- •Вступ 6 зм 1. Електричні властивості напівпровідників 9
- •Зм 2. Напівпровідникові прилади 26
- •Зм 3. Електронні пристрої 79
- •Зм 4. Електронні елементи мікропроцесорної техніки 164
- •Зм 1. Електричні властивості напівпровідників
- •1.1. Основи зонної теорії твердого тіла.
- •1.2. Електропровідність напівпровідників.
- •1.2.1. Власна електропровідність напівпровідників
- •1.2.2. Домішкова електропровідність напівпровідників
- •1 .2.3. Ефекти, що пов’язані з електропровідністю напівпровідників
- •1.3. Властивості електронно-діркового переходу.
- •1.3.1. Формування електронно-діркового переходу.
- •1.3.2. Властивості n-p переходу при підключенні зовнішньої напруги
- •1.3.3. Тунельний ефект
- •1.4. Питання для самоперевірки.
- •Зм 2. Напівпровідникові прилади
- •2.1. Напівпровідникові діоди1
- •2.1.1. Випрямляючі діоди
- •2.1.2. Стабілітрони і схеми стабілізації напруги.
- •2.1.3. Варикапи
- •2.1.4. Тунельні діоди
- •2.1.5. Інші види діодів
- •2.2. Біполярні транзистори і їх використання в електронних пристроях
- •2.2.1. Устрій та принцип роботи біполярного транзистора.
- •2.2.2. Режими роботи біполярного транзистора.
- •2.2.3. Схеми включення транзисторів.
- •2.2.4. Вольт-амперні характеристики біполярних транзисторів та режими роботи (на прикладі n-p-n транзисторів).
- •2.2.5. Транзистор як активний чотирьохполюсник.
- •2.3. Уніполярні транзистори.
- •2.4. Тиристори
- •2.5. Питання для самоперевірки.
- •Зм 3. Електронні пристрої
- •3.1. Випрямлячі змінного струму.
- •3.2. Підсилювачі електричних сигналів.
- •3.2.1. Загальна інформація.
- •3.2.2. Характеристики підсилювачів
- •3.2.3. Зворотний зв’язок в підсилювачах.
- •3.2.4. Схеми підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах.
- •3.2.5. Особливості роботи схеми попередніх каскадів підсилювача.
- •3.2.6. Режими роботи підсилюючих елементів.
- •3.2.7. Особливості роботи схеми кінцевого каскаду підсилювача.
- •3.2.8. Складені транзистори.
- •3.2.9. Спеціальні види підсилювачів.
- •3.3. Транзисторні генератори електричних сигналів.
- •3.3.1. Генератори синусоїдальних коливань.
- •3.3.2. Генератори імпульсів складної форми.
- •3.3.2.1. Параметри імпульсів прямокутної форми.
- •3.3.2.2. Мультивібратори.
- •3.3.2.3. Очікуючий мультивібратор або одновібратор.
- •3.3.2.4. Блокінг-генератори.
- •3.3.2.5. Генератори пилкоподібної напруги (гпн).
- •3.3.3. Генератори сигналів на операційних підсилювачах1.
- •3.4. Питання для самоперевірки.
- •Зм 4. Електронні елементи мікропроцесорної техніки
- •4.1. Уявлення про мікропроцесорну техніку, мікропроцесорні засоби і мікропроцесорні системи.
- •4.2. Структура мікропроцесорної системи.
- •4.2.1. Загальне уявлення про мікропроцесорну систему.
- •4.2.2. Мікропроцесорні засоби в системах керування
- •4.3. Елементи математичного апарату цифрової техніки.
- •4.3.1. Системи числення.
- •4.3.2. Фізичне уявлення інформації в мп-системі.
- •4.3.3. Форми представлення чисел.
- •4.3.4. Кодування чисел в мп-системах
- •4.3.5. Поняття булевої змінної та булевої функції
- •4.3.6. Операції та закони булевої алгебри.
- •4.3.7. Функціонально повні системи булевих функцій.
- •4.3.8. Мінімізація булевих функцій.
- •4.4. Цифрові схеми та цифрові автомати.
- •4.4.1. Елементи ртл.
- •4.4.2. Елементи дтл.
- •4.4.3. Елементи ттл.
- •4.4.4. Елементи езл.
- •4.4.5. Інтегральні схеми на моп–транзисторах.
- •4.5. Комбінаційні цифрові пристрої.
- •4.5.1 Дешифратор.
- •4.5.2. Перетворювачі кодів і шифратори.
- •4.5.3. Мультиплексори і демультиплексори.
- •4.5.4. Напівсуматор і суматор.
- •4.6. Послідовнісні пристрої.
- •4.6.1. Тригери.
- •4.6.1.1. Синхронний однотактний rs–тригер.
- •4.6.1.2. Синхронний двотактний rs–тригер.
- •4.6.2. Регістри.
