- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
4.8. Изменение работы выхода
При адсорбции - изменение работы выхода |
|
Понижающие работу выхода |
Электроположительные адсорбаты |
Повышающие работу выхода |
Электроотрицательные адсорбаты |
|
Особенности
При 0<θ<0,1÷0,2 линейная зависимость Δϕ (n)
При дальнейшем увеличении количества адчастиц - отклонение от линейности
У ярко выраженных электроположительных адсорбатов (щелочные, щелочноземельные, редкоземельные атомы) наблюдается минимум на зависимости Δϕ(n).
Минимальное значение ϕ - оптимальная работа выхода
Соответствующая концентрация – оптимальная концентрация
При θ ≈ 1 насыщение ϕ, соответствует работе выхода массивного адсорбата.
Иногда после минимума небольшой максимум
Разупорядочение (переход порядок-беспорядок)
не изменяет ϕ
Детальное исследование ϕ(n) 
Работа выхода определяется ближним порядком, который сохраняется при нарушении дальнего
Можно выделить участки, на которых работа выхода изменяется практически линейно
Связано с изменением структуры адслоев
Не удается однозначно интерпретировать ход ϕ(n)
Дипольная модель
Ленгмюр
Адсорбция молекул с постоянным дипольным моментом
При малых n
Сетка из диполей
Взаимодействие пренебрежимо мало
Молекулы ориентированы одинаковым образом вследствие сильного влияния подложки
Можно заменить плоским конденсатором, обкладки которого находятся друг от друга на расстоянии, равном длине диполя d
Напряженность электрического поля |
F=4πσ=4πne, |
||
d |
d |
4πnedz = 4πn(ed)e = 4πnμe |
m- нормальная компонента |
ϕ = e V = eò |
Fdz = eò |
дипольного момента |
|
0 |
0 |
|
|
Дискретность сетки не влияет, если электрон уходит на расстояния, превышающие расстояние между адсорбированными частицами
Эти же представления могут быть справедливыми и при адсорбции атомов
При n > 0 |
Dϕ = 4πNμeæ |
32 |
ö |
Гексагональная |
С=8,894 |
|
ç1+ Cαn |
|
÷ |
решетка |
|
|
è |
|
ø |
|
Модель де Бура
В результате обмена зарядами частица приобретает заряд
Адатом в ионизованном состоянии + зеркальное изображение = Диполь
Более вероятно → адатом имеет дробный заряд
Адатом в асимметричных условиях
Химсвязь приводит к смещению электронной плотности в область между атомом и твердым телом
Равносильно появлению у адсистемы дипольного момента
Можно пытаться предсказать направление Δϕ используя электроотрицательность
При адсорбции N на W ϕ уменьшается Не всегда верно хотя электроотрицательность N (3,0)
больше, чем у W (1,6). При q ³ 0,1¸0,2 отклонение от линейности
Взаимное влияние диполей |
Изменение ориентации диполей |
|
Изменение величины дипольного момента
Наведенный заряд создает поле, которое поляризует частицу
Наиболее полная форма - В.М.Гаврилюк
Предположения
Адатом в частично заряженном (γe)
состоянии
Обладает жестким дипольным моментом μ10
Перераспределение электронной плотности в металле, что равносильно зеркальному изображению
Учитывается введением дополнительного
дипольного момента μ1 и его зеркального изображения
Направление μ противоположно μ . |
μeff=μ0-2μ1 |
|
1 |
0 |
|
При n>>0 возникает |
|
эффективного заряда |
Изменение |
равновесного расстояния |
|
электрическое поле |
|
величины μeff |
Большое количество |
Дипольный момент μ0 |
параметров |
Величина заряда адчастицы γ |
|
Равновесное расстояние d |
|
Поляризуемость |
|
Закон изменения d при изменении γ и т.п. |
|
Расположение адчастиц на поверхности. |
Δϕ(n) и l(n) - сложные функции многих параметров, большинство из которых не поддаются экспериментальному определению
Дипольная модель в какой-то степени оправдана в случае небольших концентраций адсорбата (θ <0,3 - 0.5), при которых еще можно не учитывать прямого химического взаимодействия между частицами.
