- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
Физико-химические свойства адсорбционных систем зависят от концентрации адсорбированных частиц 
§
§
ϕ = ϕ (n), l = l (n),
|
|
§ Структура |
|
|
ϕ (n) |
||
|
|
ϕ ~ n |
|
Малые θ |
|||
θ > 0.1...0.2 |
Отступление от |
||
пропорциональности |
|||
|
|
||
Изменение электронного состояния адчастиц вследствие их взаимодействия
Другая особенность
Стабилизация работы выхода на уровне ϕ массивного адсорбата при достижении монослойного покрытия
Один сплошной слой атомов полностью экранирует влияние подложки
l0(n) |
|
Некоторое понижение l при малых θ |
||||
|
|
|
|
|
0 |
|
|
Относительная стабилизация |
Уменьшение, часто быстрое, |
||||
|
при приближенииθ к единице |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Стабилизация l0 |
на уровне, соответствующем |
|||
|
|
энергии сублимации адсорбата, при θ=1. |
|
|||
|
|
|
|
|
Упорядоченное |
Явно указывает на |
|
Структура |
|
||||
|
|
расположение |
взаимодействие |
|||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
||
Механизмы латерального взаимодействия
Две группы:
Прямое взаимодействие
Прямое взаимодействие
Непрямое или косвенное взаимодействие
Имеет место даже при отсутствии поверхности (при условии сохранения электронного состояния адчастиц, например, μ и т.п.).
Силы как физической, так и химической природы |
|
1 |
|||
vСилы Ван-дер-Ваальса |
Короткодействующие |
~ |
|||
R |
6 |
||||
|
|
||||
|
|
|
|
||
Энергия не велика, но могут играть заметную роль при физической адсорбции, когда поверхность имеет неглубокий потенциальный рельеф
v Диполь-дипольное взаимодействие
Энергии взаимодействия двух изолированных диполей
При произвольной ориентации диполей
В случае адсорбции атомов в центрах высокой симметрии μ//=0
|
r |
r |
|
r r |
U AB = |
3(μAR)( |
μBR) |
− |
(μAμB) |
R5 |
|
R3 |
||
|
|
|
||
R − параллелен |
поверхности |
|||
2μA||μB|| − μA μB
U AB = R3
U AB = − μA μB
R3
Энергия взаимодействия двух диполей с учетом их зеркальных изображений
U (s) |
= |
1 |
U |
AB |
+ U |
|
* + U |
* |
|
+ U |
* * |
} |
|
|
AB |
B |
|||||||||||
AB |
|
2 |
{ |
|
|
|
A |
|
A B |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Если R >> расстояния |
|
|
|
|
|
|
(s) |
|
|
|
2μ A μB |
||
между диполем и его |
|
|
|
|
U AB |
= − |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
R3 |
|
|||||||
зеркальным изображением |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Полная энергия после суммирования по всем парам диполей
Eвзаим (квадр.реш.) = 2μ2 åRAB−3 = |
2μ3 |
2 |
åå+∞ +∞ (m2 + n2 )−32 = 2μ2n32 9.033623 |
|
a |
|
−∞ −∞ |
Взаимодействие - дальнодействующее |
Сильное воздействие на |
|
адсорбционные системы. |
||
|
μ-μ взаимодействием проще всего объяснить изменение свойств с концентрацией
Электрическое поле диполей
vСилы химической природы
Уменьшает дополнительный заряд или деформацию электронной оболочки
Отталкивание, атомы стремятся расположиться на максимальном удалении друг от друга
Уменьшение энергии десорбции с ростом концентрации
Короткодействующие. Быстро затухают при увеличении расстояния между атомами
Существенны при контакте адчастиц
Величина и направленность химических связей могут драматически изменяться под воздействием поверхности.
Например - диссоциация молекул при адсорбции
Непрямое взаимодействие - взаимодействие через подложку
Модель Гримли |
2 атома на умеренном |
|
расстоянии друг от друга |
Далеко от |
ψ быстро уменьшаются с |
поверхности |
удалением от своих ядер |
На поверхности |
Возможен обмен |
|
через металл |
ψ - осциллирующие функции, распространяющиеся на большие расстояния от центров атомов
Перекрытие приводит к электронному взаимодействию адатомов
Подложка - агент, с помощью которого осуществляется обмен электронами между адатомами
Другой вариант объяснения
Eвзаим ~ |
cos(2kF r) |
|
(2kF r)m |
||
|
Случай свободных электронов 
Осцилляции электронной плотности (Фриделя), распространяющиеся на большие расстояния.
Изменение энергии взаимодействия соседнего атома с поверхностью
kF -волновой вектор на уровне Ферми
m зависит от электронной структуры металла.
Поверхность Ферми |
m=3 |
|
сферическая |
||
|
Взаимодействие электронных |
Изменение расщепления |
состояний адатомов вызывает |
и смещения |
Энергия непрямого взаимодействия невелика, ~ десятки мэВ.
Методы
АИМ
СТМ
Осаждают несколько атомов, следят за их перемещением
Вероятность взаимного расположения адатомов определяется потенциальным рельефом поверхности и латеральным взаимодействием.
