![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Содержание
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы
- •1.1 Введение 9
- •Тема 2. Строение твердого тела 23
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле 57
- •3.2. Точечные дефекты решетки 57
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики 99
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики 119
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупро-
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размер-
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей 192
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур 232
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантово-размерных структур 267
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов 341
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •1.1. Введение
- •1.2. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •Тема 2. Строение твердого тела. Цели и задачи изучения темы:
- •2.1. Кристалл.
- •2.2. Решетка Бравэ. Трансляция. Элементарная ячейка.
- •2.3.Элементы симметрии.
- •2.4. Группы симметрии. Сингонии.
- •2.5. Плотнейшие упаковки частиц в структурах.
- •2.6. Жидкие кристаллы.
- •2.7.Наночастицы с гранецентрированной решеткой. Кубоктаэдр.
- •Элементы симметрии.
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле.
- •3.1. Дефекты кристаллических решеток.
- •3.2. Точечные дефекты решетки
- •3.3. Линейные дефекты кристаллической решетки.
- •3.4 Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •3.5. Объёмные дефекты кристаллической решетки.
- •3.6. Энергетические дефекты кристаллической решетки.
- •3.7. Твёрдые растворы
- •Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных систем.
- •4.1. Типы диаграмм состояния.
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики.
- •5.1.Возникновение квантовой механики.
- •5.2. Волновая функция ψ. Плотность вероятности.
- •5.3. Соотношение неопределенности Гейзенберга.
- •5.4. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний.
- •5.5. Принцип причинности в квантовой механике.
- •5.6. Движение свободной частицы
- •5.7. Частица в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками».
- •5.8. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •5.9. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике.
- •Принцип причинности в квантовой механике.
- •Движение свободной частицы.
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики.
- •6.1. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций кванто-вой механики.
- •6.1.1. Современный взгляд на строение и свойства
- •6.1.2. Взгляд на строение атома с позиций квантовой механики.
- •6.2. Элементы зонной теории.
- •6.2.1.Основные положения зонной теории.
- •6.2.2. Волновая функция электрона в периодическом поле.
- •6.2. 3. Зоны Бриллюэна.
- •6.2.4. Методы расчета энергетической структуры кристаллов.
- •6.2.4.1. Приближение сильносвязанных электронов.
- •6.2.4.2. Приближение свободных электронов. Энергетический спектр электронов в прямоугольной потенциальной яме.
- •6.2.4.3. Приближение слабосвязанных электронов.
- •6.2.5. Модель Кронига – Пенни.
- •6.2.6. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники.
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупроводник. Генерация и рекомбинация носителей зарядов. Уровень Ферми. Эффективная масса носителя заряда. Примесный полупроводник. Цели и задачи изучения темы:
- •7.1. Полупроводники.
- •7.2.Собственные и примесные полупроводники. Носители заряда в полупроводниках.
- •7.3. Энергия Ферми.
- •7.4. Генерация и рекомбинация носителей зарядов.
- •7.5. Собственная проводимость полупроводника.
- •7.6. Примесные полупроводники.
- •7.6.1. Примесные уровни.
- •7.6.2. Примесная проводимость полупроводников.
- •7.6.3. Полупроводник р-типа.
- •7 .6.4. Сильно легированный полупроводник. Роль беспорядка в кристалле.
- •7.7. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников.
- •7.8. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
- •А плотность дырочного дрейфового тока
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размерные структуры.
- •8.1. Принцип размерного квантования
- •8.2. Условия наблюдения квантовых размерных эффектов.
- •8.3. Структуры с двумерным электронным газом.
- •8.4. Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити).
- •8.5. Структуры с нуль-мерным электронным газом
- •8.6. Структуры с вертикальным переносом.
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей.
- •9.1. Основные понятия термодинамики.
- •9.2. Три начала термодинамики.
- •9.3. Термодинамические потенциалы.
- •9.4. Термодинамическая теория фазовых равновесий.
