- •40.Диференціальні підсильвальні каскади.
- •1. Класифікація твердих тіл за їх електрофізичними властивостями. Модельні уявлення щодо електропровідності твердих тіл. Елементи зонної теорії твердих тіл.
- •Модельні уявлення щодо електропровідності тв. Тіл
- •Елементи зонної теорії тв. Тіл
- •2. Класична теорія електропровідності. Рухомість носіїв заряду, питомий опір та провідність.
- •3. Статистика електронів та дірок в напівпровідниках. Густина квантових станів. Функція розподілу Фермі – Дірака для електронів та дірок.
- •4. Залежність положення рівня Фермі від концентрації домішок та температури в напівпровідниках.
- •5. Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
- •6. Напівпровідник у зовнішньому електричному полі. Дебаєвська довжина екранування.
- •7. Модельні уявлення, щодо контакту двох напівпровідників із різними типами провідності. Ефект випрямлення струму на p-n переході.
- •9. Товщина шару об΄ємного заряду p-n переходу. Бар΄єрна та дифузійна ємність p-n переходу. Варікапи, їх характеристики та параметри.
- •10. Контакт вироджених n- та p- напівпровідників. Тунельний діоди, їх характеристики та параметри.
- •11. Пробой p-n-перехода. Стабилитрон.
- •12. Внутрішній фотоефекти. Фотодіоди та фототранзистори, їх характеристики та парметри.
- •13. Контакт метал – напівпровідник. Товщина шару об΄ємного заряду в контакті метал – напівпровідник.
- •14. Ефект випрямлення струму в контакті метал – напівпровідник. Діоди Шотки, їх характеристики та параметри.
- •15. Біполярні транзистори, їх характеристики та параметри.
- •16. Распределение носителей заряда в базе биполярного транзистора. Эффект модуляции толщины базы биполярного транзистора.
- •17. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
- •18. Схемы питания и стабилизации режима работы транзистора
- •21. Виды имс. Методы фотолитографии. Конструктивно-технологічні особливості біполярных имс, мдн- імс та гібридних імс.
- •23. Параллельный Колебательный Контур. Резонанс Токов.
- •24.Связанные контуры. Резонанс в индуктивно связанных контурах.
- •26 Четырехполюсники.
- •27. Електричні кола з розподіленими параметрами.
- •28.Не линейные электрические цепи.
- •29. Методы преобразования цепей
- •30. Методы расчёта сложных цепей. Метод Сигнальных графов
- •31. Переходные процессы в rc-цепях.
- •32. Переходные процессы в rl-цепях
- •33.Переходные процессы в rlc цепях
- •34.Операторный метод анализа переходных процессов.
- •35. Спектральный метод ряд фурье и его свойства.
- •36.Классификация усилителей. Основные хар-ки и параметры усилителей,
- •37. Классы усиления.
- •38. Усилитель низкой частоты
- •39. Обратные связи в усилителях.
- •40. Дифференциальные усилительные каскады
- •41. Выходные каскады усиления, характеристики и параметры.
- •46. Чм и фм –модуляция колебания.
- •45. Амплитудная модуляция
- •47. Детектирование сигналов. Детектор.
- •49. Мінімізація логічних пристроїв. Мінімізація із застосуванням карт Вейча.
- •50. Комбінаційні логічні пристрої. Типові функціональні вузли цифрових комбінаційних логічних пристроів
- •51.Перетворювачі кодів. Дешифратори.
- •52.Цифрові компаратори
- •53. Синхронний rs-тригери
- •57. Регістри
- •58. Лічильники
- •59. Дискретизация непрерервних сигналiв
- •60. Квантование сигналов
- •61.Фурье перетворення дискретных сигналiв
- •62. Алгоритми швидкого перетворення Фурьє
- •64. Рекурсивные и нерекурсивные фильтры
- •65 Методи синтезу цифрових фільтрів з нескінченною імпульсною характеристикою. Метод білінійного z-перетворення.
- •67.Ефекти кванування в цифрових фільтрах.
- •68. Явище епр. Тонка, надтонка та спер надтонка структура спектрів епр.
- •69. Форма ліній епр. Однорідне та неоднорідне розширення ліній епр.
- •71. Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
- •73.Двойные резонансы.
- •76. Отрицательные температуры и отрецательный коефициент поглощения.
- •79. Физические принципы лежащие в основе построения модуляторов лазерного излучения. Типы модуляторов.
4. Залежність положення рівня Фермі від концентрації домішок та температури в напівпровідниках.
П∕п может содержать как донорную, так и акцепторную примеси. Пусть конц-ции этих примесей соответственно равны Nd и Na. Энергетическая схема такого п∕п представл. на рис.1.
