Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
246
Добавлен:
22.08.2013
Размер:
6.91 Mб
Скачать

5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок

При увеличении толщины пленка

Механизм электропроводности близок к

становится сплошной

существующему в объемных материалах

Но - удельное сопротивление значительно больше, чем у объемных материалов.

В пленках с толщинами, сравнимыми с длиной свободного пробега, важно рассеяние электронов на поверхности.

Размерный эффект

Количественно решение дано Чемберсом на основе кинетического уравнения Больцмана

Функция распределения электронов

f ( v,r,t )

Число электронов в момент времени t в объеме

r,r + dr

имеющих скорость в интервале v,v + dv

 

 

 

Кинетическое уравнение Больцмана

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

F и H – напряженности

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

электрического и магнитного поля

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∂f

 

 

 

 

 

Изменение распределения со временем

 

∂t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Изменение числа частиц в данном элементе объема за счет

 

vÑr

f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

прихода из окружающих областей

 

 

 

 

 

 

 

 

e æ

v´ H ö

 

 

 

 

За счет изменения скорости под действием

 

çF +

 

÷

×Ñv f

 

 

 

c

 

 

m è

ø

 

 

 

 

сил со стороны внешних полей.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Справа находится величина, отражающая изменение функции распределения за счет рассеяния

В стационарном случае устанавливается

∂f

= 0

стабильное значение функции распределения

∂t

 

Допустим

Толщина пленка 2d << L

 

Магнитное поле отсутствует (Н=0)

 

Электрическое поле однородно

и действует вдоль оси х (FFx)

Отклонение f от равновесной функции распределения f0, соответствующей отсутствию внешних полей, не велико.

Удобно искать в виде f = f0 + f1,

f1 - отклонение функции распределения от равновесия

Приближение времени релаксации

f

 

 

=

( f0 + f1 )

 

=

f1

 

 

≡ −

f1

τ- время релаксации,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

считается константой

t

 

 

 

 

 

τ

 

столк

 

t

 

столк

t

 

столк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f

 

e æ

v´ H ö

 

f

 

 

 

 

 

 

 

= -vÑr f +

 

çF +

 

÷

×Ñv f +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

m è

c

ø

 

t

 

столкн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Физический смысл t можно установить рассматривая процесс установления статистического равновесия

Пусть имеем однородную систему с установившимся в некотором внешнем поле распределением электронов (f ¹ f0)

Выключим поле в момент t = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

Система однородна

Ñr f = 0

 

 

 

 

 

 

Уравнение Больцмана

 

∂ f

=

∂ f

 

≡ −

f − f0

 

 

 

 

∂ t

∂ t

 

τ

f - f0 = (f - f0 )

 

t =0 e

t

 

 

 

 

 

столкн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

τ

τ- время, характеризующее скорость

 

возвращения системы к состоянию равновесия

f

 

e æ

v´ H ö

 

f

 

 

 

= -vÑr f +

 

çF +

 

÷

×Ñv f +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

m è

c

ø

 

t

 

столкн

 

 

 

Стационарный случай (после завершения всех переходных процессов)

v

 

f

+ v

 

f

+ v

 

f

 

e

F

 

f

= −

f1

 

 

 

 

x x

y y

z z m

 

x vx

τ

 

 

Однородность системы по координатам x и y

 

 

 

f = f0 + f1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

v

f0 + v

 

f1

e

F

 

f0

e

F

f1

= −

f1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

τ

 

 

 

z z

 

 

z z

m x vx

 

m x vx

 

 

 

 

 

 

f0

= 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При малых Fx

 

 

 

 

z

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

F f0 = v

 

f1 +

 

f1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m

 

τ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x ∂ vx

 

 

 

z

 

z

 

 

 

 

 

 

 

 

f

= 0 и

f

= 0

x

 

y

 

F

f1

→ 0

 

x vx

 

 

e

F

f0 = v

 

f1

+

 

f1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x ∂ vx

 

 

 

 

 

z

z

 

 

τ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f0

 

 

 

f1

 

 

f1

 

 

 

 

f

 

 

 

∂ε

 

 

f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f

 

 

 

 

eF v

= v

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

= mvx

 

0

 

 

 

 

 

x

x ∂ ε

 

 

z z

 

 

τ

 

 

 

 

 

 

∂ vx

 

∂ ε

 

∂ ε

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∂ vx

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

æ

 

z

ö

 

Умножим левую и правую части на

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ç

 

 

÷

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

expç

 

 

 

÷

 

 

 

 

 

f0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

é

 

æ

z

öù

 

é

 

 

æ

 

z

öù

 

 

 

 

è

τ vz ø

 

eFx vx

 

 

 

 

τ

vz

 

 

 

 

 

 

ç

÷

= vz

ê f1

 

ç

 

÷

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∂ ε

 

 

 

 

 

 

 

êexpç

 

÷ú

 

expç

 

 

