
- •Вступ 6 зм 1. Електричні властивості напівпровідників 9
- •Зм 2. Напівпровідникові прилади 26
- •Зм 3. Електронні пристрої 79
- •Зм 4. Електронні елементи мікропроцесорної техніки 164
- •Зм 1. Електричні властивості напівпровідників
- •1.1. Основи зонної теорії твердого тіла.
- •1.2. Електропровідність напівпровідників.
- •1.2.1. Власна електропровідність напівпровідників
- •1.2.2. Домішкова електропровідність напівпровідників
- •1 .2.3. Ефекти, що пов’язані з електропровідністю напівпровідників
- •1.3. Властивості електронно-діркового переходу.
- •1.3.1. Формування електронно-діркового переходу.
- •1.3.2. Властивості n-p переходу при підключенні зовнішньої напруги
- •1.3.3. Тунельний ефект
- •1.4. Питання для самоперевірки.
- •Зм 2. Напівпровідникові прилади
- •2.1. Напівпровідникові діоди1
- •2.1.1. Випрямляючі діоди
- •2.1.2. Стабілітрони і схеми стабілізації напруги.
- •2.1.3. Варикапи
- •2.1.4. Тунельні діоди
- •2.1.5. Інші види діодів
- •2.2. Біполярні транзистори і їх використання в електронних пристроях
- •2.2.1. Устрій та принцип роботи біполярного транзистора.
- •2.2.2. Режими роботи біполярного транзистора.
- •2.2.3. Схеми включення транзисторів.
- •2.2.4. Вольт-амперні характеристики біполярних транзисторів та режими роботи (на прикладі n-p-n транзисторів).
- •2.2.5. Транзистор як активний чотирьохполюсник.
- •2.3. Уніполярні транзистори.
- •2.4. Тиристори
- •2.5. Питання для самоперевірки.
- •Зм 3. Електронні пристрої
- •3.1. Випрямлячі змінного струму.
- •3.2. Підсилювачі електричних сигналів.
- •3.2.1. Загальна інформація.
- •3.2.2. Характеристики підсилювачів
- •3.2.3. Зворотний зв’язок в підсилювачах.
- •3.2.4. Схеми підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах.
- •3.2.5. Особливості роботи схеми попередніх каскадів підсилювача.
- •3.2.6. Режими роботи підсилюючих елементів.
- •3.2.7. Особливості роботи схеми кінцевого каскаду підсилювача.
- •3.2.8. Складені транзистори.
- •3.2.9. Спеціальні види підсилювачів.
- •3.3. Транзисторні генератори електричних сигналів.
- •3.3.1. Генератори синусоїдальних коливань.
- •3.3.2. Генератори імпульсів складної форми.
- •3.3.2.1. Параметри імпульсів прямокутної форми.
- •3.3.2.2. Мультивібратори.
- •3.3.2.3. Очікуючий мультивібратор або одновібратор.
- •3.3.2.4. Блокінг-генератори.
- •3.3.2.5. Генератори пилкоподібної напруги (гпн).
- •3.3.3. Генератори сигналів на операційних підсилювачах1.
- •3.4. Питання для самоперевірки.
- •Зм 4. Електронні елементи мікропроцесорної техніки
- •4.1. Уявлення про мікропроцесорну техніку, мікропроцесорні засоби і мікропроцесорні системи.
- •4.2. Структура мікропроцесорної системи.
- •4.2.1. Загальне уявлення про мікропроцесорну систему.
- •4.2.2. Мікропроцесорні засоби в системах керування
- •4.3. Елементи математичного апарату цифрової техніки.
- •4.3.1. Системи числення.
- •4.3.2. Фізичне уявлення інформації в мп-системі.
- •4.3.3. Форми представлення чисел.
- •4.3.4. Кодування чисел в мп-системах
- •4.3.5. Поняття булевої змінної та булевої функції
- •4.3.6. Операції та закони булевої алгебри.
- •4.3.7. Функціонально повні системи булевих функцій.
- •4.3.8. Мінімізація булевих функцій.
- •4.4. Цифрові схеми та цифрові автомати.
- •4.4.1. Елементи ртл.
- •4.4.2. Елементи дтл.
- •4.4.3. Елементи ттл.
- •4.4.4. Елементи езл.
- •4.4.5. Інтегральні схеми на моп–транзисторах.
- •4.5. Комбінаційні цифрові пристрої.
- •4.5.1 Дешифратор.
- •4.5.2. Перетворювачі кодів і шифратори.
- •4.5.3. Мультиплексори і демультиплексори.
- •4.5.4. Напівсуматор і суматор.
- •4.6. Послідовнісні пристрої.
- •4.6.1. Тригери.
- •4.6.1.1. Синхронний однотактний rs–тригер.
- •4.6.1.2. Синхронний двотактний rs–тригер.
- •4.6.2. Регістри.
- •4.6.2.1. Прийом і передача інформації в регістрах.
- •4.6.2.2. Схемна реалізація зсуваючого регістру
- •4.6.2.3. Реалізація порозрядних операцій в регістрах.
- •4.6.3. Лічильники.
- •4.6.3.1. Загальне уявлення і класифікація.
- •4.6.3.2. Лічильник з безпосередніми зв’язками з послідовним переносом.
- •4.6.3.3. Лічильник з паралельним переносом.
- •4.6.3.4. Реверсивний лічильник з послідовним переносом.
- •4.6.4. Накопичуючі суматори.
- •4.6.4.1. Однорозрядний накопичуючий суматор.