- •4.6.2.1. Прийом і передача інформації в регістрах.
- •4.6.2.2. Схемна реалізація зсуваючого регістру
- •4.6.2.3. Реалізація порозрядних операцій в регістрах.
- •4.6.3. Лічильники.
- •4.6.3.1. Загальне уявлення і класифікація.
- •4.6.3.2. Лічильник з безпосередніми зв’язками з послідовним переносом.
- •4.6.3.3. Лічильник з паралельним переносом.
- •4.6.3.4. Реверсивний лічильник з послідовним переносом.
- •4.6.4. Накопичуючі суматори.
- •4.6.4.1. Однорозрядний накопичуючий суматор.
- •4.6.4.2. Багаторозрядні суматори
- •4.6.5. Електронні елементи пам’яті.
- •4.6.6. Перетворювачі сигналів.
- •4.7. Питання для самоперевірки.
- •Додаток
- •Префікси для кратних одиниць
- •Список рекомендованої літератури
2.2.2. Режими роботи біполярного транзистора.
В залежності від полярності напруг, що прикладені до емітерного і колекторного переходів транзистора, розрізняють такі режими його роботи:
Активний режим. На емітерний перехід подана пряма напруга, а на колекторний – зворотна. Цей режим є основним режимом роботи транзистора. Внаслідок того, що напруга в колі колектора значно перевищує напругу, підведену до емітерного переходу, а струми в колах емітера і колектора практично рівні, потужність сигналу в колекторному (вихідному) колі може значно перевищувати потужність у емітерному (вхідному) колі. Ця обставина визначає підсилювальні властивості транзистора.
Режим відсікання. До обох переходів підведені зворотні напруги. Тому через них проходить лише незначний струм, зумовлений рухом неосновних носіїв заряду (дрейфовий струм). Практично транзистор в режимі відсічки виявляється закритим.
Режим насичення. Обидва переходи знаходяться під прямою напругою. Струм у вихідному колі транзистора максимальний і практично не регулюється струмом вхідного кола. В цьому режимі транзистор повністю відкритий.
Інверсний режим. До емітерного переходу підводиться зворотна напруга, а до колекторного – пряма. Отже емітер виконує функції колектора, а колектор – емітера. Цей режим, як правило, не відповідає нормальним умовам експлуатації транзистора.
Транзистор в режимі ключа. Важливими елементами сучасних схем автоматики і обчислювальної техніки є пристрої, які мають можливість знаходитись в одному з двох стійких станів (режимів) і під дією вхідного сигналу стрімко змінювати свій стан (режим). Це дозволяє здійснювати перемикання (комутацію) різних електричних кіл схеми.
Таким елементом є тунельний діод, і його робота в перемикаючій схемі була розглянута в ч. 2, п. 2.1.4.
Транзистор також є одним із розповсюджених елементом безконтактних перемикаючих пристроїв. Режим роботи транзистора в перемикаючій схемі називають ключовим режимом. В цьому режимі транзистор в процесі роботи схеми періодично переходить з відкритого стану (режиму насичення) в закритий (режим відсікання) і навпаки, що відповідає двом стійким станам перемикаючого пристрою.
2.2.3. Схеми включення транзисторів.
В практичних схемах транзистор використовують як чотириполюсник, тобто прилад з двома вхідними і двома вихідними клемами, тому один з виводів транзистора є спільним для вхідного і вихідного кола. Розрізняють схеми включення із спільною базою, спільним емітером і спільним колектором.
На рис. 2.17-а показана схема із спільною базою, яка відмінна від схеми, розглянутої в ч. 2, п. 2.2.1 (рис. 2.16-а) тим, що у вхідному (емітерному) колі послідовно з джерелом живлення U1 (на рис. 2.16-а – UБЕ) включено джерело вхідного сигналу, яке виробляє деяку змінну напругу Uдж. Отже, вхідним сигналом в цьому випадку Uвх буде сумарний сигнал (U1 + Uдж) а у вихідне (колекторне) коло послідовно з джерелом живлення U2 (на рис. 2.16-а – UКБ) включений опір навантаження Rн, на якому при проходженні колекторного струму ІК утворюється падіння напруги Uн. Решта напруги – напруга між колектором і базою Uвих = U2 – Uн розглядається як вихідний сигнал. Через джерело вхідного сигналу проходить струм емітера ІЕ. Струм, що проходить через джерело вхідного сигналу, називають вхідним струмом. Отже для схеми із спільною базою Івх = ІЕ. Вихідний струм в цій схемі є струм колектора (Івих = ІК).
