![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Содержание
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы
- •1.1 Введение 9
- •Тема 2. Строение твердого тела 23
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле 57
- •3.2. Точечные дефекты решетки 57
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики 99
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики 119
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупро-
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размер-
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей 192
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур 232
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантово-размерных структур 267
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов 341
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •1.1. Введение
- •1.2. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •Тема 2. Строение твердого тела. Цели и задачи изучения темы:
- •2.1. Кристалл.
- •2.2. Решетка Бравэ. Трансляция. Элементарная ячейка.
- •2.3.Элементы симметрии.
- •2.4. Группы симметрии. Сингонии.
- •2.5. Плотнейшие упаковки частиц в структурах.
- •2.6. Жидкие кристаллы.
- •2.7.Наночастицы с гранецентрированной решеткой. Кубоктаэдр.
- •Элементы симметрии.
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле.
- •3.1. Дефекты кристаллических решеток.
- •3.2. Точечные дефекты решетки
- •3.3. Линейные дефекты кристаллической решетки.
- •3.4 Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •3.5. Объёмные дефекты кристаллической решетки.
- •3.6. Энергетические дефекты кристаллической решетки.
- •3.7. Твёрдые растворы
- •Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных систем.
- •4.1. Типы диаграмм состояния.
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики.
- •5.1.Возникновение квантовой механики.
- •5.2. Волновая функция ψ. Плотность вероятности.
- •5.3. Соотношение неопределенности Гейзенберга.
- •5.4. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний.
- •5.5. Принцип причинности в квантовой механике.
- •5.6. Движение свободной частицы
- •5.7. Частица в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками».
- •5.8. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •5.9. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике.
- •Принцип причинности в квантовой механике.
- •Движение свободной частицы.
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики.
- •6.1. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций кванто-вой механики.
- •6.1.1. Современный взгляд на строение и свойства
- •6.1.2. Взгляд на строение атома с позиций квантовой механики.
- •6.2. Элементы зонной теории.
- •6.2.1.Основные положения зонной теории.
- •6.2.2. Волновая функция электрона в периодическом поле.
- •6.2. 3. Зоны Бриллюэна.
- •6.2.4. Методы расчета энергетической структуры кристаллов.
- •6.2.4.1. Приближение сильносвязанных электронов.
- •6.2.4.2. Приближение свободных электронов. Энергетический спектр электронов в прямоугольной потенциальной яме.
- •6.2.4.3. Приближение слабосвязанных электронов.
- •6.2.5. Модель Кронига – Пенни.
- •6.2.6. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники.
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупроводник. Генерация и рекомбинация носителей зарядов. Уровень Ферми. Эффективная масса носителя заряда. Примесный полупроводник. Цели и задачи изучения темы:
- •7.1. Полупроводники.
- •7.2.Собственные и примесные полупроводники. Носители заряда в полупроводниках.
- •7.3. Энергия Ферми.
- •7.4. Генерация и рекомбинация носителей зарядов.
- •7.5. Собственная проводимость полупроводника.
- •7.6. Примесные полупроводники.
- •7.6.1. Примесные уровни.
- •7.6.2. Примесная проводимость полупроводников.
- •7.6.3. Полупроводник р-типа.
- •7 .6.4. Сильно легированный полупроводник. Роль беспорядка в кристалле.
- •7.7. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников.
- •7.8. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
- •А плотность дырочного дрейфового тока
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размерные структуры.
- •8.1. Принцип размерного квантования
- •8.2. Условия наблюдения квантовых размерных эффектов.
- •8.3. Структуры с двумерным электронным газом.
- •8.4. Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити).
- •8.5. Структуры с нуль-мерным электронным газом
- •8.6. Структуры с вертикальным переносом.
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей.
- •9.1. Основные понятия термодинамики.
- •9.2. Три начала термодинамики.
- •9.3. Термодинамические потенциалы.
- •9.4. Термодинамическая теория фазовых равновесий.
- •9.4.1. Термодинамические системы.
- •9.4.2. Условия фазового равновесия.
- •9.4.3. Фазовые переходы.
- •9.5. Принцип локального равновесия.
- •9.6. Самоорганизация систем.
- •9.7. Поверхностные явления.
- •9.7.1. Поверхностная энергия.
- •9.7.2. Поверхностное натяжение.
- •9.7.3. Капиллярные явления.
- •9.7.4. Адсорбция, десорбция и испарение с поверхности.
- •9.8. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.1. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.2. Межфазные характеристики.
- •9.9. Механизмы роста пленок на реальных подложках.
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.1. Гетерогенные процессы формирования наноструктур
- •10.1.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •10.2. Газовая эпитаксия из металлоорганических соединений.
- •10.3. Метод нанолитографии.
