- •40.Диференціальні підсильвальні каскади.
- •1. Класифікація твердих тіл за їх електрофізичними властивостями. Модельні уявлення щодо електропровідності твердих тіл. Елементи зонної теорії твердих тіл.
- •Модельні уявлення щодо електропровідності тв. Тіл
- •Елементи зонної теорії тв. Тіл
- •2. Класична теорія електропровідності. Рухомість носіїв заряду, питомий опір та провідність.
- •3. Статистика електронів та дірок в напівпровідниках. Густина квантових станів. Функція розподілу Фермі – Дірака для електронів та дірок.
- •4. Залежність положення рівня Фермі від концентрації домішок та температури в напівпровідниках.
- •5. Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
- •6. Напівпровідник у зовнішньому електричному полі. Дебаєвська довжина екранування.
- •7. Модельні уявлення, щодо контакту двох напівпровідників із різними типами провідності. Ефект випрямлення струму на p-n переході.
- •9. Товщина шару об΄ємного заряду p-n переходу. Бар΄єрна та дифузійна ємність p-n переходу. Варікапи, їх характеристики та параметри.
- •10. Контакт вироджених n- та p- напівпровідників. Тунельний діоди, їх характеристики та параметри.
- •11. Пробой p-n-перехода. Стабилитрон.
- •12. Внутрішній фотоефекти. Фотодіоди та фототранзистори, їх характеристики та парметри.
- •13. Контакт метал – напівпровідник. Товщина шару об΄ємного заряду в контакті метал – напівпровідник.
- •14. Ефект випрямлення струму в контакті метал – напівпровідник. Діоди Шотки, їх характеристики та параметри.
- •15. Біполярні транзистори, їх характеристики та параметри.
- •16. Распределение носителей заряда в базе биполярного транзистора. Эффект модуляции толщины базы биполярного транзистора.
- •17. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
- •18. Схемы питания и стабилизации режима работы транзистора
- •21. Виды имс. Методы фотолитографии. Конструктивно-технологічні особливості біполярных имс, мдн- імс та гібридних імс.
- •23. Параллельный Колебательный Контур. Резонанс Токов.
- •24.Связанные контуры. Резонанс в индуктивно связанных контурах.
- •26 Четырехполюсники.
- •27. Електричні кола з розподіленими параметрами.
- •28.Не линейные электрические цепи.
- •29. Методы преобразования цепей
- •30. Методы расчёта сложных цепей. Метод Сигнальных графов
- •31. Переходные процессы в rc-цепях.
- •32. Переходные процессы в rl-цепях
- •33.Переходные процессы в rlc цепях
- •34.Операторный метод анализа переходных процессов.
- •35. Спектральный метод ряд фурье и его свойства.
- •36.Классификация усилителей. Основные хар-ки и параметры усилителей,
- •37. Классы усиления.
- •38. Усилитель низкой частоты
- •39. Обратные связи в усилителях.
- •40. Дифференциальные усилительные каскады
- •41. Выходные каскады усиления, характеристики и параметры.
- •46. Чм и фм –модуляция колебания.
- •45. Амплитудная модуляция
- •47. Детектирование сигналов. Детектор.
- •49. Мінімізація логічних пристроїв. Мінімізація із застосуванням карт Вейча.
- •50. Комбінаційні логічні пристрої. Типові функціональні вузли цифрових комбінаційних логічних пристроів
- •51.Перетворювачі кодів. Дешифратори.
- •52.Цифрові компаратори
- •53. Синхронний rs-тригери
- •57. Регістри
- •58. Лічильники
- •59. Дискретизация непрерервних сигналiв
- •60. Квантование сигналов
- •61.Фурье перетворення дискретных сигналiв
- •62. Алгоритми швидкого перетворення Фурьє
- •64. Рекурсивные и нерекурсивные фильтры
- •65 Методи синтезу цифрових фільтрів з нескінченною імпульсною характеристикою. Метод білінійного z-перетворення.
- •67.Ефекти кванування в цифрових фільтрах.
- •68. Явище епр. Тонка, надтонка та спер надтонка структура спектрів епр.
- •69. Форма ліній епр. Однорідне та неоднорідне розширення ліній епр.
- •71. Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
- •73.Двойные резонансы.
- •76. Отрицательные температуры и отрецательный коефициент поглощения.
- •79. Физические принципы лежащие в основе построения модуляторов лазерного излучения. Типы модуляторов.
5. Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
Рассмотрим теперь неоднородный п/п, в кот. концентрации электронов n(r) и дырок p(r) изменяются от точки к точке.
Пусть в п/п конц-ция носителей заряда возрастает в направлении оси х, как это изображено на рис.1. Проведем через точку х плоскость, перпендикулярную к оси х, и рассмотрим движение, носителей заряда в слоях 1 и 2 толщиной dx, расположенных справа и слева от этой плоскости. В рез-те хаотического движения носители заряда уйдут из слоя 1, но, поскольку каждый электрон может с равной вероятностью двигаться вправо и влево, половина их уйдет из слоя 1 в слой 2. Однако за это время в слой 1 придут носители заряда из слоя 2. Т.к. их число в слое 2 больше, чем в 1, то обратный поток электронов будет больше прямого.
Рис.1. К расчету градиента конц-ции носителей заряда.
Поток электронов In запишем ур-м:
(2)
где Dn –коэф. диффузии электронов.
Аналогично диффузионный поток дырок:
(3)
Где Dр - коэф. диффузии дырок.
Диффузионные токи электронов jn диф и дырок jp диф:
(4)
(5)
Диффузион. ток, возникающий из-за наличия градиента конц-ции носителей заряда, приведет к пространственному разделению зарядов. Это породит статическое эл. поле, кот. создаст дрейфовые токи электронов и дырок. При термодинамическом равновесии в каждой точке п/п дрейфовый ток будет уравновешивать диффузион. ток, потому суммарный ток будет рамен нулю. Под действием внешнего поля электроны и дырки приобретут направленное движение, в рез-те чего появятся электронные и дырочные токи проводимости. Если внешн. эл. поле слабое и не изменяет хар-ра движения носителей заряда, то дрейфовые составляющие плотности тока запишутся на основании з-на Ома в виде:
(8)
Полный ток для электронов и дырок равен:
(9)
(10)
Плотность общего тока будет определяться
Диффузион. ток существует только в п/п.
Ур-е непрерывности. Вывод ур-я непрерывности проведем для образца, в котором конц-ция электронов изменяется только в направлении оси х, это представлено на рис 1.
Рис.1.
Выделим в п/п слой толщиной dx и сечением 1 см². Пусть в момент времени t конц-ция электронов была n(x,t), тогда число электронов в этом объеме составит величину n(x,t) dx. В момент времени t+dt их кол-во будет n(x,t+dt)dx, и изменение числа электронов за время dt в объеме dx составит
(1)
Это изменение числа электронов может происходить в рез-те процессов генерации, рекомбинации, а также из-за наличия диффузии и дрейфа носителей заряда.
1) Под процессами генерации понимают все мех-мы, посредством которых электроны, находящиеся в В.З., на локальных уровнях примеси, могут быть возбуждены и переведены в З.П.
Будем считать, что в рассматриваемом случае возбуждение электронов, происходит за счет поглощения света п/п-м, и пусть число пар электрон-дырка, создаваемых светом за 1 с в 1 см³, будет равно G. Тогда световая генерация в объеме dx за время dt создает электроны в кол-ве: Gdxdt (2)
2) Изменение числа носителей заряда в объеме dx происходит также и в рез-те рекомбинации. Полная скорость рекомбинации Ro+R, где Ro – скор. рекомбинации при тепловом равновесии, R – при наличии внешн. воздействия. В случае линейной рекомбинации, когда время жизни не зависит от конц-ции электронов, изменение числа электронов вследствие рекомбинации R в объеме dx за время dt:
(3)
3) Процесс диффузии и дрейфа. Если In(x,t) – число электронов, проходящих через 1 см² поверхности за 1 с, то за время dt через границу слоя х в объем войдут электроны в кол-ве In(x,t) dx, а через границу x+dx выйдет In(x+dx,t )dt электронов. Изменение числа электронов в объеме dx в следствие разности этих потоков будет равно:
(4)
Полное изменение числа электронов в объеме dx за время dt составит величину
Откуда имеем:
(5)
Ур-е (5) назыв. ур-ем непрерывности для электронов. Аналогично для дырок:
(6)
Потоки электронов In и дырок Ip выразим через плотности тока:
(7)
Когда конц-ции носителей заряда являються ф-ми координат (x,y,z), ур-я непрерывности запишутся:
Для стационарного условия ур-я непрерывности в одномерном случае будут