Якщо під дією Uвх струм емітера збільшиться на деяку величину ІЕ, то відповідно збільшується і інші струми транзистора:
ІЕ + ІЕ = ІК + ІК + ІБ + ІБ
Незалежно від схеми включення транзистори характеризуються диференціальним коефіцієнтом прямої передачі струму, який уявляє собою відношення зміни вихідного струму до приросту вхідного струму, що цю зміну викликав при постійній напрузі у вихідному колі. Для схеми із спільною базою таким коефіцієнтом може слугувати коефіцієнт передачі струму емітера:
= Івих / Івх = ІК / ІЕ при U2 = const.
а) – із спільною базою б) – із спільним емітером в) – із спільним колектором
Рис. 2.17.
а) Оскільки струм емітера – найбільший із всіх струмів транзистора, то схема із спільною базою має малий вхідний опір для змінної складової вхідного сигналу. Фактично цей опір дорівнює опору емітерного переходу rЕ, включеного в прямому напрямку, тобто
Rвх = Uвх / Івх = Uвх / ІЕ rЕ.
Низький вхідний опір схеми із спільною базою (кілька ом) є її суттєвим недоліком, оскільки шунтує вихідне коло попередньої схеми.
Отже:
Коефіцієнт підсилення транзистора в схемі із спільною базою за струмом для активного навантаження приблизно збігається з коефіцієнтом передачі струму
КІ ІК / ІЕ = 0,95 0,99 (UКБ = const).
Коефіцієнт підсилення за напругою визначається за формулою
КU = Uвих / Uвх (ІК Rн) / (ІЕ Rвх) = (ІЕ /ІЕ)(Rн / rЕ) = Rн / rЕ
Наприклад, rЕ = 100 Ом, Rн = 103 Ом, = 0,95, то КU =0,95103/100 = 9,5.
Коефіцієнт підсилення за потужністю:
КР = Рвих / Рвх = (ІК2 Rн) /(ІЕ2 Rвх) = КІ КU = 2Rн / rЕ 0,910 9.
В схемі із спільним емітером (рис. 2.17-б) вхідний сигнал також прикладається до емітера і бази. Джерело живлення колектора Е2 включене між емітером і колектором. Емітер є спільним для вхідного і вихідного кіл.
б) Особливістю схеми із спільним емітером є те, що вхідним струмом є незначний по відношенню до інших струм бази. Вихідним струмом в цій схемі, як і в схемі із спільною базою, є струм колектора. Отже, коефіцієнт прямої передачі струму для схеми із спільним емітером – = Івих / Івх = ІК / ІБ, тобто в схемі із спільним емітером можна отримати коефіцієнт прямої передачі струму в кілька десятків.
Вхідний опір транзистора в схемі із спільним емітером значно більший, ніж в схемі із спільною базою, оскільки:
Rвх = Uвх / Івх = Uвх / ІБ >> Uвх / ІЕ.
Коефіцієнту підсилення транзистора із спільним емітером за струмом для активного навантаження відповідає коефіцієнт передачі струму бази:
КІ ІК / ІБ = ІК / (ІЕ – ІК) / (1 – ) >> 1
і на відміну від схеми із спільною базою транзистор в схемі із спільним емітером забезпечує підсилення по струму.
Коефіцієнт підсилення за напругою:
КU = Uвих / Uвх = UКЕ / | UЕБ | Rн / rЕ,
тобто як і в схемі із спільною базою, транзистор в схемі із спільним емітером підсилює сигнал і за напругою.
Коефіцієнт підсилення за потужністю дорівнює добутку коефіцієнтів:
КР = КІ КU = 2Rн / rЕ.
Вхідний опір визначається формулою
Rвх = UЕБ / ІБ = ІЕ rЕ / ІБ rЕ.
в) Схема із спільним колектором (рис. 2.17-в) ще називається емітерним повторювачем. Вхідним є коло база–колектор, вихідним – коло колектор–емітер; спільним електродом є колектор, безпосередньо до нього під’єднаний позитивна клемам джерела Е2. Навантаження під’єднано до емітера. По колектору проходить струм ІК = ІЕ – ІБ.
Коефіцієнт прямої передачі струму майже такий як і в схемі із спільним емітером:
КІ ІЕ / ІБ = ІЕ / (ІЕ – ІК) = ІЕ / (ІЕ – ІЕ) = = / (1 – ) = + 1 .
Особливість схеми із спільним колектором полягає в тому, що коефіцієнт підсилення по напрузі КU завжди менший одиниці, так вихідна напруга Uвих в цій схемі практично складає частину вхідної.
Інша особливість полягає в тому, що вихідний сигнал співпадає за фазою з вхідним (звідси назва схеми – емітерний повторювач).
Транзистор в схемі включення із спільним колектором зручно застосовувати як узгоджуючий елемент, що вводиться в пристроях між високоомним попереднім колом і низькоомним навантаженням.
Відмінними властивостями схеми з СК вважається високий вхідний опір (до 100 кОм) і невеликий вихідний опір (менше 100 Ом), а також однакова фаза вихідного сигналу по відношенню до вхідного.