- •Вступ 6 зм 1. Електричні властивості напівпровідників 9
- •Зм 2. Напівпровідникові прилади 26
- •Зм 3. Електронні пристрої 79
- •Зм 4. Електронні елементи мікропроцесорної техніки 164
- •Зм 1. Електричні властивості напівпровідників
- •1.1. Основи зонної теорії твердого тіла.
- •1.2. Електропровідність напівпровідників.
- •1.2.1. Власна електропровідність напівпровідників
- •1.2.2. Домішкова електропровідність напівпровідників
- •1 .2.3. Ефекти, що пов’язані з електропровідністю напівпровідників
- •1.3. Властивості електронно-діркового переходу.
- •1.3.1. Формування електронно-діркового переходу.
- •1.3.2. Властивості n-p переходу при підключенні зовнішньої напруги
- •1.3.3. Тунельний ефект
- •1.4. Питання для самоперевірки.
- •Зм 2. Напівпровідникові прилади
- •2.1. Напівпровідникові діоди1
- •2.1.1. Випрямляючі діоди
- •2.1.2. Стабілітрони і схеми стабілізації напруги.
- •2.1.3. Варикапи
- •2.1.4. Тунельні діоди
- •2.1.5. Інші види діодів
- •2.2. Біполярні транзистори і їх використання в електронних пристроях
- •2.2.1. Устрій та принцип роботи біполярного транзистора.
- •2.2.2. Режими роботи біполярного транзистора.
- •2.2.3. Схеми включення транзисторів.
- •2.2.4. Вольт-амперні характеристики біполярних транзисторів та режими роботи (на прикладі n-p-n транзисторів).
- •2.2.5. Транзистор як активний чотирьохполюсник.
- •2.3. Уніполярні транзистори.
- •2.4. Тиристори
- •2.5. Питання для самоперевірки.
- •Зм 3. Електронні пристрої
- •3.1. Випрямлячі змінного струму.
- •3.2. Підсилювачі електричних сигналів.
- •3.2.1. Загальна інформація.
- •3.2.2. Характеристики підсилювачів
- •3.2.3. Зворотний зв’язок в підсилювачах.
- •3.2.4. Схеми підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах.
- •3.2.5. Особливості роботи схеми попередніх каскадів підсилювача.
- •3.2.6. Режими роботи підсилюючих елементів.
- •3.2.7. Особливості роботи схеми кінцевого каскаду підсилювача.
- •3.2.8. Складені транзистори.
- •3.2.9. Спеціальні види підсилювачів.
- •3.3. Транзисторні генератори електричних сигналів.
- •3.3.1. Генератори синусоїдальних коливань.
- •3.3.2. Генератори імпульсів складної форми.
- •3.3.2.1. Параметри імпульсів прямокутної форми.
- •3.3.2.2. Мультивібратори.
- •3.3.2.3. Очікуючий мультивібратор або одновібратор.
- •3.3.2.4. Блокінг-генератори.
- •3.3.2.5. Генератори пилкоподібної напруги (гпн).
- •3.3.3. Генератори сигналів на операційних підсилювачах1.
- •3.4. Питання для самоперевірки.
- •Зм 4. Електронні елементи мікропроцесорної техніки
- •4.1. Уявлення про мікропроцесорну техніку, мікропроцесорні засоби і мікропроцесорні системи.
- •4.2. Структура мікропроцесорної системи.
- •4.2.1. Загальне уявлення про мікропроцесорну систему.
- •4.2.2. Мікропроцесорні засоби в системах керування
- •4.3. Елементи математичного апарату цифрової техніки.
- •4.3.1. Системи числення.
- •4.3.2. Фізичне уявлення інформації в мп-системі.
- •4.3.3. Форми представлення чисел.
- •4.3.4. Кодування чисел в мп-системах
- •4.3.5. Поняття булевої змінної та булевої функції
- •4.3.6. Операції та закони булевої алгебри.
- •4.3.7. Функціонально повні системи булевих функцій.
- •4.3.8. Мінімізація булевих функцій.
- •4.4. Цифрові схеми та цифрові автомати.
