- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
При увеличении толщины пленка |
Механизм электропроводности близок к |
становится сплошной |
существующему в объемных материалах |
Но - удельное сопротивление значительно больше, чем у объемных материалов.
В пленках с толщинами, сравнимыми с длиной свободного пробега, важно рассеяние электронов на поверхности.
Размерный эффект
Количественно решение дано Чемберсом на основе кинетического уравнения Больцмана
Функция распределения электронов
f ( v,r,t ) |
Число электронов в момент времени t в объеме |
r,r + dr |
имеющих скорость в интервале v,v + dv |
|
|
|
|
Кинетическое уравнение Больцмана
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
F и H – напряженности |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
электрического и магнитного поля |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∂f |
|
|
|
|
|
Изменение распределения со временем |
|||||
|
∂t |
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
Изменение числа частиц в данном элементе объема за счет |
||||||
|
vÑr |
f |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
прихода из окружающих областей |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
e æ |
v´ H ö |
|
|
|
|
За счет изменения скорости под действием |
||||||
|
çF + |
|
÷ |
×Ñv f |
|
|
||||||
|
c |
|
|
|||||||||
m è |
ø |
|
|
|
|
сил со стороны внешних полей. |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Справа находится величина, отражающая изменение функции распределения за счет рассеяния
В стационарном случае устанавливается |
∂f |
= 0 |
стабильное значение функции распределения |
∂t |
|
Допустим |
Толщина пленка 2d << L |
|
Магнитное поле отсутствует (Н=0) |
|
Электрическое поле однородно |
и действует вдоль оси х (F≡Fx)
Отклонение f от равновесной функции распределения f0, соответствующей отсутствию внешних полей, не велико.
Удобно искать в виде
f = f0 + f1, 
f1 - отклонение функции распределения от равновесия
Приближение времени релаксации
∂ f |
|
|
= |
∂ ( f0 + f1 ) |
|
= |
∂ f1 |
|
|
≡ − |
f1 |
τ- время релаксации, |
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
считается константой |
|||||||
∂ t |
|
|
|
|
|
τ |
||||||
|
столк |
|
∂ t |
|
столк |
∂ t |
|
столк |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
¶f |
|
e æ |
v´ H ö |
|
¶f |
|
|
|
|
|
|
||
|
= -vÑr f + |
|
çF + |
|
÷ |
×Ñv f + |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
¶t |
|
m è |
c |
ø |
|
¶t |
|
столкн |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Физический смысл t можно установить рассматривая процесс установления статистического равновесия
Пусть имеем однородную систему с установившимся в некотором внешнем поле распределением электронов (f ¹ f0)
Выключим поле в момент t = 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Система однородна |
Ñr f = 0 |
|
|
|
|
|
|
|||||
Уравнение Больцмана |
|
∂ f |
= |
∂ f |
|
≡ − |
f − f0 |
|
||||
|
|
|||||||||||
|
∂ t |
∂ t |
|
τ |
||||||||
f - f0 = (f - f0 ) |
|
t =0 e− |
t |
|
|
|
|
|
столкн |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
τ |
τ- время, характеризующее скорость |
||||||||||
|
||||||||||||
возвращения системы к состоянию равновесия
¶f |
|
e æ |
v´ H ö |
|
¶f |
|
|
||
|
= -vÑr f + |
|
çF + |
|
÷ |
×Ñv f + |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
¶t |
|
m è |
c |
ø |
|
¶t |
|
столкн |
|
|
|
|
|||||||
Стационарный случай (после завершения всех переходных процессов)
v |
|
∂ f |
+ v |
|
∂ f |
+ v |
|
∂ f |
|
− |
e |
F |
|
∂ f |
= − |
f1 |
|
|
|
|||||||||||
|
x ∂ x |
y ∂ y |
z ∂ z m |
|
x ∂ vx |
τ |
|
|
||||||||||||||||||||||
Однородность системы по координатам x и y |
