||||
Связывающая МО
Заряд электрона в большей степени сконцентрирован в середине между ядрами, чем при простой суперпозиции электронных плотностей.
Протяженность связывающей МО в направлении, перпендикулярном оси молекулы, не велика Ее “эффективная” толщина меньше равновесного межъядерного расстояния.
Антисвязывающая МО
Электронная плотность «выталкивается» из середины между ядрами
Плоскость, проходящая через середину, является узловой
При пересечении плоскости ψ изменяет знак
Обе МО симметричны относительно |
σ-орбитали |
|
|
вращения вокруг оси молекулы |
|
||
|
|
||
Связывающая МО симметрична |
g - четная /gerade/ |
σg1s |
|
относительно центра молекулы |
|||
|
|
||
Разрыхляющая – антисимметрична |
u - нечетная /ungerade / |
σu*1s |
Химическая связь
Электронная плотность концентрируется в области между ядрами
Кулоновская энергия оказывается
больше, поскольку взаимодействует
с обоими ядрами, а не с одним
Несколько повышается кинетическая энергия электрона. Поперечное сжатие электронного облака приводит к уменьшению объема, в котором находится электрон
МО, симметричные относительно вращения вокруг оси молекулы называют σ- орбиталями, а не имеющей таковой - π-орбиталями
Иногда указывают, из каких атомных орбиталей они образованы. Чтобы выделить разрыхляющие орбитали, ставят значок *.
Электронная структура молекулы N2 |
|
|
|
|
Атом азота |
7 электронов |
1s22s22p3 |
||
|
При образовании молекулы |
|
|
|
|
ψ внутренних |
Перекрытие |
β, S ≈ 0 |
|
|
электронов не |
|||
|
пренебрежимо |
|||
измененяются мало
2s-орбитали
p-орбитали
Обеспечивают связь Молекула О2
Еще 2 электрона
связывающая σ2s |
Полностью |
разрыхляющая σ*2s |
заполнены |
Повышение энергии
Cвязывающие
σ2р, πy2p, πz2p |
Заполнены |
Разрыхляющие
σ*2р, πy*2p, πz*2p
Пустые На π*2py,z
Связь слабее