- •4.4.1. Елементи ртл.
- •4.4.2. Елементи дтл.
- •4.4.3. Елементи ттл.
- •4.4.4. Елементи езл.
- •4.4.5. Інтегральні схеми на моп–транзисторах.
- •4.5. Комбінаційні цифрові пристрої.
- •4.5.1 Дешифратор.
- •4.5.2. Перетворювачі кодів і шифратори.
- •4.5.3. Мультиплексори і демультиплексори.
- •4.5.4. Напівсуматор і суматор.
- •4.6. Послідовнісні пристрої.
- •4.6.1. Тригери.
- •4.6.1.1. Синхронний однотактний rs–тригер.
- •4.6.1.2. Синхронний двотактний rs–тригер.
- •4.6.2. Регістри.
- •4.6.2.1. Прийом і передача інформації в регістрах.
- •4.6.2.2. Схемна реалізація зсуваючого регістру
- •4.6.2.3. Реалізація порозрядних операцій в регістрах.
- •4.6.3. Лічильники.
- •4.6.3.1. Загальне уявлення і класифікація.
- •4.6.3.2. Лічильник з безпосередніми зв’язками з послідовним переносом.
- •4.6.3.3. Лічильник з паралельним переносом.
- •4.6.3.4. Реверсивний лічильник з послідовним переносом.
- •4.6.4. Накопичуючі суматори.
- •4.6.4.1. Однорозрядний накопичуючий суматор.
- •4.6.4.2. Багаторозрядні суматори
- •4.6.5. Електронні елементи пам’яті.
- •4.6.6. Перетворювачі сигналів.
- •4.7. Питання для самоперевірки.
- •Додаток
- •Префікси для кратних одиниць
- •Список рекомендованої літератури
Список рекомендованої літератури
Анвельт М.Ю. и др. Электротехника /Под ред. B.C. Пантюшина. – М.: Высшая школа, 1976. – 382 с.
Борисов Ю.М., Липатов Д.И. Общая электротехника. – М.: Высшая школа, 1974. – 485 с.
Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники: Учебник. – 4-е изд., перераб. и доп. – К.: Выща шк., 1989. – 423 с.
Глазенко Т.А., Прянишников В.А Электротехника и основы электроники. – М.: Высшая школа, 1996. – 320 с.
Дьяконов В.И, Абраменкова K.B. MATHCAD & PRO в математике, физике и Internet. – М.: Нолидж, 1999. – 503 с.
Иванов И.И., Равдоник B.C. Электротехника. – М.: Высшая школа, 1984. – 375 с.
Карандаков Г.В., Кривенко В.І. Конспект лекцій з дисципліни «Електротехніка, електроніка і мікропроцесорна техніка». – Київ, НТУ. 2006, 2008. – 220 с.
Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. – М.: Солон – Р, 2000.– 506 с.
Методичні вказівки до виконання розрахункових завдань модульного контролю з дисципліни «Основи електротехніки і електроніки». Для студентів денної форми навчання, напряму підготовки «Комп’ютерні науки». Укл. Кривенко В.І. – К.: Вид-во Київського національного університету культури і мистецтв, 2008. – 65 с.
Методичні вказівки до практичних занять з дисципліни «Основи електротехніки і електроніки». Для студентів денної форми навчання, напряму підготовки «Комп’ютерні науки». Укл. Кривенко В.І. – К.: Вид-во Київського національного університету культури і мистецтв, 2008. – 84 с.
Общая радиотехника/ М.М.Могилевский, И.Д.Анохина, Н.И.Бревда – К.: Вища шк. Головное изд-во., перераб. и доп. – 1985. – 287 с.
Основи електротехніки і електроніки: Робоча програма для студентів денної форми навчання, напряму підготовки «Комп’ютерні науки» за індивідуальними планами навчання фахового випрямування «Програмне забезпечення автоматизованих систем» Укл: Кривенко В.І., – К.: Вид-во Київського національного університету культури і мистецтв, 2008. – 63 с.
Паначевний Б.1. Електротехніка. – Харків: Торнадо, 1999. – 288 с.