÷ú

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

z ë

 

è

τ vz øû

 

z ë

 

èτ vz

øû

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

é

æ

 

z

öù

 

 

é

 

 

æ

 

z

öù

f = -eF v

τ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f11

 

 

êexpç

 

 

÷ú

=

 

 

ê f1 expç

 

 

÷ú

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11

 

 

 

x

 

x

 

∂ ε

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

z

ë

ç

τ vz

÷

 

 

z ë

 

 

ç

 

 

÷

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

è

øû

 

 

 

 

è

τ vz øû

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

æ

 

 

 

z

 

 

 

ö

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ç

-

 

 

 

÷

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= f11 + C expç

τ vz

÷

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

è

 

 

 

ø

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Граничное условие Фукса

 

Параметр Фукса

Связывает отклонение от равновесного

0 ≤≤1

распределения падающих на поверхность

электронов с отклонением отходящих от нее

 

 

 

æ

 

 

z

ö

 

 

 

 

 

 

 

 

f1

= f11

ç

-

 

÷

 

 

 

 

 

 

+ C expç

 

 

÷

 

 

 

 

è

 

τ vz ø

 

 

 

 

 

 

 

=0

 

 

 

 

 

 

f1(d,vz )= 0

 

 

 

После столкновения с поверхностью

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

электрон забывает свою “предысторию”

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Диффузное рассеяние

=1

 

 

 

 

f1(d,vz )= f1(d,+vz )

Зеркальное отражение

 

 

 

 

æ

 

 

d

ö

 

æ

 

 

 

. æ

d

öö

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ç

 

 

 

÷

 

ç

 

 

 

ç

 

÷÷

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f11 + C expç

-

 

 

÷

ç f11

+ C expç

 

÷÷

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

è

 

τ vz ø

 

è

 

 

 

è

τ vz øø

 

 

 

ì

 

 

 

 

 

 

 

 

z

 

d

ü

C

= - f

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

1

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

τvz

τvz

 

 

 

 

11 é

æ

d

ö

 

æ

 

d

öù

 

 

f1 = f11 í1-

 

 

 

 

2d

 

e

 

 

 

 

 

ý

 

 

 

 

 

 

 

ç

 

 

÷

 

ç

 

 

÷

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

τvz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

êexpç

 

÷

expç-

 

 

÷ú

 

 

1

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ë

è

τ vz ø

 

è

τ vz øû

 

î

 

 

 

 

 

 

 

 

 

þ

=1, т.е. в случае зеркального отражения

 

f1 = f11

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Поверхность не влияет на

Размерный эффект. отсутствует

неравновесное распределение

 

 

 

ì

1

 

 

z

 

 

d

ü

 

 

 

ì

 

z

 

d

ü

 

 

ï

 

τv

 

τv

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f1

= f11

í1-

 

 

 

e

 

 

z

 

z

ý

Диффузное рассеяние

 

 

ï

 

 

 

ï

 

2d

 

 

 

 

 

f1

= f11

í1

- e τvz

2τvz ý

 

 

ï

 

τvz

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

1e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

ï

 

 

î

 

 

 

 

 

 

 

 

þ

 

 

 

î

 

 

 

 

þ

Экспоненциальная зависимость от толщины пленки d и 1/vz

æ m ö3

òòò

f1vxdvxdvy dvz

 

è

h ø

 

j(z) = -2eç

÷

 

 

l - величина свободного пробега электрона

Толстая пленка

d/l>1

ρf » 1+ 3λ (1)

ρb 8d

 

 

ρ - удельное сопротивление

 

Тонкая пленка

d/l<<1

 

ρ f

=

4

×

1

 

 

λ

 

 

ρb

3

1

é

æ λ

+ 0.4228

öù

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d êlnç

÷ú

 

 

 

 

 

 

 

 

ë

è d

 

øû

Расчет затруднен

Естественно ожидать (ϑ) зависит от угла, под которым электрон встречается с поверхностью

(ϑ) зависит от механизмов рассеяния электронов на поверхности

Дефекты атомарного строения поверхности (разупорядочение атомов, адсорбированные частицы, ступени, вакансии и т.д.);

Рассеяние на фононах

Изучено плохо, можно ожидать,что (ϑ) 1 при ϑ→π/2

Рассеяние на локализованных зарядах

≈ 1− cosϑ

(ϑπ/2) 1, несмотря на увеличение вероятности столкновения с заряженным центром

Рассеяние на градиенте заряда, появляющемся вследствие наличия поверхностных состояний, вследствие того, что у поверхности движется больше электронов, чем в объеме

Рассеяние, связанное с геометрической шероховатостью.

Теория расчета (ϑ) сложна и неубедительна, поскольку распределение центров рассеяния носит случайный характер

Иногда предлагают

=1 для электронов, падающих

под скользящими углами

 

 

и =0 в остальных случаях.

Особенно сложен учет рассеяния на неровностях поверхности