||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
f = f0 + f1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
v |
∂ f0 + v |
|
∂ f1 − |
e |
F |
|
∂ f0 − |
e |
F |
∂ f1 |
= − |
f1 |
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
τ |
||||||||||||||||||||
|
|
|
z ∂ z |
|
|
z ∂ z |
m x ∂ vx |
|
m x ∂ vx |
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
∂ f0 |
= 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При малых Fx |
|||||||||
|
|
|
|
∂ z |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
e |
F ∂ f0 = v |
|
∂ f1 + |
|
f1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
m |
|
τ |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
x ∂ vx |
|
|
|
z |
|
∂ z |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
∂ f |
= 0 и |
∂ f |
= 0 |
∂ x |
|
∂ y |
|
F |
∂ f1 |
→ 0 |
|
||
x ∂ vx |
|
|
|
e |
F |
∂ f0 = v |
|
∂ f1 |
+ |
|
f1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
m |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
x ∂ vx |
|
|
|
|
|
z |
∂ z |
|
|
τ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∂ f0 |
|
|
|
∂ f1 |
|
|
f1 |
|
|
|
|
||||||||||||||
∂ f |
|
|
|
∂ε |
|
∂ |
|
f |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∂ f |
|
|
|
|
eF v |
= v |
|
+ |
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
0 = |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
= mvx |
|
0 |
|
|
|
|
|
x |
x ∂ ε |
|
|
z ∂ z |
|
|
τ |
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
∂ vx |
|
∂ ε |
|
∂ ε |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
∂ vx |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
æ |
|
z |
ö |
|
|||||||||||||||
Умножим левую и правую части на |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ç |
|
|
÷ |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
expç |
|
|
|
÷ |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
∂ |
f0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∂ |
é |
|
æ |
z |
öù |
|
∂ |
é |
|
|
æ |
|
z |
öù |
|
|
|
|
è |
τ vz ø |
|
|||||||||
eFx vx |
|
|
|
|
τ |
vz |
|
|
|
|
|
|
ç |
÷ |
= vz |
ê f1 |
|
ç |
|
÷ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
× |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
∂ ε |
|
|
|
|
|
|
|
êexpç |
|
÷ú |
|
expç |
|
|
÷ú |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∂ z ë |
|
è |
τ vz øû |
|
∂ z ë |
|
èτ vz |
øû |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∂ f0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∂ |
é |
æ |
|
z |
öù |
|
|
∂ é |
|
|
æ |
|
z |
öù |
||||||||
f = -eF v |
τ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
f11 |
|
|
êexpç |
|
|
÷ú |
= |
|
|
ê f1 expç |
|
|
÷ú |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
11 |
|
|
|
x |
|
x |
|
∂ ε |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∂ z |
ë |
ç |
τ vz |
÷ |
|
|
∂ z ë |
|
|
ç |
|
|
÷ |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
è |
øû |
|
|
|
|
è |
τ vz øû |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
æ |
|
|
|
z |
|
|
|
ö |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
f1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ç |
- |
|
|
|
÷ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
= f11 + C expç |
τ vz |
÷ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
è |
|
|
|
ø |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
Граничное условие Фукса |
|
|
Параметр Фукса |
Связывает отклонение от равновесного |
|
0 ≤≤1 |
распределения падающих на поверхность |
|
электронов с отклонением отходящих от нее |
||
|
|
|
æ |
|
|
z |
ö |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
f1 |
= f11 |
ç |
- |
|
÷ |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
+ C expç |
|
|
÷ |
|
|
|||
|
|
è |
