- •Вступ 6 зм 1. Електричні властивості напівпровідників 9
- •Зм 2. Напівпровідникові прилади 26
- •Зм 3. Електронні пристрої 79
- •Зм 4. Електронні елементи мікропроцесорної техніки 164
- •Зм 1. Електричні властивості напівпровідників
- •1.1. Основи зонної теорії твердого тіла.
- •1.2. Електропровідність напівпровідників.
- •1.2.1. Власна електропровідність напівпровідників
- •1.2.2. Домішкова електропровідність напівпровідників
- •1 .2.3. Ефекти, що пов’язані з електропровідністю напівпровідників
- •1.3. Властивості електронно-діркового переходу.
- •1.3.1. Формування електронно-діркового переходу.
- •1.3.2. Властивості n-p переходу при підключенні зовнішньої напруги
- •1.3.3. Тунельний ефект
- •1.4. Питання для самоперевірки.
- •Зм 2. Напівпровідникові прилади
- •2.1. Напівпровідникові діоди1
- •2.1.1. Випрямляючі діоди
- •2.1.2. Стабілітрони і схеми стабілізації напруги.
- •2.1.3. Варикапи
- •2.1.4. Тунельні діоди
- •2.1.5. Інші види діодів
- •2.2. Біполярні транзистори і їх використання в електронних пристроях
- •2.2.1. Устрій та принцип роботи біполярного транзистора.
- •2.2.2. Режими роботи біполярного транзистора.
- •2.2.3. Схеми включення транзисторів.
- •2.2.4. Вольт-амперні характеристики біполярних транзисторів та режими роботи (на прикладі n-p-n транзисторів).
- •2.2.5. Транзистор як активний чотирьохполюсник.
- •2.3. Уніполярні транзистори.
- •2.4. Тиристори
- •2.5. Питання для самоперевірки.
- •Зм 3. Електронні пристрої
- •3.1. Випрямлячі змінного струму.
- •3.2. Підсилювачі електричних сигналів.
- •3.2.1. Загальна інформація.
- •3.2.2. Характеристики підсилювачів
- •3.2.3. Зворотний зв’язок в підсилювачах.
- •3.2.4. Схеми підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах.
- •3.2.5. Особливості роботи схеми попередніх каскадів підсилювача.
- •3.2.6. Режими роботи підсилюючих елементів.
- •3.2.7. Особливості роботи схеми кінцевого каскаду підсилювача.
- •3.2.8. Складені транзистори.
- •3.2.9. Спеціальні види підсилювачів.
- •3.3. Транзисторні генератори електричних сигналів.
- •3.3.1. Генератори синусоїдальних коливань.
- •3.3.2. Генератори імпульсів складної форми.
- •3.3.2.1. Параметри імпульсів прямокутної форми.
- •3.3.2.2. Мультивібратори.
- •3.3.2.3. Очікуючий мультивібратор або одновібратор.
- •3.3.2.4. Блокінг-генератори.
- •3.3.2.5. Генератори пилкоподібної напруги (гпн).
- •3.3.3. Генератори сигналів на операційних підсилювачах1.
- •3.4. Питання для самоперевірки.
- •Зм 4. Електронні елементи мікропроцесорної техніки
- •4.1. Уявлення про мікропроцесорну техніку, мікропроцесорні засоби і мікропроцесорні системи.
- •4.2. Структура мікропроцесорної системи.
- •4.2.1. Загальне уявлення про мікропроцесорну систему.
- •4.2.2. Мікропроцесорні засоби в системах керування
- •4.3. Елементи математичного апарату цифрової техніки.
- •4.3.1. Системи числення.
- •4.3.2. Фізичне уявлення інформації в мп-системі.
- •4.3.3. Форми представлення чисел.
- •4.3.4. Кодування чисел в мп-системах
- •4.3.5. Поняття булевої змінної та булевої функції
- •4.3.6. Операції та закони булевої алгебри.
- •4.3.7. Функціонально повні системи булевих функцій.
