- •Рекомендуемая литература
- •1.1. Значение исследований поверхности
- •XIX - первая половина ХХ века
- •Роль поверхностных явлений
- •Катализ
- •Твердотельная электроника
- •Исследования в четко контролируемых условиях
- •1.2. Методы получения чистой поверхности
- •1.2.1.Прогрев при высоких температурах
- •1.2.2.Химические методы очистки
- •1.2.3. Ионная бомбардировка
- •Рецепты
- •1.2.4. Раскалывание в сверхвысоком вакууме
- •1.2.5.Некоторые специфические методы
- •1.3.Термодинамика поверхности
- •1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
- •Литература к разделу II
- •II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
- •2.1. Двумерная кристаллическая решетка
- •2.2. Обозначения поверхностей монокристаллов и атомных структур
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности
- •2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов
- •2.5.Реконструкция поверхности
- •2.5.1. Реконструкция на поверхности тугоплавких металлов
- •Золото (001)
- •Корреляция Энгеля
- •2.6. Реконструкция на поверхности полупроводников. Кремний (111).
- •2.7. Фасетирование поверхности
- •2.8. Влияние дефектов на структуру поверхности
- •2.9. Структура поверхности и ее физические свойства
- •2.10.Колебания поверхностных атомов
- •Термическое расширение
- •Литература к III разделу
- •III.ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •3.2.Поверхностные состояния. Метод ЛКАО
- •3.3 Поверхностные состояния Шокли
- •3.4. Поверхностные состояния. Приближение почти свободных электронов
- •3.6. О возможности изменения ширины запрещенной зоны на поверхности
- •3.7. Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна
- •3.8. Экспериментальное исследование электронной структуры поверхности металлов
- •Фотоэлектронная спектроскопия
- •GaAs (110)
- •3.9. Изменение потенциала и распределение электронной плотности у поверхности
- •3.9.2. Метод функционала плотности
- •3.9.2.A. Электронный газ с почти постоянной плотностью
- •3.9.2.Б. Плавно меняющаяся электронная плотность
- •3.9.3. Способы реализации метода функционала плотности
- •3.9.3.Б. Усовершенствованный метод Хартри
- •3.9.3.В.Вариационный метод
- •3.9.4. Электронная плотность и потенциал у поверхности
- •3.9.5. Работа выхода
- •3.9.6. Поверхностная энергия
- •3.9.7. Учет атомной структуры поверхности
- •Расчеты электронной структуры различных граней металлов
- •3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью
- •3.8.9.Влияние внешнего электрического поля
- •IV. АДСОРБЦИЯ
- •4.1. Кинетика адсорбции. Теория Ленгмюра.
- •4.2. Полимолекулярная адсорбция
- •4.3. Физическая и химическая адсорбция
- •4.3.1.Силы, приводящие к физической адсорбции
- •4.3.Б. Метод валентных связей
- •4.3.В.Заселенность перекрывания
- •4.3.3. Химическая связь
- •4.4. Электронное состояние адатома
- •4.5. Энергия связи адатомов с поверхностью
- •4.6. Латеральное взаимодействие адатомов
- •4.7. Структура адсорбированных слоев
- •4.8. Изменение работы выхода
- •4.9. Поверхностная диффузия
- •Солитонный механизм
- •V. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
- •5.1. Механизмы роста пленок
- •5.2.Эпитаксия
- •5.3.Зародыши и их образование
- •5.4. Диспергированные пленки
- •5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок
- •Удачи!
1.4. Анизотропия удельной поверхностной энергии
γ - энергия, приходящаяся на единицу образующейся поверхности, которая необходима для разрыва кристалла,
Имеется корреляция с энергией когезии
Поверхностное натяжение для элементов в жидком состоянии
Оценка величины γ
Необходимо учитывать связи атомов с ближайшими соседями.
Вопрос: |
Ответ зависит |
|
следует ли учитывать |
гцк-кристаллы - можно пренебречь |
|
взаимодействие |
от структуры |
оцк-кристаллы - следует учитывать |
со следующими по |
кристалла |
|
удаленности соседями |
|
|
Zраз Z
-относительное число разорванных связей, приходящихся на поверхностный атом
Ec - энергия когезии
Ns - плотность атомов
Типичные значения: |
Е |
=3 эВ |
ZРАЗ |
Z 0,25 |
N |
s |
1015см-2 |
|
с |
|
|
|
|
γ =3 .1,6 .10-12 .0,25·1015= 1200 эрг
Число оборванных связей зависит от ориентации поверхности
Наименьшее - в случае плотноупакованных граней, возрастает при отклонении
2D - квадратная решетка, ограниченная поверхностью (линией)
Пусть ориентация террас совпадает с гранью (10), тогда грань под углом θ есть (1n)
Положим, n>>0 |
Взаимодействие ступенек пренебрежимо мало |
Наличие каждой ступени должно приводить к появлению дополнительной поверхностной энергии β.
На единице длины - 1/nas ступенек |
|
|
|
||
1 |
|
γ (0)+ |
β |
|
|
γ (θ )= γ (0)+ β |
|
|
|
θ ; θ > 0 |
|
|
|
as |
|||
nas |
при больших n |
||||
|
|
θ=arctg (1/n)≈1/n |
|
||
Аналогично, для плоскости наклоненной в другую сторону:
γ (θ) = γ (0) − β θ; as
γ непрерывна, но скачок для производной по углу:
Пренебрегать
взаимодействием ступенек нельзя
θ < 0
Чтобы грань (1n) была устойчива необходимо, чтобы ступеньки отталкивались друг от друга.
Евзаим ступеней вызывается конечностью террасы. Отсутствует энергия взаимодействия атомов террасы
ab с атомами, удаленными с участка cd, ef...
Евзаим двух атомов, находящихся на расстоянии r |
~ 1/ r6. |
, |
|
Равносильно
отталкиванию
Суммирование по всем парам (равносильно |
|
E1-2 ~ 1/n4 |
|
двукратному интегрированию по ab и cd, ef,…) |
|
|
|
В случае 3D-кристалла аналогично |
E1-2 |
~ 1/n3 |
|
Со следующей по удаленности ступенью |
E1-3 |
~ 1/(2n)3 |
и т.д. |
Количество ступеней на единицу площади |
|
1as n |
|
С – константа
Равновесная огранка кристалла должна содержать плоские участки, причем у граней с большими индексами
площади должны быть незначительны.
Равновесной форме кристалла |
òγdA |
отвечает минимальное значение |
характеризует площадь, занимаемую гранью с индексом n.
Построение Вульфа
γ(θ) в полярных координатах
,
)
Устойчивы не только грани типа (1n), но и грани (2n) (где n - нечетное число). Возможны два варианта строения
Первый - Чередование длины террас
Второй - Фасетирование поверхности
Возникают участки, занятые гранями с различающейся ориентацией:
æ |
n +1ö |
и |
æ |
n -1ö |
||
ç1, |
2 |
÷ |
ç1, |
2 |
÷ |
|
è |
ø |
|
è |
ø |
||
Предпочтителен первый вариант. Образование фасеток энергетически невыгодно.
Обычно имеют дело с кристаллами, полученными в неравновесных условиях
Переход от первоначальной формы |
Необходим перенос вещества |
к равновесной затруднен |
вдоль поверхности |
В случае крупных кристаллов равновесная форма встречается редко