- •4.6.4.2. Багаторозрядні суматори
- •4.6.5. Електронні елементи пам’яті.
- •4.6.6. Перетворювачі сигналів.
- •4.7. Питання для самоперевірки.
- •Додаток
- •Префікси для кратних одиниць
- •Список рекомендованої літератури
2.1.2. Стабілітрони і схеми стабілізації напруги.
Стабілітрони (діоди Зенера) – різновиди діодів, призначених для стабілізації напруги. В цих діодах знаходить корисне використання небезпечне для звичайних діодів явище електричного пробою. Нормальним режимом роботи стабілітронів є робота при зворотній напрузі, яка відповідає відновлюваному електричному пробою n-p переходу. Як напівпровідниковий матеріал в стабілітронах використовується кремній, що зумовлене більш високою його температурною стабільністю. В стабілітронах p і n області мають підвищений вміст домішок, що зумовлює тонкий і яскраво виражений n-p перехід, в якому швидко розвивається і встановлюється електричний пробій. Пробій настає при порівняно низькій і приблизно постійній (для кожного типу стабілітрону) зворотній напрузі. Типова вольт-амперна характеристика стабілітрона показана на рис. 2.6.
П
рямий
струм (1) в залежності від напруги
змінюється, як у будь-якого звичайного
діода, за експоненціальним законом.
Вітка зворотного струму характеризує
зворотний режим стабілітрону. Вона має
вид прямої вертикальної лінії, що
проходить майже паралельно осі струмів.
Тому при зміні в широких межах струму
падіння напруги на стабілітроні практично
не змінюється. Ця властивість стабілітронів
і дозволяє використовувати їх як
стабілізаторів напруги. Отже робочою
ділянкою стабілізації є діапазон зміни
зворотного струму від Іmin
до Imax
(рис. 2.6).
Оскільки електричний пробій настає при низький зворотній напрузі, потужність, яка виділяється в n-p переході навіть при значних зворотних струмах незначна, що запобігає тепловому (незворотному) пробою. Перевищення гранично допустимої зворотної напруги стабілітрона призводить, як і в звичайних діодах, до виходу приладу з ладу.
Основними параметрами кремнієвих стабілітронів є:
Напруга стабілізації Uст – падіння напруги на стабілітроні в області стабілізації при номінальному значенні струму.
Мінімальний струм стабілізації Іст.min – таке значення струму через стабілітрон, при якому виникає стійкий пробій.
Максимальний струм стабілізації Іст.max – найбільше значення струму через стабілітрон, при якому потужність, що розсіюється на стабілітроні, не перевищує допустимого значення.
Диференціальний опір rd – відношення приросту напруги на стабілітроні до приросту струму в режимі стабілізації – rd = U / І.
Величина rd характеризує міру стабільності напруги стабілізації при зміні струму пробою.
Максимальна потужність розсіювання Рmах – найбільша потужність, що виділяється в n-p переході, при якій не виникає тепловий пробій переходу.
Температурний коефіцієнт напруги стабілізації αст – відношення відносної зміни напруги стабілізації до абсолютної зміни температури навколишнього середовища (% / град) – αст = Uст / (Uст ·T).
Н
айбільш
проста, і досить поширена схема
стабілізації постійної напруги
на кремнієвому стабілітроні
наведена на рис. 2.7. В цій схемі стабілітрон
включається в зворотному
напрямку
паралельно навантаженню. Послідовно
стабілітрону і навантаженню включений
баластний (обмежувальний) резистор Rб.
На цьому резисторі сумується падіння
напруги, зумовлені струмами Іст
і Ін.
Схема являє собою дільник напруги,
що складається з
резистора Rб
і стабілітрона
VD.
При зміні
напруги
живлення Uвх
напруга на
стабілітроні
і на
навантаженні
Rн
змінюється
незначно, в чому і виражається стабілізуюча
дія схеми.
Опір резистора Rб для вибраного режиму стабілізації визначається з співвідношення:
Uн + (Іст + Ін) Rб = Uвх.
Звідки:
Rб = (Uвх – Uн) / (Іст + Ін).
Дві з можливих схем стабілізатора змінної напруги на кремнієвих стабілітронах наведена на рис. 2.8.
В схемі рис. 2.8-а напруга мережі через відповідний трансформатор надходить в схему, що складається з резистора Rб і зустрічно включених стабілітронів VD1 і VD2. Змінна напруги обмежується на рівні напруги стабілізації Ucт стабілітронів VD1 і VD2.
а) б)
Рис. 2.8.
В
схемі рис. 2.8-б замість двох стабілітронів
використаний один двосторонній
стабілітрон VD1.
Двосторонній стабілітрон – це два
імпульсних стабілітрона, включених
зустрічно. Стабілітрони зазвичай
однакові, що призводить до симетричної
ВАХ. Двосторонній стабілітрон частіше
називають двоанодним. Головна особливість
полягає в тому, що його можна включати
в схемі незалежно від полярності.
Стабілітрони однієї і тієї ж марки
можуть бути як двосторонніми, так і
односторонніми, наприклад, КС162, КС168,
КС133 та ін. бувають в залізних корпусах
(або в склі) і вони односторонні, а бувають
в пластмасі зазвичай червоного кольору
– двоанодні.
Внаслідок такого включення двох стабілітронів або одного двостороннього на виході отримується напруга Uвих трапецеїдальної форми (рис. 2.9). При зміні величини вхідної напруги амплітуда вихідної напруги залишається постійною, а діюче значення міняється незначно за рахунок деякої зміни площі трапецій.