- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
Катализ
Катализ - изменение скорости химической реакции в присутствии веществ – катализаторов, многократно вступающих в промежуточное взаимодействие с участниками реакции, но неизменно восстанавливающих по окончании цикла свои свойства и состав.
Различают гомогенный и гетерогенный катализ
Гомогенный - катализатор и реагирующее вещество образуют однородную систему
Гетерогенный катализ
N2 + 3H2 ® 2NH3
Реакция облегчается в присутствии железа. Fe + N2 ¯® FeN2
FeN2 + H2¯ ® Fe(NH)2 Fe(NH)2 +2H2¯ ® Fe + 2NH3-
(¯ и - - адсорбция и десорбция)
Окисление СО до СО2 требует значительно меньших энергетических затрат в присутствии паров воды
Твердотельная электроника
Микроэлектроника
Отношение поверхность/объем - 104-105 см-1
Инверсионные слои
Увеличение обратных токов, отсутствие их насыщения, снижение пробивного напряжения
Наноэлектроника, нанотехнология.
Влияние влажности на фотопроводимость
CdS: 1- 100%, 2 – 50%,
3 - вакуум ~ 10-2мм.рт.ст
Исследования в четко контролируемых условиях
Cверхвысокий вакуум
Монокристаллические образцы высокой чистоты
Элементный и химический анализ состава поверхности
электронная и ионная спектроскопия ОЭС (AES), (SIMS)
расположение атомов в поверхностном слое
ДМЭ (LEED), ДБЭ(RHEED), АИМ (FIM),
рассеяние ионов, электронной микроскопии сверхвысокого разрешения,
СТМ (STM), АСМ (AFM) и др.;
энергетическая структура электронных состояний, заполненных и свободных фотоэлектронной и вторично-эмиссионной
спектроскопия, СТС (STS), обращенная фотоэмиссия
колебания поверхностных комплексов
ИК спектроскопия, рассеяние атомов спектры потерь медленных электронов
1.2. Методы получения чистой поверхности
Приемлемая чистота |
|
|
|
менее 1-3% загрязнений. |
|
|
|||
|
|
(i) Хорошая воспроизводимость экспериментальных результатов
(ii) применяемые методы анализа – электронная оже-спектроскопия и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия –
имеют предел детектирования примесей на указанном уровне.
Важна монокристалличность образцов
Определение ориентации слитка рентгеновскими методами.
Механическая резка |
|
|
Оптимальные размеры |
10х5х0.2 мм3 |
|
образца |
||
|
Шлифовка, на конечном этапе - полировка
Химическое травление |
Глубина деструктурированной области |
|
при обработке поверхности порошками |
|
с различным размером зерна. а –шлифовка, |
|
b –полировка, с – глубина нарушений |
|
при химическом травлении. |
