Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
GEK.doc
Скачиваний:
19
Добавлен:
08.09.2019
Размер:
7.82 Mб
Скачать

1.Класифікація твердих тіл за їх електрофізичними властивостями. Модельні уявлення щодо електропровідності твердих тіл. Елементи зонної теорії твердих тіл.

2.Класична теорія електропровідності. Рухомість носіїв заряду, питомий опір та провідність.

3.Статистика електронів та дірок в напівпровідниках. Густина квантових станів. Функція розподілу Фермі – Дірака для електронів та дірок.

4.Залежність положення рівня Фермі від концентрації домішок та температури в напівпровідниках.

5.Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.

6.Напівпровідник у зовнішньому електричному полі. Дебаєвська довжина екранування.

7.Модельні уявлення, щодо контакту двох напівпровідників із різними типами провідності. Ефект випрямлення струму на p-n переході.

8.ВАХ p-n переходу.

9.Товщина шару об΄ємного заряду p-n переходу. Бар΄єрна та дифузійна ємність p-n переходу. Варікапи, їх характеристики та параметри.

10.Контакт вироджених n- та p- напівпровідників. Тунельний діоди, їх характеристики та параметри.

11.Пробій p-n переходу. Стабілітрони,їх характеристики та параметри.

12.Внутрішній фотоефекти. Фотодіоди та фототранзистори, їх характеристики та парметри.

13.Контакт метал – напівпровідник. Товщина шару об΄ємного заряду в контакті метал – напівпровідник.

14.Ефект випрямлення струму в контакті метал – напівпровідник. Діоди Шотки, їх характеристики та параметри.

15.Біполярні транзистори, їх характеристики та параметри.

16.Розподіл носіїв в базі біполярного транзистора. ефект модуляції товщини бази біполярного транзистора.

17.Динамічний режим роботи біполярного транзистора.

18.Схеми завдання та стабілізації режиму роботи біполярного транзистора.

19.Польові транзистори з р-n переходом та МДН транзистори, їх характеристики та параметри.

20.Тиристори, їх характеристики та параметри.

21.Види ІМС. Метод фотолітографії. Конструктивно – технологічні ососбливості біполярних напівпровіднткових ІМС, МДП – ІМС та гібритних ІМС.

22.Послідовний коливальний контур. Резонанс напруг.

23.Паралельний коливальний контур. Резонанс струму.

24.Звязані контури. Резонанс в індуктивно зв΄язаних контурах.

25.Електричні фільтри, їх характеристики та параметри.

26.Чотириполюсники, їх характеристики та параметри.

27.Електричні кола з розподіленими параметрами.

28.Нелінійні електричні кола.

29.Методи перетворення електричних кіл.

30.Методи розрахування складних электричних кіл. Метод сигнальних графів.

31.Перехідні процеси в RC- колах.

32.Перехідні процеси в RL- колах.

33.Перехідні процеси в RLC-колах.

34.Операторний метод аналіза перехідних процесів.

35.Спектральний метод аналіза перехідних процесів.

36.Класифікація підсилювачів. Основні характеристики та параметри підсилювачів.

37.Класи підсилення. Аналіз роботи підсилювачів за ВАХ його елементів.

38.Підсилювачі низької частоти.

39.Зворотні зв’язки в підсилювачах.

40.Диференціальні підсильвальні каскади.

41.Вихідні каскади підсилення, характеристики та параметри.

42.Операційні підсилювачі. Функціональні пристрої на Операційніх підсилювачах.

43.Генерація коливань. Баланс амплітуд, баланс фаз. Генератори.

44.RC- генератори з поворотом фази.

45.АН- моуляція коливань.

46.ЧН та ФН- моуляція коливань.

47.Детектування сигналів. Детектори.

48.Логічні елементи та схеми. Послідовні логічні пристрої.

49.Мінімізація логічних пристроїв. Мінімізація із застосуванням карт Вейча.

