- •40.Диференціальні підсильвальні каскади.
- •1. Класифікація твердих тіл за їх електрофізичними властивостями. Модельні уявлення щодо електропровідності твердих тіл. Елементи зонної теорії твердих тіл.
- •Модельні уявлення щодо електропровідності тв. Тіл
- •Елементи зонної теорії тв. Тіл
- •2. Класична теорія електропровідності. Рухомість носіїв заряду, питомий опір та провідність.
- •3. Статистика електронів та дірок в напівпровідниках. Густина квантових станів. Функція розподілу Фермі – Дірака для електронів та дірок.
- •4. Залежність положення рівня Фермі від концентрації домішок та температури в напівпровідниках.
- •5. Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
- •6. Напівпровідник у зовнішньому електричному полі. Дебаєвська довжина екранування.
- •7. Модельні уявлення, щодо контакту двох напівпровідників із різними типами провідності. Ефект випрямлення струму на p-n переході.
- •9. Товщина шару об΄ємного заряду p-n переходу. Бар΄єрна та дифузійна ємність p-n переходу. Варікапи, їх характеристики та параметри.
- •10. Контакт вироджених n- та p- напівпровідників. Тунельний діоди, їх характеристики та параметри.
- •11. Пробой p-n-перехода. Стабилитрон.
- •12. Внутрішній фотоефекти. Фотодіоди та фототранзистори, їх характеристики та парметри.
- •13. Контакт метал – напівпровідник. Товщина шару об΄ємного заряду в контакті метал – напівпровідник.
- •14. Ефект випрямлення струму в контакті метал – напівпровідник. Діоди Шотки, їх характеристики та параметри.
- •15. Біполярні транзистори, їх характеристики та параметри.
- •16. Распределение носителей заряда в базе биполярного транзистора. Эффект модуляции толщины базы биполярного транзистора.
- •17. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
- •18. Схемы питания и стабилизации режима работы транзистора
- •21. Виды имс. Методы фотолитографии. Конструктивно-технологічні особливості біполярных имс, мдн- імс та гібридних імс.
- •23. Параллельный Колебательный Контур. Резонанс Токов.
- •24.Связанные контуры. Резонанс в индуктивно связанных контурах.
- •26 Четырехполюсники.
- •27. Електричні кола з розподіленими параметрами.
- •28.Не линейные электрические цепи.
- •29. Методы преобразования цепей
- •30. Методы расчёта сложных цепей. Метод Сигнальных графов
- •31. Переходные процессы в rc-цепях.
- •32. Переходные процессы в rl-цепях
- •33.Переходные процессы в rlc цепях
- •34.Операторный метод анализа переходных процессов.
- •35. Спектральный метод ряд фурье и его свойства.
- •36.Классификация усилителей. Основные хар-ки и параметры усилителей,
- •37. Классы усиления.
- •38. Усилитель низкой частоты
- •39. Обратные связи в усилителях.
- •40. Дифференциальные усилительные каскады
- •41. Выходные каскады усиления, характеристики и параметры.
- •46. Чм и фм –модуляция колебания.
- •45. Амплитудная модуляция
- •47. Детектирование сигналов. Детектор.
- •49. Мінімізація логічних пристроїв. Мінімізація із застосуванням карт Вейча.
- •50. Комбінаційні логічні пристрої. Типові функціональні вузли цифрових комбінаційних логічних пристроів
- •51.Перетворювачі кодів. Дешифратори.
- •52.Цифрові компаратори
- •53. Синхронний rs-тригери
- •57. Регістри
- •58. Лічильники
- •59. Дискретизация непрерервних сигналiв
- •60. Квантование сигналов
- •61.Фурье перетворення дискретных сигналiв
- •62. Алгоритми швидкого перетворення Фурьє
- •64. Рекурсивные и нерекурсивные фильтры
- •65 Методи синтезу цифрових фільтрів з нескінченною імпульсною характеристикою. Метод білінійного z-перетворення.
- •67.Ефекти кванування в цифрових фільтрах.
- •68. Явище епр. Тонка, надтонка та спер надтонка структура спектрів епр.
- •69. Форма ліній епр. Однорідне та неоднорідне розширення ліній епр.
- •71. Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
- •73.Двойные резонансы.
- •76. Отрицательные температуры и отрецательный коефициент поглощения.
- •79. Физические принципы лежащие в основе построения модуляторов лазерного излучения. Типы модуляторов.