Прянишников В.А. Электроника. – СПб. КОРОНАпринт, 1998. – 400 с.
Сборник задач по электротехнике и основам электроники / Под ред. B.C.Пантюшина. – М.: Высшая школа, 1979. – 253 с.
Сборник задач с решениями по общей электротехнике / Под ред. В.К.Пономарёва. – М.: Высшая школа, 1972. – 184 с.
Харченко В.М. Основы электроники: Учеб. пособие для техникумов. – М.: Энергоиздат, 1982. – 352 с.
1 Як наслідок зменшення розмірів – зменшення параметрів «паразитних» реактивних елементів, що неявно присутні в схемі виробу – міжелектродних ємностей, взаємоіндукції шин, які впливають на час перехідних процесів, а отже і на час переходу з одного сталого стану в інший.
1 Макс Карл Ернст Людвіг Планк (нім. Max Karl Ernst Ludwig Planck; 23 квітня 1858, Кіль - 4 жовтня 1947, Геттінген) - видатний німецький фізик. Як засновник квантової теорії визначив основний напрям розвитку фізики з початку XX століття.
1 Нільс Хенрік Давид Бор (дат. Niels Henrik David Bohr; 7 жовтня 1885, Копенгаген - 18 листопада 1962, Копенгаген) – данський фізик-теоретик і громадський діяч. Н. Бор відомий як творець першої квантової теорії атома і активний учасник розробки основ квантової механіки. Також він вніс значний вклад у розвиток теорії атомного ядра і ядерних реакцій, процесів взаємодії елементарних частинок з середовищем.
2 Енрíко Фéрмі (італ. Enrico Fermi, у професійній мові фізиків: Фермí; 29 вересня 1901, Рим - 28 листопада 1954, Чикаго) – видатний італійський фізик, який зробив великий внесок у розвиток сучасної теоретичної та експериментальної фізики, один з засновників квантової фізики.
3 Поль Адрієн Моріс Дірáк (фр. Paul Adrien Maurice Dirac; 8 серпня 1902, Брістоль - 20 жовтня 1984, Таллахассі) – англійський фізик-теоретик, один із творців квантової механіки
1 Відсутність врівноваженого від’ємного заряду еквівалентно присутності додатного заряду.
2 Дірка – квазічастинка, носій позитивного заряду, що дорівнює елементарному заряду, в напівпровідниках. Визначення за ГОСТ 22622-77: Незаповнений валентний зв’язок, який проявляє себе як позитивний заряд, чисельно рівний заряду електрона. Поняття дірки вводиться в зонній теорії для опису електронних явищ в не повністю заповненій електронами валентній зоні.
1 Напівпровідник, основний склад якого утворений атомами одного хімічного елемента, називається простим напівпровідником (за ГОСТ 22622-77).
1 Така структура отримала назву МДН (метал–діелектрик–напівпровідник).
1 Діод (від грец. δι - два і -од зі слова електрод) − двухелектродний електронний прилад.
1 Випрямляч змінної напруги – пристрій, що забезпечує живлення споживачів постійного струму від мережі змінного струму.
1 Шунт (англ. shunt – відгалуження) – електричне (або магнітне) відгалуження, яке вмикають паралельно до основного кола, коли через нього недоцільно пропускати весь струм.
1 За традицією на вихідних характеристиках транзисторів третій квадрант вольт-амперної характеристики n-p переходу показаний на місці першого квадранту.
1 Аналогічно напрузі на клемах джерела (див. ч. 1, п. 1.1.2).
1 Пристрій, що має два вхідних і два вихідних контакти і властивість підсилювати потужність підведеного до нього електричного сигналу, називають активним чотирьохполюсником.
1 Ці елементи, в принципі, обернені. Стоком є той із них, на який при відповідній полярності напруги надходять робочі носії каналу. Якщо канал n-типу, то робочі носії – електрони і полярність стоку додатна.
1 Полярність напруг зазначається відносно провідностей елементів транзисторів, показаних на рис. 9.29.
1 Сутність тунельного ефекту розглядається у п.1.3.3.