Рис.1. П/п, имеющий примеси донорного и акцепторного типа.
Для определения положения ур. Ферми в п/п используется условие электронейтральности, по которому в любой точке кристалла суммарный заряд всех заряженных частиц должен быть равен нулю. Для п/п с двумя видами примеси ур-ние электронейтральности запишется в виде:
no + na = po + pd, (1)
где nd = Na – pa – кол-во электронов, связанных с акцепторной примесью;
pd = Nd – nd – число ионизированных атомов донорной примеси. С учетом этого ур-е (1) запишем: (no + nd) – (po + pa) = Nd – Na (2)
(3). Для невырожденного п/п равенство (3) упрощается:
(4)
Донорный п/п.(Na=0) Ограничимся вначале областью тем-тур, при кот. имеет место лишь, ионизация примесных центров, а собственная проводимость отсутствует, т. е. р0 = 0. Условие электронейтральности (2) запишется так:
no+nd=Nd, (5) или no=pd, откуда запишем:
(6)
Считаем, что вырождение отсутствует, следоват., no= Из этого равенства найдем, что (7). Подставив (7) в (6), получим ур-е для конц-ции электронов в З.П.: (8), кот. Преобразуется к виду:
(9).
Решая это квадратное ур-е получим:
(10)
Это соотнош. можно свести к след. выраж:
(11).
Положение ур. Ферми определяется из соотнош. (7):
(12)
Прологарифмировав равенство (12), получим:
или
Это ф-ла (13). В обл. низких тем-р, где справедливо условие ф-ла (13) упрощается и положение ур. Ферми будет:
Это выраж. (14), из него следует: в однородном п/п при тем-ре абсол. нуля ур. Ферми располагается посредине между дном З.П. и уровнем донорной примеси. В обл. достаточно низких тем-р, когда gNc<Nd, ур. Ферми вначале повышается до некотор. max знач., а затем начинает снижаться и при gNc=Nd снова имеем F=½(Ec+Ed), как и для случая Т=0. Дальнейшее повышение тем-ры сопровождается ростом Nc и в обл. тем-ры, когда gNc>Nd, ур. Ферми продолжает снижаться. Обл. изменения ур. Ферми с тем-рой, кот описывается ф-лой (14), является обл. слабой ионизации примеси (обл. вымораживания). Это цифра 1 на рис.2.
Рассмотрим случай, когда тем-ра достаточно высока и выполняется неравенство:
При этом ф-ла (13) аппроксимируется выражением
(15), кот соответствует: no=Nd (16). Эта обл. тем-ры, при кот. Имеет место полная ионизация примеси, назыв. обл. истощения примеси (обл. насыщения), на рис.2. цифра 2.
Рис.2. Изменение положения ур. Ферми (а) и конц-ции электронов (б) с тем-рой для донорного п/п.
Условие, когда no=Nd, соответствует полож. ур. Ферми на несколько kT ниже уровня примеси Еd. Это значит, что при повышении тем-ры ур. Ферми, понижаясь, пересекает уровень Еd и уходит вниз. Тем-ра при кот. F= Еd, назыв. тем-ра насыщения Тs, ее определяют из условия:
(17)
(18)
На рис.2. обл. 3 соответствует обл. собственной проводимости. В этом случае F=Fi
Тi – тем-ра при кот. наступает собственная проводимость у донорного п/п.
Акцепторный п/п (Nd=0). Решение задачи для п/п, легированного акцепторной примесью, полностью аналогично случаю донорного п/п. Условие электронейтральности имеет вид: po=na=Na-pa (1). Получим соотнош. для
(2)
После алгебраич. вычислений находим:
(3)
Положение ур. Ферми буде определяться
После логарифмирования получим выраж. для ур. Ферми:
Это ф-ла (4). В обл. низких тем-р, когда выполняетсяу словие , имеем:
(5)
Т.о., в дырочном п/п при тем-ре абсол. нуля ур. Ферми лежит посередине между потолком В.З. и уровнем акцепторной примеси, т.е. F=½(Ev+Ea). С увеличением тем-ры ур. Ферми вначале опускается, когда Na>gNv, а затем поднимается до уровня Еа.
При высоких тем-х, когда ,из выраж. (4) получаем:
(8).
В акцепторном п/п, как и в случае донорной примеси, при высоких тем-х наступает обл. истощения, хар-щаяся полной ионизацией атомов акцепторной примеси. С дальнейшим ростом тем-ры ур. Ферми поднимается к середине запрещен. зоны и п/п ведет себя как собственный.