- •9.4.1. Термодинамические системы.
- •9.4.2. Условия фазового равновесия.
- •9.4.3. Фазовые переходы.
- •9.5. Принцип локального равновесия.
- •9.6. Самоорганизация систем.
- •9.7. Поверхностные явления.
- •9.7.1. Поверхностная энергия.
- •9.7.2. Поверхностное натяжение.
- •9.7.3. Капиллярные явления.
- •9.7.4. Адсорбция, десорбция и испарение с поверхности.
- •9.8. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.1. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.2. Межфазные характеристики.
- •9.9. Механизмы роста пленок на реальных подложках.
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.1. Гетерогенные процессы формирования наноструктур
- •10.1.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •10.2. Газовая эпитаксия из металлоорганических соединений.
- •10.3. Метод нанолитографии.
- •10.4. Самоорганизация квантовых точек и нитей.
- •10.4.1. Режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.4.2. Рост наноструктур на фасетированных поверхностях.
- •10.4.3. Трехмерные массивы когерентно-напряженных островков.
- •10.4.4. Поверхностные структуры плоских упругих доменов.
- •1 0.4.5. Структуры с периодической модуляцией состава в эпи-таксиальных пленках твердых растворов полупроводников.
- •1 0.5. Изготовление наноструктур и наноприборов с помощью стм и асм.
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантоворазмерных структур.
- •11.1. Коллоидная и золь-гельная технология.
- •11.1.1. Формирование структур на основе коллоидных растворов.
- •11.1.2. Организация и самоорганизация коллоидных структур.
- •11.1.3. Оптические и электронные свойства коллоидных кластеров.
- •11.1.4. Коллоидные кристаллы. Формирование упорядоченных наноструктур.
- •11.1.5. Золь-гель технология.
- •11.1.6. Методы молекулярного наслаивания и
- •11.1.7. Методы получения металлов и диэлектриков.
- •11.2. Методы получения упорядоченных наноструктур. Гетероструктуры.
- •11.2.1. Гетероструктуры – основа получения наноструктур.
- •11.2.2. Формирование полупроводниковых и металлических нановолокон и спиралей.
- •11.2.3 Самоорганизация при эпитаксиальном росте.
- •12.2.3.1. Наногофрированные структуры.
- •11.2.3.2. Самоорганизация гетероэпитаксиальных структур.
- •11.3. Пучковые методы нанолитографии.
- •11.3.1. Литографические методы формирования структур.
- •11.3.2. Оптическая литография.
- •11.3.3. Рентгеновская литография.
- •11.3.4. Электронная литография.
- •11.3.5. Ионная литография.
- •11.3.6. Возможности пучковых методов нанолитографии в наноэлектронике.
- •11.3.7. Нанопечатная литография.
- •11.3.8. Ионный синтез квантовых наноструктур.
- •11.4. Рост на активированных поверхностях. Нановискеры.
- •11.5. Методы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.1. Физические основы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.2. Контактное формирование нанорельефа.
- •11.5.3. Бесконтактное формирование нанорельефа.
- •11.5.4. Локальная глубинная модификация поверхности.
- •11.5.5. Межэлектродный массоперенос.
- •11.5.6. Локальное анодное окисление.
- •11.5.8. Совместное использование лазера и стм
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов.
- •12.1. Введение.
- •12.2. Методы исследования химического состава поверхности.
- •12.2.1. Масс-спектроскопия.
- •12.2.3. Ионная масс-спектроскопия.
- •12.2.4. Фотоэлектронная спектроскопия.
- •12.2.5. Радиоспектроскопия.
- •12.3. Исследования физической структуры поверхности.
- •12.3.1. Рентгеноструктурный анализ.
- •12.3.2. Рентгеновская спектроскопия и дифракция.
- •1 2.3.2.1. Рассеяние на аморфных и частично упорядоченных объектах. Малоугловое рентгеновское рассеяние.
