- •40.Диференціальні підсильвальні каскади.
- •1. Класифікація твердих тіл за їх електрофізичними властивостями. Модельні уявлення щодо електропровідності твердих тіл. Елементи зонної теорії твердих тіл.
- •Модельні уявлення щодо електропровідності тв. Тіл
- •Елементи зонної теорії тв. Тіл
- •2. Класична теорія електропровідності. Рухомість носіїв заряду, питомий опір та провідність.
- •3. Статистика електронів та дірок в напівпровідниках. Густина квантових станів. Функція розподілу Фермі – Дірака для електронів та дірок.
- •4. Залежність положення рівня Фермі від концентрації домішок та температури в напівпровідниках.
- •5. Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
- •6. Напівпровідник у зовнішньому електричному полі. Дебаєвська довжина екранування.
- •7. Модельні уявлення, щодо контакту двох напівпровідників із різними типами провідності. Ефект випрямлення струму на p-n переході.
- •9. Товщина шару об΄ємного заряду p-n переходу. Бар΄єрна та дифузійна ємність p-n переходу. Варікапи, їх характеристики та параметри.
- •10. Контакт вироджених n- та p- напівпровідників. Тунельний діоди, їх характеристики та параметри.
- •11. Пробой p-n-перехода. Стабилитрон.
- •12. Внутрішній фотоефекти. Фотодіоди та фототранзистори, їх характеристики та парметри.
- •13. Контакт метал – напівпровідник. Товщина шару об΄ємного заряду в контакті метал – напівпровідник.
- •14. Ефект випрямлення струму в контакті метал – напівпровідник. Діоди Шотки, їх характеристики та параметри.
- •15. Біполярні транзистори, їх характеристики та параметри.
- •16. Распределение носителей заряда в базе биполярного транзистора. Эффект модуляции толщины базы биполярного транзистора.
- •17. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
- •18. Схемы питания и стабилизации режима работы транзистора
- •21. Виды имс. Методы фотолитографии. Конструктивно-технологічні особливості біполярных имс, мдн- імс та гібридних імс.
- •23. Параллельный Колебательный Контур. Резонанс Токов.
- •24.Связанные контуры. Резонанс в индуктивно связанных контурах.
- •26 Четырехполюсники.
- •27. Електричні кола з розподіленими параметрами.
- •28.Не линейные электрические цепи.
- •29. Методы преобразования цепей
- •30. Методы расчёта сложных цепей. Метод Сигнальных графов
- •31. Переходные процессы в rc-цепях.
- •32. Переходные процессы в rl-цепях
- •33.Переходные процессы в rlc цепях
- •34.Операторный метод анализа переходных процессов.
- •35. Спектральный метод ряд фурье и его свойства.
- •36.Классификация усилителей. Основные хар-ки и параметры усилителей,
- •37. Классы усиления.
- •38. Усилитель низкой частоты
- •39. Обратные связи в усилителях.
- •40. Дифференциальные усилительные каскады
- •41. Выходные каскады усиления, характеристики и параметры.
- •46. Чм и фм –модуляция колебания.
- •45. Амплитудная модуляция
- •47. Детектирование сигналов. Детектор.
- •49. Мінімізація логічних пристроїв. Мінімізація із застосуванням карт Вейча.
- •50. Комбінаційні логічні пристрої. Типові функціональні вузли цифрових комбінаційних логічних пристроів
- •51.Перетворювачі кодів. Дешифратори.
- •52.Цифрові компаратори
- •53. Синхронний rs-тригери
- •57. Регістри
- •58. Лічильники
- •59. Дискретизация непрерервних сигналiв
- •60. Квантование сигналов
- •61.Фурье перетворення дискретных сигналiв
- •62. Алгоритми швидкого перетворення Фурьє
- •64. Рекурсивные и нерекурсивные фильтры
- •65 Методи синтезу цифрових фільтрів з нескінченною імпульсною характеристикою. Метод білінійного z-перетворення.
- •67.Ефекти кванування в цифрових фільтрах.
- •68. Явище епр. Тонка, надтонка та спер надтонка структура спектрів епр.
- •69. Форма ліній епр. Однорідне та неоднорідне розширення ліній епр.
- •71. Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
- •73.Двойные резонансы.
- •76. Отрицательные температуры и отрецательный коефициент поглощения.
- •79. Физические принципы лежащие в основе построения модуляторов лазерного излучения. Типы модуляторов.
73.Двойные резонансы.
Спиновая система электрона и ядра это одно целое. Тоесть ЯМР и ЭПР связаны между собой. При помещении образца в резонатор (с действующими одновременно 2-мя частотами fЭПР и fЯМР) одна частота действует на уровне ЭПР, другая на уровне ЯМР.
Резонансы наблюдаются когда действует 2 частоты: 1 – частота накачки; 2 – частота наблюдения. Это специфические волны которые = энергии перехода. Эти СВЧ колебания должны быть связаны в твердом теле релаксационным механизмом.
Возьмём случай когда спин гамильтониан содержит три члена: ЭПР, ЯМР и связь между ЭПР и ЯМР.
