Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
246
Добавлен:
22.08.2013
Размер:
6.91 Mб
Скачать

GaAs (110)

W (111) 4f 7/2

3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности

Основная трудность

Неоднородность системы

Необходимо самосогласованное решение

Прогресс достигнут при использовании метода функционала плотности

3.9.1. Желе-модель металла

Модель свободных электронов на удивление хорошо описывает свойства металлов.

Форма поверхности Ферми

Близка к сферической

Поверхность в пространстве импульсов, отделяющая занятые при 0 К состояния от свободных

Влияние периодического потенциала на энергетические состояния электронов относительно мало

Метод ортогонализованных

Волновые функции электронов проводимости

должны быть ортогональны к

плоских волн

волновым функциям электронов остовов ионов

 

Эффективный отталкивающий потенциала в области остова ионов

Псевдопотенциал

U (r) = − Zr θ (r rc )

rc - параметр, θ(x) - функция Хэвисайда:

ì1,

x > 0

θ (x) = í

x < 0

 

î0,

Эффективный потенциал

Оправдывает использование

не столь сильно модулирован

приближения слабого возмущения, даже

 

модели свободных электронов.

Модель “желе” Совокупность валентных электронов и ионов

Ионы заменяются положительно заряженным однородным фоном.

Плотность фона равна плотности электронного газа.

Плотность положительного заряда постоянна вплоть до поверхности

n+ (z) = n,z < 0

n+ (z) = 0,z > 0

Электроны движутся в желе из положительного заряда,

lim n(z) = n

z→−∞

lim n(z) = 0

z→+ −∞

В целом система электронейтральна

Модель «желе» - существенное упрощение

Единственная характеристика металла

Радиус сферы Вигнера-Зейтца

ÑИсчезает анизотропия металлов

ÑТеряется зонная структура

 

 

 

n −концентрацияэлектронов

r

æ

3 ö 13

= ç

 

÷

 

s

è

4πn ø