- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
Корреляция Энгеля
Натрий |
|
Электронная конфигурация |
|
|
1s22s2p63s1 ≡ [Ne]3s1 |
||
|
|
||
Один валентный |
|
Связь с восьмью |
|
электрон |
|
||
|
атомами |
||
|
|
||
Объемоцентрированная кубическая решетка |
|||
Магний |
Конфигурация в основном состоянии - [Ne]3s2 |
||
На внешней орбитали |
Не может вступать в химическую связь |
||
два электрона. |
|||
|
|||
[Ne]3s2 |
|
[Ne]3s1p1. |
|
~80 ккал/моль (~3.5эВ)
Способен установить связь с 12 атомами
Гексагональная решетка
Алюминий.
[Ne]3s2p1
В образовании связи может принять участие только один р-электрон,
[Ne]3s2p1 |
[Ne]3s1p2 |
~83 ккал/моль
В образовании связи участвуют три электрона.
Гранецентрированная кубическая решетка
(имеет 12 ближайших соседей)
Корреляция Энгеля - структура металлов определяется числом электронов на валентных орбиталях, способных участвовать в образовании связи, и энергетическим зазором между основным и возбужденным состояниями.
Один валентный электрон |
Объемоцентрированная кубическая решетка |
Два валентных электрона |
Гексагональная решетка |
Три валентных электрона |
Гранецентрированная кубическая решетка |
|
d-электроны не влияют на структуру. Их наличие отражается только на энергии связи.
Кажется, что имеется слишком большое число отклонений
Внимательное рассмотрение показывает, что необходимо учитывать возможность изменения валентности при образовании массивных тел
Элемент |
Энергия перехода в возбужденную |
Структура |
|
||
|
электронную конфигурацию (ккал/моль) |
|
|
||
|
sp2 |
d1s1p1 |
d2s1 |
по Энгелю |
наблюдаемая |
|
|
|
|
|
|
Al(s2p) |
83 |
190 |
Очень большая |
III |
III |
|
|
|
|
|
|
Sc(d1s2) |
Большая |
45 |
33 |
I или II |
II(T=200C), |
|
|
|
|
|
I(Высокая Т) |
Y (d1s2) |
Большая |
43 |
31 |
I или II |
II(T=200C), |
|
|
|
|
|
I(Высокая Т) |
|
Большая |
40 |
6 |
I или II |
II(T=200C),I или III |
|
|
|
|
|
(Высокая Т) |
Au |
Конфигурация атома |
5d106s1 |
При образовании твердого тела электронное состояние изменяется.
5d106s1 |
5d86s1p2 |
3 валентных электрона, |
|
гранецентрированная кубическая решетка |
|||
|
|
Легко спровоцировать возбужденную |
2 валентных электрона, |
|
конфигурацию 5d96s1p1, |
||
гексагональная плотноупакованная |
||
требуется 1,1 эВ |
||
решетка. |
||
|
Изменение окружения, происходящее при образовании поверхности, может стимулировать изменение валентного состояния
Для возбуждения в случае атомов Cu и Ag требуется значительно большая энергия
На поверхности возможно изменение валентности и, соответственно, химических свойств атомов