- •4.3.8. Мінімізація булевих функцій.
- •4.4. Цифрові схеми та цифрові автомати.
- •4.4.1. Елементи ртл.
- •4.4.2. Елементи дтл.
- •4.4.3. Елементи ттл.
- •4.4.4. Елементи езл.
- •4.4.5. Інтегральні схеми на моп–транзисторах.
- •4.5. Комбінаційні цифрові пристрої.
- •4.5.1 Дешифратор.
- •4.5.2. Перетворювачі кодів і шифратори.
- •4.5.3. Мультиплексори і демультиплексори.
- •4.5.4. Напівсуматор і суматор.
- •4.6. Послідовнісні пристрої.
- •4.6.1. Тригери.
- •4.6.1.1. Синхронний однотактний rs–тригер.
- •4.6.1.2. Синхронний двотактний rs–тригер.
- •4.6.2. Регістри.
- •4.6.2.1. Прийом і передача інформації в регістрах.
- •4.6.2.2. Схемна реалізація зсуваючого регістру
- •4.6.2.3. Реалізація порозрядних операцій в регістрах.
- •4.6.3. Лічильники.
- •4.6.3.1. Загальне уявлення і класифікація.
- •4.6.3.2. Лічильник з безпосередніми зв’язками з послідовним переносом.
- •4.6.3.3. Лічильник з паралельним переносом.
- •4.6.3.4. Реверсивний лічильник з послідовним переносом.
- •4.6.4. Накопичуючі суматори.
- •4.6.4.1. Однорозрядний накопичуючий суматор.
- •4.6.4.2. Багаторозрядні суматори
- •4.6.5. Електронні елементи пам’яті.
- •4.6.6. Перетворювачі сигналів.
- •4.7. Питання для самоперевірки.
- •Додаток
- •Префікси для кратних одиниць
- •Список рекомендованої літератури
3.3.2.5. Генератори пилкоподібної напруги (гпн).
Пилкоподібною називають напругу (струм), який на робочій ділянці відносно повільно зростає (або спадає) за лінійним законом, а потім швидко повертається до вихідного рівня.
ГПН широко використовуються для відхилення електронного променя у електронно-променевих трубках телевізорів та осцилографів, для зіставлення напруг у порівнювальних пристроях, у перетворювачах інформації (аналого-цифрових перетворювачах) і т.д.
П илкоподібна напруга характеризується такими параметрами (рис. 3.76): тривалістю робочого (прямого) tр і зворотного tзв ходу, тривалістю паузи tп, періодом повторення Т, максимальним значенням напруги (амплітудою) імпульсів Um, коефіцієнтом нелінійності ε і коефіцієнтом використання напруги джерела живлення ξ.
На робочій ділянці пилкоподібна напруга повинна змінюватись за лінійним законом (пунктирна лінія на рис. 3.76). Однак практично виконати таку вимогу важко. Намагаються отримати напругу із коефіцієнтом нелінійності ε ≤ 0,210 %.
Н а практиці отримання пилкоподібної напруги основане на заряді або розряді конденсатора. При невисоких вимогах до лінійності (ε ≤ 15 %), використовуються найпростіші резисторно-ємнісні кола, в яких напруга (струм) змінюється за експоненціальним законом: при заряді (зростанні) uC = E(1 – e–t/τ) і при розряді (спаданні) uC = Um e–t/τ, де τ = RC – постійна часу (див. ч. 1, п. 4.3).
Можлива схема такого генератора із стороннім збудженням наведена на рис. 3.77. Вона складається із послідовно з’єднаних резистора R і конденсатора C. Виводи такого кола підключені до стабілізованого джерела постійного струму Uвх. Комутація конденсатора для заряду і розряду конденсатора здійснюється ключем К. При розімкненому ключі К конденсатор заряджається і на виході виникає експоненціально зростаюча напруга Uвих, за формою близькою до наведеної на рис. 3.76. При замиканні ключа К конденсатор швидко розряджається, а вихідна напруга швидко наближається до нуля (або U0). Неперервна послідовність імпульсів пилкоподібної форми генерується при періодичному розмиканні і замиканні ключа К.