- •12.3.2.2. Рентгеновская спектроскопия поглощения: exafs, xans, nexafs.
- •12.3.3. Анализ поверхности электронным пучком.
- •12.3.4. Полевая эмиссионная микроскопия.
- •12.3.5. Сканирующая зондовая микроскопия.
- •12.3.5.1. Сканирующая туннельная микроскопия.
- •12.3.5.2. Атомно-силовая микроскопия.
- •12.3.6. Магнито – силовая микроскопия.
- •12.3.7. Электронная микроскопия.
- •12.3.8. Эллипсометрия.
- •12.4. Спектроскопия.
- •12.4.1. Инфракрасная и рамановская спектроскопия.
- •12.4.2. Фотоэмиссия и рентгеновская спектроскопия.
- •12.5. Методы исследования кинетических свойств объема и поверхности наноматериалов и наноструктур.
- •12.5.1. Исследование удельного сопротивления.
- •12.5.2. Диагностика поверхностных состояний.
- •12.5.3. Кинетические параметры.
Тема 12. Методы исследования наноматериалов 341
12.1. Введение 341
12.2. Методы исследования химического состава поверхности 341
12.2.1. Масс-спектроскопия 341
12.2.2. Оже-электронная спектроскопия 347
12.2.3. Ионная масс-спектроскопия 349
12.2.4. Фотоэлектронная спектроскопия 353
12.2.5. Радиоспектроскопия 355
12.3. Исследования физической структуры поверхности 357
12.3.1. Рентгеноструктурный анализ 357
12.3.2. Рентгеновская спектроскопия и дифракция 362
12.3.2.1. Рассеяние на аморфных и частично упорядоченных объектах. Малоугловое рентгеновское рассеяние 366
12.3.2.2. Рентгеновская спектроскопия поглощения:
EXAFS, XANS, NEXAFS 367
12.3.3. Анализ поверхности электронным пучком 370
12.3.4. Полевая эмиссионная микроскопия 374
12.3.5. Сканирующая зондовая микроскопия 376
12.3.5.1. Сканирующая туннельная микроскопия 376
12.3.5.2. Атомно-силовая микроскопия 383
12.3.6. Магнито – силовая микроскопия 387
12.3.7. Электронная микроскопия 389
12.3.8. Эллипсометрия 392
12.4. Спектроскопия 398
12.4.1. Инфракрасная и рамоновская спектроскопия 398
12.4.2. Фотоэмиссия и рентгеновская спектроскопия 402
12.5. Методы исследования кинетических свойств объема и
поверхности наноматериалов и наноструктур 407
12.5.1. Исследование удельного сопротивления 407
12.5.2. Диагностика поверхностных состояний 409
12.5.3. Кинетические параметры 411
Вопросы для повторения 413
Резюме по теме 414
Литература 414
Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
Цели и задачи изучения темы:
Целью изучения данной темы является ознакомление с терминами «нанотехнология», «наноматериалы», «нанонаука» и др. В этой же теме рассматривается возникновение и строение твердого тела, силы взаимо-действия и типы связей.
1.1. Введение
Развитие современной промышленности и науки тесно связанно с нанотехнологией. Термины «нанонаука», «нанотехнология», «наноматериа-лы», «наноэлектроника» и др появились на стыке физики, химии, мате-риаловедения, биологии, электронной и компьютерной техники. Приставка «нано» означает одна миллиардная часть; 1 нанометр (нм) = 10-9 м. Для сравнения толщина человеческого волоса 50 000 нм, клетка бактерии несколько сотен нанометров, а поставленные в ряд 10 атомов водорода соста-вят 1 нм. К объектам нанотехнологии относятся как индивидуальные части-цы, пленки, стержни или трубки (т. е. трех-, двух- и одномерные образования, а также нульмерные объекты – квантовые точки), так и их совокупность наноструктурные и нанопористые материалы вместе с нанокомпонентами и наноустройствами. Нижний предел размеров объектов нанотехнологии опре-деляется размером атомов и молекул, а верхний предел четко не определен. В некоторых литературных источниках можно встретить утверждения, что наноразмерные объекты имеют величину приблизительно от долей нанометра до 100 нм. Некоторая нечеткость формулировок связана с тем, что в настоя-щее время идет бурное формирование этой области знания.