33.Переходные процессы в rlc цепях
ВКЛЮЧЕНИЕ В ЦЕПЬ RLС ПОСТОЯННОЙ Э. Д. С.
Ввиду наличия индуктивности начальное значение тока
для начального момента
откуда
При установившемся режиме ток будет равен нулю
Продифференцировав с учетом того, что Iпр = 0, получим:
Из этих уравнений следует:
(1)
ТРИ РЕЖИМА РАБОТЫ.
Случай 1. r>(L/C)0.5 —-(апериодический процесс).
Корни уравнения р1, р2 - отрицательные действительные числа.
При больших значениях С влияние емкости мало и кривая тока приближается к кривой тока в цепи г, L,
при малых значениях L влияние индуктивности незначительно, и кривая тока близка к кривой тока в цепи r, С.
Следует заметить, что при коротком замыкании цепи r, L, С, т. е. при E = 0, ток в цепи обусловливается разрядом емкости.
Случай 2. r>(L/C)0.5 (критический случай)
Корни характеристического уравнения одинаковы p1= p2 = -- r/2L = δ
Выражение (1) приводит в этом случае к неопределенности вида 0/0.
В рассматриваемом случае iCB(0)=B1 = 0 и
Следовательно,
Случай 3. r<(L/C)0.5 (колебательный процесс).
Корни характеристического уравнения комплексные и сопряженные:
Ток в цепи согласно
Полученное выражение показывает, что при включении цепи r, L, С на постоянное напряжение в цепи возникают затухающие гармонические колебания. Колебания возникают вследствие периодического преобразования энергии электрического поля в энергию магнитного и обратно; причем колебания сопровождаются потерей энергии в сопротивлении.
При t= 1/δ ордината огибающей в е = 2,718 раза меньше начального значения огибающей. Поэтому величину l/ δ = 2L/r называют постоянной времени колебательного контура.
34.Операторный метод анализа переходных процессов.
Идея этого метода заключается в том, что из области функций действительного переменного решение переносится в область функций комплексного переменного p = c+jw, где операции принимают более простой вид, затем полученный решением алгебраических уравнений результат «интерпретируется», т. е. производится обратный переход в область функций действительного переменного.
Пусть f(t)—функция действительного переменного t, заданная в области t>0 и равная нулю при t<0, возрастает не быстрее показательной функции, т. е. |f(t)|<Мec0t при t>0; здесь М и с0 — постоянные (положительные и действительные) ; t — переменное (время). Постоянная с0 называется показателем роста функции f(t). Говорят, что функция имеет ограниченный рост, если показатель роста конечен.
Из курса математического анализа известно, что если f(t) имеет ограниченный рост, то интеграл
сходится абсолютно и является аналитической функцией комплексного переменного р = с + jw в полуплоскости Re p = c>c0.
Интегральное уравнение такого вида представляет собой прямое преобразование Лапласа. Функция f (t) называется оригиналом, а функция F(p) — изображением по Лапласу. Следовательно, оригинал и изображение представляют собой пару функций действительного переменного t и комплексного переменного р, связанных преобразованием Лапласа.
Другая условная форма записи прямого преобразования Лапласа, а именно:
ЗАКОНЫ ОМА И КИРГОФА В ОПЕРАТОРНОЙ ФОРМЕ
Для схемы с источником э. д. с.
По второму закону Кирхгофа для t> 0 имеем:
Будем рассматривать e(t), Uc(0) и i(t) как функции-оригиналы, имеющие изображения Е(р), Uс(0)/р и I(р).
На основании свойств линейности преобразования Лапласа и теорем дифференцирования и интегрирования исходному уравнению (14-24) соответствует следующее уравнение для изображений:
второй закона Киргоффа в операторной форме
(1)
Для схемы с источником тока уравнение записывается по первому закону Кирхгофа (при t> >0, т. е. после подключения сопротивления r):
Полагая i(t)=I(p) и u(t)=U(p), находим:
После преобразований получается изображение искомого напряжения
(2)
первый закона Киргоффа в операторной форме
При нулевых начальных условиях, т. е. при включении источников в пассивные цепи, выражения (1) и (2) упрощаются, а именно:
здесь Z(p) и Y(p) представляют собой сопротивление и проводимость соответствующих цепей при комплексной частоте р=с+jw. Они называются обобщенными или операторными сопротивлением и проводимостью.