|
τ vz ø |
|
|
||
|
|
|
|
|
||||
=0 |
|
|
|
|
|
|
f1(d,−vz )= 0 |
|
|
|
После столкновения с поверхностью |
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
электрон забывает свою “предысторию” |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Диффузное рассеяние |
|||||||||||||
=1 |
|
|
|
|
f1(d,−vz )= f1(d,+vz ) |
Зеркальное отражение |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
æ |
|
|
d |
ö |
|
æ |
|
|
|
. æ |
d |
öö |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
ç |
|
|
|
÷ |
|
ç |
|
|
|
ç |
|
÷÷ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
f11 + C expç |
- |
|
|
÷ |
=Ãç f11 |
+ C expç |
|
÷÷ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
è |
|
τ vz ø |
|
è |
|
|
|
è |
τ vz øø |
|
|
|
ì |
|
|
|
|
|
|
|
|
z |
|
d |
ü |
||||||
C |
= - f |
|
|
|
|
|
|
|
1− |
|
|
|
|
|
|
ï |
|
|
1-Ã |
|
|
− |
|
− |
|
|
ï |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
τvz |
τvz |
|||||||||||||
|
|
|
|
11 é |
æ |
d |
ö |
|
æ |
|
d |
öù |
|
|
f1 = f11 í1- |
|
|
|
|
2d |
|
e |
|
|
|
|
|
ý |
|||
|
|
|
|
|
|
|
ç |
|
|
÷ |
|
ç |
|
|
÷ |
|
|
ï |
|
|
|
− |
|
|
|
|
|
|
|
|
ï |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
τvz |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
êexpç |
|
÷ |
-Ãexpç- |
|
|
÷ú |
|
|
1 |
-Ãe |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
ë |
è |
τ vz ø |
|
è |
τ vz øû |
|
î |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
þ |
||||||||
=1, т.е. в случае зеркального отражения |
|
f1 = f11 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
Поверхность не влияет на |
Размерный эффект. отсутствует |
|
неравновесное распределение |
||
|
|
|
ì |
1-Ã |
|
|
z |
|
|
d |
ü |
|
|
|
ì |
|
z |
|
d |
ü |
||
|
|
ï |
|
− |
τv |
|
− |
τv |
ï |
|
|
|
− |
− |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
f1 |
= f11 |
í1- |
|
|
|
e |
|
|
z |
|
z |
ý |
Диффузное рассеяние |
|
|
ï |
|
|
|
ï |
|
|
− |
2d |
|
|
|
|
|
f1 |
= f11 |
í1 |
- e τvz |
2τvz ý |
|||||||||
|
|
ï |
|
τvz |
|
|
|
|
|
|
ï |
||||||||||
|
|
1-Ãe |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ï |
|
|
|
ï |
||||
|
|
î |
|
|
|
|
|
|
|
|
þ |
|
|
|
î |
|
|
|
|
þ |
|
Экспоненциальная зависимость от толщины пленки d и 1/vz
æ m ö3 |
òòò |
f1vxdvxdvy dvz |
|
|
è |
h ø |
|
||
j(z) = -2eç |
÷ |
|
|
|
l - величина свободного пробега электрона |
||||
Толстая пленка |
d/l>1 |
|||
ρf » 1+ 3λ (1-Ã)
ρb 8d
|
|
ρ - удельное сопротивление |
|
||||||||
Тонкая пленка |
d/l<<1 |
|
ρ f |
= |
4 |
× |
1-Ã |
|
|
λ |
|
|
ρb |
3 |
1+Ã |
é |
æ λ |
+ 0.4228 |
öù |
||||
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
d êlnç |
÷ú |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
ë |
è d |
|
øû |
Расчет затруднен
Естественно ожидать
(ϑ) зависит от угла, под которым электрон встречается с поверхностью
(ϑ) зависит от механизмов рассеяния электронов на поверхности
Дефекты атомарного строения поверхности (разупорядочение атомов, адсорбированные частицы, ступени, вакансии и т.д.);
Рассеяние на фононах
Изучено плохо, можно ожидать,что (ϑ) → 1 при ϑ→π/2
Рассеяние на локализованных зарядах
≈ 1− cosϑ
(ϑ→π/2) → 1, несмотря на увеличение вероятности столкновения с заряженным центром
Рассеяние на градиенте заряда, появляющемся вследствие наличия поверхностных состояний, вследствие того, что у поверхности движется больше электронов, чем в объеме
Рассеяние, связанное с геометрической шероховатостью.
Теория расчета (ϑ) сложна и неубедительна, поскольку распределение центров рассеяния носит случайный характер
Иногда предлагают |
=1 для электронов, падающих |
|
под скользящими углами |
||
|
||
|
и =0 в остальных случаях. |
Особенно сложен учет рассеяния на неровностях поверхности