I – значение спина ядра; MS=±1/2 – проэкция спина электрона; m=±1/2(проэкция спина ядра).
Группа эффектов можно разбить на 3 блока:
Уменьшение мощности частоты сигнала. Накачка↑, а вероятность насышения и наблюдения равны.
Меняеться амплитуда сигнала (для наблюдения слабых сигналов). Мощность сигнала накачьки↑, > мощности сигнала наблюдения.
Меняеться положение или появление новых линий. Мощьность сигнала накачьки > мощности сигнала наблюдения.
Переходы отвечающие за ЭПР и ЯМР
Перечеркнутыми обозначены запрещенные переходы.
74. Виды излучения. Явления люминесценции. Механизм люминесценции в твёрдом теле.
Виды излучений, их характеристики.
Виды излучений:
1)Равновесное (температурное) – находится в равновесии с температурой
2) Неравновесное:
- отражения (отражение света от предмета)
- рассеивания (атмосфера) – взвешенные частички имеют размеры соизмеримые с размерами длины волны.
- тормозное (частный случай излуч. Вавилова-Черенкова) – при переходе ē из одной среды в другую выбрасывается красный квант света
- люминисценция (неравновесное излучение избыточное над тепловым с периодом послесвечения существенно превышающим период световых колебаний). Первая часть определения отличает её от равновесного, а вотрая – от всех других неравновесных.
Характеристики излучений:
1) Интенсивность (количество фотонов на отрезок(интервал) длин волн)
2) Спектральный состав (в какой частоте излучает(диапазон))
3) Поляризация (изменение векторов E и H во времени и пространстве)
Поляриз. изл. – ЭМВ, простой гарм. сигн. по Z бежит sin-да плоскополяризованная; волна за период делает круг в пространстве – круговая поляриз., эллиптическая поляриз.
4) Когерентность (излучение с не постоянной фазой)
Когерентное изл. – излучение с постоянной фазой
5) Длительность послесвечения х-на только для люминесценции
Люминисценция, её виды, люминисценция в твёрдом теле.
Люминесценция – это неравновесное излучение, избыточное над тепловым, с периодом послесвечения значительно превышающим период световых колебаний. Первая часть определения отличает её от равновесного, а вотрая – от всех других неравновесных.
Если если время послесвечения ≤ 10-8 то этот вид люминисценции называется флюоресценцией, а если > то – фосфорисценцией.
В зависимости от вида возбуждения люминесценция бывает:
Фотолюминисценция – (обусловлено другим изл.) в результате воздействия на образец света;
Катодолюминесценция – свечение, возникающее при бомбардировке образца (люм покрытия) ē-ым лучём;
Рентгенолюминесценция – при возбуждении вещества рентгеновским излучением;
Радиолюминесценция – при возбуждении вещества ренгеновским изл. в частности -излучением;
Электролюминесценция – под действием ЭП пост. или перемен.;
Триболюминесценция – тв. тело деформируют;
Химио и биолюм. – при протекании определённых хим. реакций, в биол. объектах – рыбы;
Акустолюм.- вызвано акустическими волнами.
У твердых тел различают три вида люминесценции: мономолекулярную, метастабильную и рекомбинационную.
1. Мономолекулярная люминесценция – акты возбуждения и изл.(испускания света) происходят в пределах одного атома или молекулы.
1,2,3 – поглощение энергии; 1`,2`,3` - изл. люм.
2. Метастабильная люминесценция – акты возбуждения и испускания света происходят в пределах одного атома или молекулы, но с участием метастабильного состояния. (нарисовать энергетическую диаграмму с метастабильным или донорным уровнем)
Время между излучением и поглощением больше: Δt =
3. Рекомбинационная люминесценция – акты возбуждения и испускания света не связаны с 1 аотомом, а происходят в разных частях к-ла.
Т=77К: жидкий азот, Т=4,2К: жидкий гелий.
При Т=↑: 1) при k = const: .
Прямозонный проводник, дно зоны проводимости это его минимум.
При Т=↑ ē может вернуться назад. Процесс возврата ē может произойти в др. месте от зоны поглощения или под действием краевой люм.: нужно чтобы проводник был прямозонный – у них минимум дна ЗП находится напротив потока ВЗ, в нём - разрешённый переход.
2) механизм Ламбе-Клика: ē свободно захватывается локальной ловушкой.
3) мех-зм Шопа-Ква: дырка захватилась ловушкой, ē подошёл близко к дырке.
4)
R ≈ 5*106 Å. Ea – уровень залегания акцепторов.
4) мех-зм В.Преда (Д-А пара), мех. рекомбинации. Ассоциация двух центров, расстояние в соседних узлах которых: 5-6 Å. Д-центр ловит ē, А - дырки. Далее они могут прорекомбинировать; R – радиус Д-А пары.
Окситон – квазичастица 1 ē, 1дырка удерживаются друг напротив друга при низких температурах.
Окситон. спектроскопия более точный метод, не разрушающий контроля.
Метод низкотемпературной окситонной спектроскопии.