- •Вступ 6 зм 1. Електричні властивості напівпровідників 9
- •Зм 2. Напівпровідникові прилади 26
- •Зм 3. Електронні пристрої 79
- •Зм 4. Електронні елементи мікропроцесорної техніки 164
- •Зм 1. Електричні властивості напівпровідників
- •1.1. Основи зонної теорії твердого тіла.
- •1.2. Електропровідність напівпровідників.
- •1.2.1. Власна електропровідність напівпровідників
- •1.2.2. Домішкова електропровідність напівпровідників
- •1 .2.3. Ефекти, що пов’язані з електропровідністю напівпровідників
- •1.3. Властивості електронно-діркового переходу.
- •1.3.1. Формування електронно-діркового переходу.
- •1.3.2. Властивості n-p переходу при підключенні зовнішньої напруги
- •1.3.3. Тунельний ефект
- •1.4. Питання для самоперевірки.
- •Зм 2. Напівпровідникові прилади
- •2.1. Напівпровідникові діоди1
- •2.1.1. Випрямляючі діоди
- •2.1.2. Стабілітрони і схеми стабілізації напруги.
- •2.1.3. Варикапи
- •2.1.4. Тунельні діоди
- •2.1.5. Інші види діодів
- •2.2. Біполярні транзистори і їх використання в електронних пристроях
- •2.2.1. Устрій та принцип роботи біполярного транзистора.
- •2.2.2. Режими роботи біполярного транзистора.
- •2.2.3. Схеми включення транзисторів.
- •2.2.4. Вольт-амперні характеристики біполярних транзисторів та режими роботи (на прикладі n-p-n транзисторів).
- •2.2.5. Транзистор як активний чотирьохполюсник.
- •2.3. Уніполярні транзистори.
- •2.4. Тиристори
- •2.5. Питання для самоперевірки.
- •Зм 3. Електронні пристрої
- •3.1. Випрямлячі змінного струму.
- •3.2. Підсилювачі електричних сигналів.
- •3.2.1. Загальна інформація.
- •3.2.2. Характеристики підсилювачів
- •3.2.3. Зворотний зв’язок в підсилювачах.
- •3.2.4. Схеми підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах.
- •3.2.5. Особливості роботи схеми попередніх каскадів підсилювача.
- •3.2.6. Режими роботи підсилюючих елементів.
- •3.2.7. Особливості роботи схеми кінцевого каскаду підсилювача.
- •3.2.8. Складені транзистори.
- •3.2.9. Спеціальні види підсилювачів.
- •3.3. Транзисторні генератори електричних сигналів.
- •3.3.1. Генератори синусоїдальних коливань.
- •3.3.2. Генератори імпульсів складної форми.
- •3.3.2.1. Параметри імпульсів прямокутної форми.
- •3.3.2.2. Мультивібратори.
- •3.3.2.3. Очікуючий мультивібратор або одновібратор.
- •3.3.2.4. Блокінг-генератори.
- •3.3.2.5. Генератори пилкоподібної напруги (гпн).
- •3.3.3. Генератори сигналів на операційних підсилювачах1.
- •3.4. Питання для самоперевірки.
- •Зм 4. Електронні елементи мікропроцесорної техніки
- •4.1. Уявлення про мікропроцесорну техніку, мікропроцесорні засоби і мікропроцесорні системи.
- •4.2. Структура мікропроцесорної системи.
- •4.2.1. Загальне уявлення про мікропроцесорну систему.
- •4.2.2. Мікропроцесорні засоби в системах керування
- •4.3. Елементи математичного апарату цифрової техніки.
- •4.3.1. Системи числення.
- •4.3.2. Фізичне уявлення інформації в мп-системі.
- •4.3.3. Форми представлення чисел.
- •4.3.4. Кодування чисел в мп-системах
- •4.3.5. Поняття булевої змінної та булевої функції
- •4.3.6. Операції та закони булевої алгебри.
- •4.3.7. Функціонально повні системи булевих функцій.
- •4.3.8. Мінімізація булевих функцій.
- •4.4. Цифрові схеми та цифрові автомати.
- •4.4.1. Елементи ртл.
- •4.4.2. Елементи дтл.
- •4.4.3. Елементи ттл.
- •4.4.4. Елементи езл.
- •4.4.5. Інтегральні схеми на моп–транзисторах.
- •4.5. Комбінаційні цифрові пристрої.
- •4.5.1 Дешифратор.
- •4.5.2. Перетворювачі кодів і шифратори.
- •4.5.3. Мультиплексори і демультиплексори.
- •4.5.4. Напівсуматор і суматор.
- •4.6. Послідовнісні пристрої.
- •4.6.1. Тригери.
- •4.6.1.1. Синхронний однотактний rs–тригер.
