- •40.Диференціальні підсильвальні каскади.
- •1. Класифікація твердих тіл за їх електрофізичними властивостями. Модельні уявлення щодо електропровідності твердих тіл. Елементи зонної теорії твердих тіл.
- •Модельні уявлення щодо електропровідності тв. Тіл
- •Елементи зонної теорії тв. Тіл
- •2. Класична теорія електропровідності. Рухомість носіїв заряду, питомий опір та провідність.
- •3. Статистика електронів та дірок в напівпровідниках. Густина квантових станів. Функція розподілу Фермі – Дірака для електронів та дірок.
- •4. Залежність положення рівня Фермі від концентрації домішок та температури в напівпровідниках.
- •5. Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
- •6. Напівпровідник у зовнішньому електричному полі. Дебаєвська довжина екранування.
- •7. Модельні уявлення, щодо контакту двох напівпровідників із різними типами провідності. Ефект випрямлення струму на p-n переході.
- •9. Товщина шару об΄ємного заряду p-n переходу. Бар΄єрна та дифузійна ємність p-n переходу. Варікапи, їх характеристики та параметри.
- •10. Контакт вироджених n- та p- напівпровідників. Тунельний діоди, їх характеристики та параметри.
- •11. Пробой p-n-перехода. Стабилитрон.
- •12. Внутрішній фотоефекти. Фотодіоди та фототранзистори, їх характеристики та парметри.
- •13. Контакт метал – напівпровідник. Товщина шару об΄ємного заряду в контакті метал – напівпровідник.
- •14. Ефект випрямлення струму в контакті метал – напівпровідник. Діоди Шотки, їх характеристики та параметри.
- •15. Біполярні транзистори, їх характеристики та параметри.
- •16. Распределение носителей заряда в базе биполярного транзистора. Эффект модуляции толщины базы биполярного транзистора.
- •17. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
- •18. Схемы питания и стабилизации режима работы транзистора
- •21. Виды имс. Методы фотолитографии. Конструктивно-технологічні особливості біполярных имс, мдн- імс та гібридних імс.
- •23. Параллельный Колебательный Контур. Резонанс Токов.
- •24.Связанные контуры. Резонанс в индуктивно связанных контурах.
- •26 Четырехполюсники.
- •27. Електричні кола з розподіленими параметрами.
- •28.Не линейные электрические цепи.
- •29. Методы преобразования цепей
- •30. Методы расчёта сложных цепей. Метод Сигнальных графов
- •31. Переходные процессы в rc-цепях.
- •32. Переходные процессы в rl-цепях
- •33.Переходные процессы в rlc цепях
- •34.Операторный метод анализа переходных процессов.
- •35. Спектральный метод ряд фурье и его свойства.
- •36.Классификация усилителей. Основные хар-ки и параметры усилителей,
- •37. Классы усиления.
- •38. Усилитель низкой частоты
- •39. Обратные связи в усилителях.
- •40. Дифференциальные усилительные каскады
- •41. Выходные каскады усиления, характеристики и параметры.
- •46. Чм и фм –модуляция колебания.
- •45. Амплитудная модуляция
- •47. Детектирование сигналов. Детектор.
- •49. Мінімізація логічних пристроїв. Мінімізація із застосуванням карт Вейча.
- •50. Комбінаційні логічні пристрої. Типові функціональні вузли цифрових комбінаційних логічних пристроів
- •51.Перетворювачі кодів. Дешифратори.
- •52.Цифрові компаратори
- •53. Синхронний rs-тригери
- •57. Регістри
- •58. Лічильники
- •59. Дискретизация непрерервних сигналiв
- •60. Квантование сигналов
- •61.Фурье перетворення дискретных сигналiв
- •62. Алгоритми швидкого перетворення Фурьє
- •64. Рекурсивные и нерекурсивные фильтры
- •65 Методи синтезу цифрових фільтрів з нескінченною імпульсною характеристикою. Метод білінійного z-перетворення.
- •67.Ефекти кванування в цифрових фільтрах.
- •68. Явище епр. Тонка, надтонка та спер надтонка структура спектрів епр.
- •69. Форма ліній епр. Однорідне та неоднорідне розширення ліній епр.