- •10.4. Самоорганизация квантовых точек и нитей.
- •10.4.1. Режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.4.2. Рост наноструктур на фасетированных поверхностях.
- •10.4.3. Трехмерные массивы когерентно-напряженных островков.
- •10.4.4. Поверхностные структуры плоских упругих доменов.
- •1 0.4.5. Структуры с периодической модуляцией состава в эпи-таксиальных пленках твердых растворов полупроводников.
- •1 0.5. Изготовление наноструктур и наноприборов с помощью стм и асм.
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантоворазмерных структур.
- •11.1. Коллоидная и золь-гельная технология.
- •11.1.1. Формирование структур на основе коллоидных растворов.
- •11.1.2. Организация и самоорганизация коллоидных структур.
- •11.1.3. Оптические и электронные свойства коллоидных кластеров.
- •11.1.4. Коллоидные кристаллы. Формирование упорядоченных наноструктур.
- •11.1.5. Золь-гель технология.
- •11.1.6. Методы молекулярного наслаивания и
- •11.1.7. Методы получения металлов и диэлектриков.
- •11.2. Методы получения упорядоченных наноструктур. Гетероструктуры.
- •11.2.1. Гетероструктуры – основа получения наноструктур.
- •11.2.2. Формирование полупроводниковых и металлических нановолокон и спиралей.
- •11.2.3 Самоорганизация при эпитаксиальном росте.
- •12.2.3.1. Наногофрированные структуры.
- •11.2.3.2. Самоорганизация гетероэпитаксиальных структур.
- •11.3. Пучковые методы нанолитографии.
- •11.3.1. Литографические методы формирования структур.
- •11.3.2. Оптическая литография.
- •11.3.3. Рентгеновская литография.
- •11.3.4. Электронная литография.
- •11.3.5. Ионная литография.
- •11.3.6. Возможности пучковых методов нанолитографии в наноэлектронике.
- •11.3.7. Нанопечатная литография.
- •11.3.8. Ионный синтез квантовых наноструктур.
- •11.4. Рост на активированных поверхностях. Нановискеры.
- •11.5. Методы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.1. Физические основы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.2. Контактное формирование нанорельефа.
- •11.5.3. Бесконтактное формирование нанорельефа.
- •11.5.4. Локальная глубинная модификация поверхности.
- •11.5.5. Межэлектродный массоперенос.
- •11.5.6. Локальное анодное окисление.
- •11.5.8. Совместное использование лазера и стм
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов.
- •12.1. Введение.
- •12.2. Методы исследования химического состава поверхности.
- •12.2.1. Масс-спектроскопия.
- •12.2.3. Ионная масс-спектроскопия.
- •12.2.4. Фотоэлектронная спектроскопия.
- •12.2.5. Радиоспектроскопия.
- •12.3. Исследования физической структуры поверхности.
- •12.3.1. Рентгеноструктурный анализ.
- •12.3.2. Рентгеновская спектроскопия и дифракция.
- •1 2.3.2.1. Рассеяние на аморфных и частично упорядоченных объектах. Малоугловое рентгеновское рассеяние.
- •12.3.2.2. Рентгеновская спектроскопия поглощения: exafs, xans, nexafs.
- •12.3.3. Анализ поверхности электронным пучком.
- •12.3.4. Полевая эмиссионная микроскопия.
- •12.3.5. Сканирующая зондовая микроскопия.
- •12.3.5.1. Сканирующая туннельная микроскопия.
- •12.3.5.2. Атомно-силовая микроскопия.
- •12.3.6. Магнито – силовая микроскопия.
- •12.3.7. Электронная микроскопия.
- •12.3.8. Эллипсометрия.
- •12.4. Спектроскопия.
- •12.4.1. Инфракрасная и рамановская спектроскопия.
- •12.4.2. Фотоэмиссия и рентгеновская спектроскопия.
- •12.5. Методы исследования кинетических свойств объема и поверхности наноматериалов и наноструктур.
- •12.5.1. Исследование удельного сопротивления.
- •12.5.2. Диагностика поверхностных состояний.
- •12.5.3. Кинетические параметры.
9.4.3. Фазовые переходы.
Ф
азовые
переходы или фазовые превращения
представляют собой превращения вещества
из одной фазы в другую. Примерами
являются пере-ход газа в жидкость,
жидкость в твердое тело, переход метала
из ферромагнитного состояния в
парамагнитное и т. п. Изменение агрегатного
состояния вещества является одной из
форм фазового перехода.
В зависимости от того, как первые или вторые производные тер-модинамического потенциала G испытывают разрыв при фазовых переходах различают фазовые переходы первого и второго рода.
При фазовых переходах первого рода первая производная потенциала G, энтальпии и энтропии в точке перехода изменяются скачком. При этом выделяется или поглощается конечная теплота фазового превращения. В точке фазового перехода первого рода температура и давление остаются постоянными (рис. 9.4.1).