- •4.6.1.2. Синхронний двотактний rs–тригер.
- •4.6.2. Регістри.
- •4.6.2.1. Прийом і передача інформації в регістрах.
- •4.6.2.2. Схемна реалізація зсуваючого регістру
- •4.6.2.3. Реалізація порозрядних операцій в регістрах.
- •4.6.3. Лічильники.
- •4.6.3.1. Загальне уявлення і класифікація.
- •4.6.3.2. Лічильник з безпосередніми зв’язками з послідовним переносом.
- •4.6.3.3. Лічильник з паралельним переносом.
- •4.6.3.4. Реверсивний лічильник з послідовним переносом.
- •4.6.4. Накопичуючі суматори.
- •4.6.4.1. Однорозрядний накопичуючий суматор.
- •4.6.4.2. Багаторозрядні суматори
- •4.6.5. Електронні елементи пам’яті.
- •4.6.6. Перетворювачі сигналів.
- •4.7. Питання для самоперевірки.
- •Додаток
- •Префікси для кратних одиниць
- •Список рекомендованої літератури
4.4.1. Елементи ртл.
Резисторно-транзисторна логіка (РТЛ) – це технологія побудови логічних електронних схем на основі простих транзисторних ключів.
На рис. 4.15 представлені схема (а) та умовні позначення інвертора в системі DIN (б) і системі ANSI (в), який реалізує логічну функцію НЕ (заперечення), тобто у = f(х) = . Транзистор включений за схемою із спільним емітером і працює в ключовому режимі. Колектор транзистора з’єднаний через резистор з шиною живлення (як правило +3,15 В), а емітер з корпусом. До бази підключений резистор, що є входом. При відсутності на вході цієї схеми сигналу (х = 0, рівень напруги близький до нуля) на виході її буде висока напруга (близька до напруги живлення), відповідна рівню логічної 1 (у = 1), оскільки в цьому випадку транзистор закритий, і, отже, його внутрішній опір великий. При подачі на вхід схеми напруги, відповідної рівню логічної 1 (х = 1), на виході її буде низька напруга, відповідна рівню логічного 0 (у = 0), оскільки в цьому випадку транзистор відкритий і опір його малий (практично відбудеться закорочування виходу на корпус).
а) б) в)
Рис. 4.15.
На рис. 4.16 наведена схема повторення (а) і її умовні графічні позначення в системі DIN (б) і системі ANSI (в). Схема реалізує операцію повторення, тобто y = f(x) = х.
а) б) в)
Рис. 4.16.
Транзистор VT1 включений за схемою із спільним колектором (емітерний повторювач), завдяки чому вихідний сигнал є повторенням вхідного сигналу, підсиленим за потужністю (див. ч. 2, п. 2.2.3).
На рис. 4.17 наведена схема (а) включення транзисторів в коло за схемою із спільним колектором. Це коло є повторювачем вхідного сигналу і застосовується в багатьох логічних схемах, здійснюючи операцію диз’юнкції вхідних сигналів (логічне додавання, операція АБО), тобто операцію y = f(x 1, x 2 , x 3 ) = x 1 x 2 x 3 . На виході утвориться висока напруга, відповідна рівню логічної 1, якщо хоча б один із транзисторів буде відкритий, тобто на його вхід (базу) надійде висока напруга, відповідна рівню логічної 1. Наведені умовні позначення схеми 3АБО1 в системах DIN (б) та ANSI (в).
а) б) в)
Рис. 4.17.
На рис. 4.18 наведена схема 3АБО–НЕ (а) і її умовні графічні позначення в системах DIN (б) та ANSI (в). Схема реалізує функцію y = f(x) = , тобто відтворює диз’юнкцію для трьох змінних і отриманий результат інвертує. В цій схемі транзистори включені в коло за схемою із спільним емітером.
а) б) в)
Рис. 4.18.
Резисторно-ємнісна транзисторна логіка (РЄТЛ) аналогічна РТЛ, але в ній є конденсатори на входах, які пропускають тільки імпульси. Як правило передбачається можливість використовувати РЄТЛ-елемента як РТЛ. Таким чином чіткої межі між ними немає. Просто РЕТЛ більш «інтегрована».
До переваг РТЛ можна віднести конструктивну простоту та низьку вартість.
Як недоліки РТЛ відзначаються:
висока розсіювана потужність (як на включеному транзисторі так і на резисторах);
нечіткий рівень сигналів (рівень одиниці від ~ 0,9 В до напруги живлення);
вкрай низька швидкодія;
низька завадостійкість;
складність розробки;
низька навантажувальна здатність виходів (зазвичай не більше трьох входів інших елементів).
Після переходу на інтегральні мікросхеми РТЛ практично зникла і застосовується тільки в спеціальних цілях.