Нобелевский лауреат по физике Ричард Фейман в 1959 году в своей лекции под названием “Внизу полным полно места” предсказывал огромные перспективы которые сулит изготовление материалов и устройств на атомно-молекулярном уровне. Он подчеркивал, что для работы в этой области необходима специальная измерительная аппаратура и специальное обору-дование. Такая аппаратура появилась в1980 годы (сканирующие туннельные и атомно-силовые микроскопы и другие устройства и приборы). Прогресс в вычислительной технике позволил моделировать и рассчитывать параметры наноматериалов. Были сформулированы принципы самоорганизации вещест-ва и “самосборки”. Реально все природные материалы и системы построены из нанообъектов. Строение природных материалов на молекулярном уровне определяет их свойства. Нанотехнология предполагает целенаправленное регулирование свойств на молекулярном уровне. Наноматериалы должны создаваться “снизу вверх”. До этого основным принципом в электронике и технике была миниатюризация “сверху вниз” (мелкие объекты создаются из крупных путем уменьшения масштаба). В настоящее время только формиру-ется понимание принципов конструирования наноматериалов и наноуст-ройств. Однако определенные успехи в различных областях науки и техники
и технологии были достигнуты. Идет успешное исследование применения нанообъектов в микроэлектронике и вычислительной технике. Было обнару-жено, что наночастицы могут избирательно проникать в раковые клетки, а углеродные нанотрубки на порядок прочнее стали (при удельном весе в шесть раз меньше) и т.д.
Свойства нановеществ и материалов связаны с тем что в их основе лежат нанообъекты размеры которых 10-9 – 10-7м, что сопоставимо с размерами атомов и молекул. В этих условиях существенным является влияние квантовомеханических эффектов, проявление волновой природы процессов переноса, возрастающей роли границ раздела. В наномире свойства материалов и устройств очень сильно зависят от их размеров. Например наноразмерный провод не обязательно должен подчиняться закону Ома. Закон Ома связывает силу тока, сопротивление и напряжение, но он не выполняется если провод имеет ширину в один атом и электроны вынуждены проходить по нему по одному друг за другом.
Можно сказать, что постепенно оформляются нанонаука – занима-ющаяся фундаментальными исследованиями наноматериалов и эффектов в них, нанотехнология – область знания посвященная способам создания нано-структур, наноинженерия – занимающаяся применением наноустройств.
Следует однако понимать и трезво оценивать значение, возможности и роль нанотехнологии в современном мире. Нанотехнология это не панацея от всех бед. Следует рассматривать ее как один из методов создания новых материалов, приборов и устройств, правда весьма эффективный. Эффективность этого метода в полной мере проявляется в сочетании и может быть реализована только при высоком уровне традиционных технологий (они гармонично, взаимно дополняют друг друга). Методы нанотехнологии применялись специалистами в различных областях материаловедения и микроэлектроники уже давно. Так, например, при помощи золь-гельных методов получали нанопорошки (в том числе и высоко температурных сверхпроводников (ВТСП)). Работы по молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых наноструктур (тонкопленочных гетероструктур) были практически одновременно начаты в СССР, Японии и США в начале 1970-х гг. Можно привести множество других примеров.
Поток информации, посвященный нанотехнологии, в настоящее время велик и постоянно растет, что происходит во многом благодаря тому, что нанотехнология и нанонаука являются междисциплинарными областями, в которых работают специалисты по технологии, медицине, физике, химии, биологии, экологии и т. д.
Широкий интерес к нанотехнологии в последнее время обусловлен надеждами получить устройства и материалы с принципиально новыми свойствами превосходящими современный уровень.