50.Комбінаційні логічні пристрої. Типові функціональні вузли цифрових комбінаційних логічних пристроів.

51.Перетворювачі кодів. Дешифратори.

52.Цифрові компаратори.

53.Синхронний RS-тригери.

54.D-тригери.

55.T-тригери.

56.JK-тригери.

57.Регістри.

58.Лічильники.

59.Дискретизація неперервних сигналів.

60.Квантування сигналів.

61.Фурьє-перетворення дискретних сигналів.

62.Алгоритми швидкого перетворення Фурьє.

63.Z-перетворення та його основні властивості.

64.Найважливіши характеристики цифрових фільтрів. Рекурсивні та нерекурсивні фільтри.

65.Методи синтезу цифрових фільтрів з незкінченною імпульсною характеристикою. Метод білінійного Z-перетворення.

66.Методи синтезу цифрових фільтрів з квнцевою імпульсною характеристикою.

67. Ефекти кванування в цифрових фільтрах.

68. Явище ЕПР. Тонка, надтонка та супернадтонка структура спектрів ЕПР.

69.Форма ліній ЕПР. Однорідне та неоднорідне розширення ліній ЕПР.

70.Полуемпірічні методи аналізу спектрів ЕПР. Метод ефективного гамільтоніану. Види гамільтоніанів.

71.Явище ЯМР. ЯМР в рідинах та твердому тілі.

72.Явища ЯКР.Ядерний квадрупольний гамільтоніан.

73.Подвійні резонанси в твердому тілі.

74.Види випромінювання. Явища люмінесценції. Механізми люмінесценції в твердому тілі.

75.Явища поглинання, спонтанного та вимушеного випромінювання в твердому тілі.

76.Від΄ємні температура та від΄ємний коефіцієнт поглинання в твердому тілі. Методи створення інверсії населення електронних рівнів.

77.Світлодіоди та напівпровідникові лазери на р-n переході.

78.Основні нелінійні явища в оптичному диапазоні.

79.Фізичні принципи побудови модуляторів лазеного випромінювання. Типи модуляторів.

80.Фотоелектричні прилади, побудовані на використанні зовнішнього фотоефекту.

1. Класифікація твердих тіл за їх електрофізичними властивостями. Модельні уявлення щодо електропровідності твердих тіл. Елементи зонної теорії твердих тіл.

Все вещества в природе по электрофизическим свойствам могут быть разделены на три больших класса: металлы, полупроводники и диэлектрики. Проводники – это металл , различные солевые растворы , тв. тела и т. д. Удельное сопротивление состав.10 -6 -10-4 Ом-см.. Вещества с удельным сопротивлением от 10-4 до 10 -10 Ом-см были отнесены к полупроводникам ( ρ германия — от 10 -4 до 47 Ом-см). Наконец, вещества с удельным сопротивлением более, 1010 Ом-см считаются диэлектриками.

Рис 1-1. Изменение удельного сопротивления чистых металлов (а) и кремния (б) в зависимости от температуры

ρ=ρ0(1+αt)=(ρ /T)*T; где р0 — удельное сопротивление данного металла при- 0°С; — α-термический коэффициент сопротивления, равный 1/273; То = 273.

П/п – это такие в-ва , кот. зависят в сильной степени от ст- ры в-ва , вида и количества примеси и от внешних условий : температуры , давления и т.д.

Согласно этому определению между полупроводниками и ди­электриками не существует принципиального качественного раз­личия, ибо они обладают проводимостью только вследствие тепло­вого возбуждения носителей заряда. У металлов проводимость слабо зависит от присутствия примеси, внешних условий" и при любой температуре концентрация свободных электронов остается по­стоянной и составляет величину порядка. 1022 см~3. Различие между металлами и полупроводниками проявляется и в том, что при прохождении тока через цепь , сила тока нелинейно зависит от приложенной к цепи разности потенциалов.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]