Факт пространственного разделения зарядов в системе адатом-металл не вызывает сомнений
Наиболее прямое |
Эксперименты Наумовца с сотр. по изучению |
доказательство |
равновесной концентрации адсорбата |
|
в сильном неоднородном электрическом поле |
При наличии у адатомов дипольного момента энергия зависит от напряженности поля
αaд - поляризуемость частицы в адсорбированном состоянии
Равновесное распределение адатомов вдоль острия зависит от F
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Близость к линейности l(F) |
Подавляющая роль “жесткого” |
||||
дипольного момента |
|||||
|
|||||
Поляризуемость значительно |
Электронная структура частицы, |
||||
деформированная полем подложки, |
|||||
меньше, чем у свободного атома |
|||||
менее чувствительна по отношению |
|||||
|
|||||
|
к внешним воздействиям |
||||
μ и ее изменение с концентрацией адсорбата соответствуют Δϕ(n)
Единая адсорбционная система искусственно разделяется на адчастицу и подложку, не ясно, по каким принципам
Центральное предположение модели - возможность использования модели сил зеркального изображения даже в том случае, когда адатом находится на поверхности
Формирование величины ϕ сложно. Включает в себя как обменно-корреляционное взаимодействие, так и изменение потенциала из-за перераспределением электронной плотности на поверхности
Сведение воздействия адатома только к появлению дополнительного электрического поля слоя диполей является сильным огрублением реальной картины
Наличие адатомов |
Форму обменно-корреляционной дыркой, |
должно изменить |
Величину двойного слоя (растекание, сглаживание) |
|
Электронную структуру в поверхностной - области (например, появление или исчезновение
поверхностных состояний), что также отразится на величине обеих составляющих работы выхода.
При θ→1 не учитывается перекрытие электронных оболочек соседних атомов и вызываемая этим металлизация слоя в случае металлических адсорбатов.
В дипольной модели игнорируется вклад ковалентной связи
Живучесть дипольной модели обусловлена ее простотой и наглядностью
Модель Лэнга
Достоинство |
Адсорбционная система рассматривается как единое целое |
|
|
Модель желе |
Нет необходимости использовать ЗСЗИ, |
|
Адслой заменяется однородно распределенным положительным зарядом п+.
ìns ; |
z < 0 |
ï |
0 < z < d |
n+ = ína ; |
|
ï |
z > d |
î0; |
d – толщина слоя адсорбата
равна межплоскостному расстоянию
При концентрации меньше монослойной
Адпленка по-прежнему в виде однородной
пластины с той же шириной что и в случае монослойного покрытия.
Концентрация положительного заряда
Для одновалентных адатомов na = n/d.
При θ=1
Ширина адпластины >> ширины области, в которой происходит основное изменение электронной плотности
Понижение θ |
Уменьшение концентрации |
|
электронного газа |
||
|
||
Дальнейшее |
Сказывается наличие подложки |
|
с высокой плотностью |
||
понижение θ |
||
электронов, |
||
|
Работа выхода не отличается от ϕ массивного адсорбата.
Понижение величины работы выхода
Увеличение ϕ
Теория правильно |
Работа выхода в минимуме возрастает |
|
с увеличением концентрации |
||
передает тенденцию |
||
электронов в адсорбированном слое |
||
|
Вопрос о том, начиная с каких концентраций адсорбата возможно использование модели Лэнга, не ясен
При малых покрытиях возможность замены дискретной решетки на однородную пластину не вызывает доверия
При n=nопт |
Не только минимальное значение ϕ |
Но и |
Резкое изменение энергии десорбции. |
|
Появляются характеристические потери энергии |
|
электронов, соответствующие возбуждению |
|
плазмонов в адсорбате. |
Энергии потерь на возбуждение близки к тем, которые наблюдаются в случае массивных адсорбатов, причем не только поверхностных, но и объемных плазмонов.
Наличие плазменных колебаний |
В пленке образуется |
|
в пленке означает |
||
обобществленный электронный газ |
||
|
||
Сидорский предположил |
nопт - концентрация, при которой |
|
|
свойства адпленки вдоль поверхности |
|
|
приобретают металлический характер |
|
|
Происходит переход Мотта |
Переход Мотта
Переход из неметаллического состояния в металлическое Цепочка одновалентных атомов
При некотором критическом расстоянии между атомами происходит металлизация слоя вследствие обобществления электронов проводимости
Критической является постоянная цепочки равная четырем радиусам атома,.
В случае адсорбции Cs |
При оптимальном покрытии соотношение |
|
значительно меньше - 2.5 (as=6Å, rCs=2.62 Å) |
Но наивно требовать, чтобы наличие поверхности не повлияло бы величину критического расстояния.
Поляризация адатома подложкой или уменьшение электронного заряда на
адатоме несомненно должно затруднить переход в металлическое состояние