1 α1 – коефіцієнт передачі діркового струму через базу n2; α2 – коефіцієнт передачі електронного струму через базу р3.
1 Основною напругою називають напругу між анодом і катодом діністора; основним струмом називають струм, що проходить через анод і катод діністора.
1 Основні електроди – електроди тиристора, які під’єднуються до кола навантаження – анод і катод.
1 Розкладення в ряд Фур’є періодичної імпульсної функції напруги на навантаженні для однопівперіодної схеми випрямляча має вид: u(t) = 2Um /(1/2 + /4cos t + 1/3cos 2t + …).
1 Показану схему випрямляча ще називають трифазною мостовою.
1 Логарифмічна величина, яка визначається через натуральний логарифм, називається непер [Нп, Np(англ)] і зараз майже не використовується.
1 Див. розділ «Електротехніка» / 1.1. Елементи і режими роботи електричних кіл. / Режими роботи електричних кіл.
1 Див. розділ «Електротехніка / 5. Трансформатори»
2 Див. розділ «Основи електроніки / 9. Напівпровідникові діоди; 10.1. Випрямлячі змінного струму.
1 В загальному випадку коефіцієнти К і β та інші параметри підсилювальних кіл зображуються через комплексні числа, як це показано на рис. 3.20 – 3.23.
1 Резистор, опір якого залежить від температури.
2 Терморезистор може бути включений і послідовно з RБ 2.
1 На відміну від аналогових обчислювальних систем у цифрових системах застосоване числове уявлення інформації в двійковокодованій системі числення. Відповідно, електронні пристрої, що реалізують в таких системах логічні функції, мають два стани: один відповідає логічному 0, інший – логічній 1.
1 В теорії автоматичного регулювання передаточною функцією називають відношення зображення за Лапласом функції вихідної координати Y(p) до вхідної Х(р) при нульових незалежних початкових умовах.
2 Найважливіша проблема ППС – зниження рівня дрейфу нуля. Під дрейфом нуля розуміють відношення вхідної напруги, що викличе таку ж зміну вихідної напруги, як і зміну зумовлену зміною деякого параметру при відсутності вхідного сигналу до зміни параметру, що її викликав. При цьому розрізняють температурний дрейф (Uвх(0) / T°), дрейф, зумовлений зміною напруги джерела живлення (Uвх(0) / Uдж), дрейф, викликаний старінням підсилювача (Uвх(0) / t).
3 Такі входи або виходи на графічних позначення функціональних елементів позначаються кружечками.
1 Цей добуток називається глибиною зворотного зв’язку (див. ч. 2, п. 3.2.3)
1 ДОБРОТНІСТЬ КОНТУРА – характеризує якість коливального контуру, позначається Q. Чисельно дорівнює відношенню напруги на будь-якій з реактивних ділянок на резонансі до напруги, що підводиться до контуру, або відношення реактивного опору до активного. При великій добротності контуру напруга на ньому значно перевищує напругу на вході контуру.
2 ХВИЛЕВИЙ ОПІР КОНТУРА – відношення амплітуди напруги на конденсаторі або рівній їй амплітуди ЕРС самоіндукції на котушці до амплітуди струму в коливальному контурі при послідовному резонансі. Також називають характеристичним опором контуру.
1 Числа і 29 з’являються в результаті розв’язання системи рівнянь, яка зв’язує струми і напруги фазообертового кола в режимі генерації. Розв’язання може бути виконано, наприклад методом контурних струмів.
2 Нагадаємо, що емітерний повторювач, тобто транзистор, включений за схемою із спільним колектором, не змінює фазу сигналу.
1 http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/op/index.htm
1 Для створення міжкомпонентних з’єднань і контактних майданчиків зазвичай використовують алюміній і золото.
2 В графічних позначеннях транзисторів, що входять до складу ІС, коло, яке взагалі позначає окремий корпус, не зображується.