Конденсатор, як накопичувач енергії, в конструкціях багатьох ГПН є обов’язковим елементом. Роль ключа виконують транзистори і інші підсилюючі і нелінійні елементи. Підсилюючий елемент працює в ключовому режимі D (див. ч. 2, п. 3.2.6); конденсатор приєднується паралельно вихідним електродам, наприклад, до колектора і емітера, або послідовно із підсилюючим елементом і джерелом живлення. Вхідні прямокутні імпульси періодично відкривають і закривають підсилюючий елемент, конденсатор, відповідно, то заряджається, то розряджається, і на виході виникає пилкоподібна напруга.
Недоліком змальованого ГПН є не контрольованість струму іС, який змінюється при протіканні через конденсатор на різних етапах заряду або розряду, наслідком чого є не лінійність пилкоподібної напруги на виході ГПН. Розроблені схеми ГПН, які включають струмостабілізуючі або компенсуючі елементи із використанням кіл від’ємного зворотного зв’язку. Схема такого ГПН із струмостабілізуючим транзистором наведена на рис. 3.78-а, а графіки, що пояснюють його роботу – на рис. 3.78-б.
а) б)
Рис. 3.78.
Транзистор VT1 є ключовим елементом, а транзистор VT2 – струмостабілізуючим. Конденсатор С, розряд якого використовується для отримання пилкоподібної напруги, включений в емітерне коло транзистора VT1. Вхідні прямокутні імпульси uвх надходять на базу першого транзистора, а пилкоподібна напруга uвих знімається з колектора другого транзистора.
У вихідному стані транзистор VT1 відкритий і конденсатор С заряджається до напруги джерела живлення UК. Транзистор підготовлений до роботи в активному режимі (див. ч. 2, п. 2.2.2). Для цього на його базу через резистивний дільник R3, R4 подана напруга, що зміщує робочу точку приблизно на середину лінії навантаження (див. ч. 2, п. 2.2.4). Транзистор VT2 виконує функцію автоматично регульованого резистора, включеного паралельно із робочим конденсатором С в коло емітера транзистора VT1. При подачі на вхід додатного прямокутного імпульсу (рис. 3.77-б) Uвх транзистор VT1 закривається; конденсатор С стає джерелом колекторної напруги транзистора VT2 і починається його розряд через опір емітерного і колекторного переходів; напруга на ньому зменшується, однак колекторний струм змінюється мало внаслідок незначного нахилу вихідних характеристик транзистора, включеного за схемою із спільною базою. Стабілізації струму іС сприяє також від’ємний зворотний зв’язок за струмом, що здійснюється через резистор RЕ. отже, струм розряду конденсатора іС підтримується постійним в заданих межах лінійності.
Параметри елементів ГПН повинні бути підібрані так, щоб заряд відбувався швидко (t0), а розряд – робоча ділянка пилкоподібної напруги (tр) – повільно. Оскільки зазначений генератор працює від зовнішніх запускаючи імпульсів, його робочий хід повинен закінчуватись до приходу наступного запускаючого імпульсу. Тривалість робочої ділянки tр визначається за формулою
,
а коефіцієнт використання напруги за формулою
.
Після закінчення керуючого імпульсу Uвх транзистор VT1 відкривається і переходить в режим насичення, конденсатор заряджається через насичений транзистор і резистор R2 за час зворотного ходу, тривалість якого дорівнює tзв 3R2C. Для скорочення часу заряду tзв резистор R2 повинен мати достатньо малий опір 0,3–0,6 кОм.
При високоомному навантаженні розглянута схема ГПН забезпечує ε < 0,5%, великий коефіцієнт використання напруги (ξ 0,9), широкий діапазон tр (від одиниць до кількох тисяч мікросекунд), невеликий час tзв.