- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
GaAs (110)
W (111) 4f 7/2
3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
Основная трудность |
Неоднородность системы |
Необходимо самосогласованное решение
Прогресс достигнут при использовании метода функционала плотности
3.9.1. Желе-модель металла
Модель свободных электронов на удивление хорошо описывает свойства металлов.
Форма поверхности Ферми
Близка к сферической
Поверхность в пространстве импульсов, отделяющая занятые при 0 К состояния от свободных
Влияние периодического потенциала на энергетические состояния электронов относительно мало
Метод ортогонализованных |
Волновые функции электронов проводимости |
|
должны быть ортогональны к |
||
плоских волн |
||
волновым функциям электронов остовов ионов |
||
|
Эффективный отталкивающий потенциала в области остова ионов
Псевдопотенциал
U (r) = − Zr θ (r − rc )
rc - параметр, θ(x) - функция Хэвисайда: |
ì1, |
x > 0 |
θ (x) = í |
x < 0 |
|
|
î0, |
Эффективный потенциал |
Оправдывает использование |
не столь сильно модулирован |
приближения слабого возмущения, даже |
|
модели свободных электронов. |
Модель “желе”
Совокупность валентных электронов и ионов
Ионы заменяются положительно заряженным однородным фоном.
Плотность фона равна плотности электронного газа.
Плотность положительного заряда постоянна вплоть до поверхности
n+ (z) = n,z < 0
n+ (z) = 0,z > 0
Электроны движутся в желе из положительного заряда,
lim n(z) = n
z→−∞
lim n(z) = 0
z→+ −∞
В целом система электронейтральна
Модель «желе» - существенное упрощение
Единственная характеристика металла
Радиус сферы Вигнера-Зейтца
ÑИсчезает анизотропия металлов
ÑТеряется зонная структура
|
|
|
n −концентрацияэлектронов |
r |
æ |
3 ö 13 |
|
= ç |
|
÷ |
|
|
|||
s |
è |
4πn ø |
|