1 Як приклад, мікросхема процесора Intel Pentium 4 (2000 р.) містить біля 42 млн. транзисторів на площині в 217 кв. мм., ІС процесора Intel Itanium 2 (2003 р.) містить 410 млн. транзисторів Розмір області кристалу в наступних процесорах, яка виконує роль окремого транзистора, складає 90 нм (нанометрів, мілімікронів; 0,09 µm). Так, двоядерний Itanium на ядрі Montecito містить 1,72 млрд. транзисторів. На цей час вже використовується 45-нанометрова технологія, тобто на тій же площі кристалу основи розміщується кілька міліардів тільки транзисторів, не рахуючи інших компонентів.
1 Декатрон — багатоелектродна газорозрядна лампа з холодним катодом, призначена для роботи в цифрових схемах лічильників, регістрів зсуву, комутаторів, дільників частоти. Як правило, на одній лампі реалізується десятирозрядний (декадний лічильник), від цього і походить назва лампи (дека-: десять). Декатрони були витиснені напівпровідниковими інтегральними схемами в 1970-і роки. Лампи-лічильники, в яких коефіцієнт ділення відмінний від десяти, також називаються поліатронами.
1 Клод Елвуд Шенон (англ. Claude Elwood Shannon; народився 30 квітня 1916, Петоцки, Мічіган, США, помер 24 лютого 2001, Медфорд, Массачусетс, США) – американський математик і електротехнік, один з творців математичної теорії інформації, значною мірою зумовив своїми результатами розвиток загальної теорії дискретних автоматів, які є важливими складовими кібернетики.
1 Операнд (operand) – величина в виразі, над якою здійснюється операція.
1 В зображенні логічних операцій в схемах логічних перетворень (а також електронних логічних елементів, які реалізують операції) використовується один із двох стандартів: DIN – європейська (німецька) система позначень і ANSI – система, що прийнята в США. Більше наближена до вітчизняної, яка використовує міждержавний стандарт (ГОСТрос.), європейська система DIN. Тому тут і далі подається два зображення: ліворуч – за системою DIN, праворуч – за системою ANSI.
1 Термін ідемпотентність означає властивість будь-чого (об’єкту), яке виявляється в тому, що повторна дія над об’єктом не змінює його.
2 Інволюція (від лат. involutio – згортання) – перетворення, яке є зворотним самому собі.
1 Карти Карно були винайдені в 1952 Едвардом В. Вейч’ем і вдосконалені в 1953 Морісом Карно, фізиком з корпорації «Белл Лабс», з метою допомогти спростити цифрові електронні схеми.
2 Таку групу називають прямокутником Карно.
1 Тут і далі перша цифра в позначенні схеми означає кількість входів. 3АБО означає, що схема реалізує диз’юнкцію для трьох змінних, що відповідно надходять на входи x 1, x 2 , x 3.
1 Крозг. – коефіцієнт розгалуження; максимальна кількість аналогічних схем, на які одночасно може бути поданий вихідний сигнал даної схеми, при збереженні надійного розпізнавання логічних нуля і одиниці.
1 Парафазний сигнал, на відміну від однофазного сигналу, − сигнал, що уявляє собою два сигнали, які подають одночасно пряме і протилежне значення інформації. Так, парафазний код передається по двом лініям зв’язку у вигляді прямого та інверсного значення біта інформації, тобто, в залежності від значення біта, або комбінацією 0, 1, або комбінацією 1, 0.
1 Синхронним називають пристрій (тут дешифратор), у якому сигнал(и) на виході утворюється тільки при надходженні додаткового сигналу синхронізації.
1 Існують R-тригери, в якому при одночасному надходженні сигналів R = 1, S = 1 тригер скидається в стан 0; S-тригери, які в такій же ситуації встановлюються в стан 1; E-тригери, які в цьому випадку не змінюють свого стану; JK-тригери, які в змінюють свій стан на протилежний.
1 Високоімпедансний стан або Z-стан − такий стан контакту логічної схеми, при якому опір між контактом і рештою схеми дуже великий. Вивід, переведений у Z-стан, веде себе як не підключений до схеми. Зовнішні пристрої, підключені до цього виводу, можуть змінювати напругу на ньому, не впливаючи на роботу схеми. І навпаки − схема не заважає зовнішнім пристроям змінювати напругу на контакті.
1 Поняття «парафазний код» розглядається в п.4.4.4.