- •71. Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
- •73.Двойные резонансы.
- •76. Отрицательные температуры и отрецательный коефициент поглощения.
- •79. Физические принципы лежащие в основе построения модуляторов лазерного излучения. Типы модуляторов.
23. Параллельный Колебательный Контур. Резонанс Токов.
Комплексная проводимость параллельного колебательного контура
по своей структуре аналогична выражению комплексного сопротивления последовательного колебательного контура, а резонансная частота, равна:
Добротность рассматриваемого контура равна:
т. е. обратна по величине добротности последовательного контура
Ток, идущий от источника в цепь, отнесенный к току в неразветвленной цепи при резонансе, равен:
Выражение Y/g=I/I0 для рассматриваемого параллельного колебательного контура имеет тот же вид, что и выражение Z/r для последовательного контура.
При частотах ниже резонансной проводимость индуктивной ветви больше проводимости емкостной ветви, и поэтому входная проводимость параллельного контура имеет активно-индуктивный характер.
При частотах выше резонансной емкостная проводимость больше индуктивной и входная проводимость контура имеет активно-емкостный характер.
При резонансе токов полная проводимость параллельного колебательного контура минимальна, т. е. входное сопротивление достигает максимума.
ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАЛЛЕЛЬНОГО РЕЗОНАНСНОГО КОНТУРА
При построении частотных характеристик удобно пользоваться относительными единицами, так как при этом сокращается число параметров и становится возможным пользоваться стандартными кривыми. Например, в качестве аргумента вместо частоты w может быть взята относительная частота w/w0.
Соответственно модуль равен:
а угол
Частотная, зависимость угла фазового сдвига тока относительно приложенного напряжения называется фазо-частотной или просто фазовой характеристикой тока; она выражается зависимостью. Положительные значения фазовой характеристики соответствуют отстающему, а отрицательные— опережающему по фазе току.
24.Связанные контуры. Резонанс в индуктивно связанных контурах.
Передача электромагнитной энергии из одного контура в другой может быть осуществлена при помощи следующих видов связи: а)гальванической, когда контуры имеют общее активное сопротивление R;
б)магнитной, когда контуры связаны общим магнитным потоком; в)емкостной, когда оба контура связаны электрическим полем конденсатора; г) внешне - емкостной, когда связь осуществляется через внешнюю емкость; д)смешанной, представляющей комбинацию предыдущих типов связи
Взаимная индукция - наведение э. д. с. в электрической цёпи при изменении потокосцепления взаимной индукции, обусловленного током в другой электрической цепи
КОЭФФИЦИЕНТ ИНДУКТИВНОЙ СВЯЗИ.
Степень индуктивной связи двух катушек характеризуется коэффициентом связи k, определяемым как среднее геометрическое из отношений потока взаимной индукции ко всему потоку катушки, т. е.
Если выразить потоки через параметры L1, L2, и М то получим:
Резонанс в индуктивно связанных контурах.
Ż1=R1+jХ1 Ż2=R2+jХ2
M – взаимная индукция
Х1=ωL1-1/ωC1; X2=ωL2-1/ωC2
Żвх= Ż1+Żвн=Ż1+(ωM)2/Ż2
Żвн – вносимое сопротивление
Ż – полное сопротивление первого колебательного контура.
Основным или индивидуальным резонансом называется такой режим работы системы, когда оба контура, будучи уединенными, настроены каждый в резонанс, т.е. , а сопротивление связи имеет произвольное неизменное значение:
25.Фильтры НЧ
3.3 Фильтр ВЧ
3.4 Полосовой пропускающий фильтр
3.4 Полосовой заграждающий фильтр
3,6 Фильтры типа к и м
Фильтры типов К и М характеризуются следующими свойствами: характеристическое сопротивление фильтров К в полосе пропускания непостоянное; частотная характеристика затухания менее крутая, но сравнительно равномерная. У фильтров типа М частотная характеристика затухания более крутая и сложная. В полосе затухания фильтр имеет резко выделенную (задерживаемую) частоту, называемую частотой бесконечного затухания.
Ослабление основной частоты фильтрами типа К больше, чем фильтрами типа М, но практически эти потери не ощутимы.