К фазовым переходам первого рода относятся все агрегатные превра-щения, переходы из одних кристаллических модификаций в другие, переход сверхпроводника в обычное состояние проводимости и т. п.
Фазовые переходы второго рода происходят при условии, когда вторые производные термодинамического потенциала G
теплоемкость
cжимаемость
объемный коэффициент термического расширения
и т. д. — изменяются скачком.
Теплота фазового превращения при фазовом переходе второго рода равна нулю.
К
фазовым переходам второго рода относят
процесс перехода фер-ромагнетика в
парамагнетик, процесс превращения гелия
в сверхтекучее состояние, процессы в
бинарных сплавах и т. д. (рис. 9.4.2).
Рассматриваются только равновесные фазовые переходы, в которых условия фазового перехода не нарушаются. При этом, в соответствии с правилом фаз, число фаз, находящихся в равновесии, не должно превышать числа компонентов, увеличенного на два.
Для однокомпонентной системы правило фаз Гиббса выражается соотношением С = 3 – Ф. Другими словами, в равновесной одно-компонентной системе число фаз не может быть больше трех, или одновре-менно не может существовать более трех равновесных фаз.
Правило фаз неприменимо к метастабильным фазам. Состояние одно-компонентной системы можно определить двумя параметрами, например, давлением и температурой.
При этом объем системы является функцией давления и температуры V = f(P,T). Отложим по трем координатам давление, объем и температуру. Такой график называется диаграммой состояния.
Построение пространственных диаграмм весьма затруднительно, и поэтому на практике используются плоские диаграммы. Плоские диаграммы описывают состояние системы и фазовые равновесия в ней при опреде-ленных термодинамических параметрах. В основе анализа диаграмм лежат принцип непрерывности и принцип соответствия. Согласно принципу непре-рывности при непрерывном изменении параметров свойства отдельных фаз изменяются непрерывно. пока не меняется число фаз или природа фаз. Свойства всей системы меняются скачкообразно в случае исчезновения старых фаз или появлении новых фаз. Согласно принципу соответствия, каждому компоненту фаз и каждой фазе соответствует равновесие двух фаз (на диаграмме состояния изображаются линией пересечения плоскостей). Равновесие трех фаз изображается точкой пересечения линий. Такая точка называется тройной точкой. По диаграмме состояния можно установить число фаз, их химическую природу и границы существования фаз.
И
з
пространственной диаграммы можно
выделить плоскую диаг-рамму в координатах
Р,
Т, характеризующую
состояние диоксида углерода (рис. 9.4.3).
Анализ этой диаграммы показывает, что
существуют три области давлений и
температур, при которых в устойчивом
состоянии находится жидкий и газообразный
диоксид углерода.
Любая точка, лежащая внутри этих областей, изображает состояние однофазной дивариантной системы так, что С = 3 – 1 = 2. Таким образом, в однокомпонентной однофазной системе в пределах соответствующих областей, можно произвольно менять параметры Р и Т без исчезновения существующей фазы или появления новой фазы. Точка, лежащая на линиях Оа, Ob, Ok изображает состояние равновесной двухфазной моновариантной системы с С = 3 – 2 = 1.
Точка k называется критической точкой. В этой точке состояние равно-весной двухфазной системы соответствует тождественности термодинами-ческих свойств жидкости и газа (пара). В этом случае С = 3 – 2 – 1 = 0, то есть система становится инвариантной. Точка О, в которой пересекаются линии Оа, Ob, Ok, является тройной точкой. В этой точке трехфазная система является инвариантной (С = 3-3 = 0).
Такое состояние системы характеризуется единственными строго определенными параметрами – Р и Т. Для диоксида углерода T = 216,55K и Р = 5,18∙105 Па (5,11 атм). Заметим, что диоксид углерода может быть полу-чен лишь при высоких давлениях. Твердый СО2 при атмосферном давлении переходит в газообразную фазу, минуя жидкое состояние.
Для двухкомпонентной системы (бинарной системы) правило фаз Гиббса определяется как С = 4 – Ф при условии изменения температуры и давления. Таким образом, в двухкомпонентной системе число фаз, одновре-менно находящихся в равновесии, не может быть больше четырех. Макси-мальное число независимых параметров системы равно трем: давление Р, температура Т, концентрация одного из компонентов X.
Состояние двухкомпонентной системы анализируют на плоских диаграммах, построенных в координатах температура – состав или давле-ние – состав. Состав двухкомпонентной системы в целом и составы отдельных фаз могут изменяться.
Гомогенная система, состоящая из двух компонентов (или их большего числа) называется раствором. Различают газообразные, жидкие, твердые растворы. Их исследуют в физической химии.