21. Виды имс. Методы фотолитографии. Конструктивно-технологічні особливості біполярных имс, мдн- імс та гібридних імс.
ИМС – микросхема, у которой часть элементов нераздельно связанны между собой, так что устройство рассматривается как единое целое.
В м.с. различают активные (транзисторы и диоды) и пассивные(резисторы,кондёры и катушки индуктивности).
Фотолитография. Метод литографии применяется при изготовлении ст-р М.С. получение на поверхности пластин контактных масок с окнами соответствующими топологии формир. технологических слоев и дальнейшие передача топологии с маской на материал данного слоя.
Классификация методов литографии:
В зависимости от типа применяемого излучения различают оптическую, рентгеновскую, электронную и ионную.
Конструктивно-технологические особенности биполярных ИМС.
Формирование активных и пассивных элементов на одной п/п подложке. Обеспечение между ними достаточно хорошей изоляции, которая сводила к минимуму паразитные взаимодействия между частями ИС. Для разрыва путей утечки между элементами ИС, создаются локальные области в которых формируются отдельные элементы и которые изолируют друг от друга.
Для использования зашиты поверхностей ИМС используют SiO2, а также для формирования локальных элементах.
Для использования проводящих контактов используют Al, Au, Cr. Основным является Al.
Конструктивно-технологічні особливості МДН- ІМС.
МДП-структуры примен. в кач-ве эл-тов инт. микросхем могут выполн. ф-ции усил. сигналов. МДП-стр. так же исп. в кач-ве С и R номиналы которых изм. при подаче U на упр-щие электроды. Активные элементы таких инт. микр. обычно МДП-структ. с индуц. каналом.
Конструктивно - технологічні особливості гібридних ІМС.
ГИМС-это устройство у которого пассивные элементы нанесены на подложку в виде плёнок, а активные в виде малогабаритных дискретных диодов и транзисторов, подпаяны в опеделённые места данной ИМС.
Конструктивные ГИМС –это корпус внутри кот. нах. плата либо диэл., либо металл с диэл. покрытием. На пов-сти платы сформ-ны плёночные эл-ты и сплан-ны компоненты. ГИМС делятся на тонкопл. и толстопл. Осн. компоненты ГИМС:тр-ры, диоды, и навес. элементы.
1)Плёночные резисторы.
а)Тонкопл. резистор.
1-резистив. слой. 2-электроды.
б)Толстоплён. Материалы
использ. при изготовл.:Сr, NiCr, тантал
2)Конденсаторы:
1-Подложка.
2-Проводящий слой.
3-Диэлектр. 4-2-й пров. слой.
Достоинство технологии:меньшая затратность,меньшие геометрические размеры,обладают свойством двунаправлености.
Пример
расположения компонентов на ГИМС.
22. Последовательный Колебательный Контур. Резонанс Напряжений
Комплексное сопротивление
Резонансная частота последовательного контура
Добротность определяется в зависимости от отношения максимума энергии реактивного элемента к энергии, поглощаемой сопротивлением за период. Добротность равна отношению реактивной мощности к средней мощности.
где ρ — называется характеристическим (или волновым) сопротивлением колебательного контура.
Величина, обратная добротности контура, называется затуханием контура и обозначается d.
Это наименование связано с тем, что при отключении колебательного контура от источника, когда контур
замыкается накоротко, колебательный процесс затухает тем интенсивнее, чем больше величина d.
ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО РЕЗОНАНСНОГО КОНТУРА
При построении частотных характеристик удобно пользоваться относительными единицами, так как при этом сокращается число параметров и становится возможным пользоваться стандартными кривыми. Например, в качестве аргумента вместо частоты w может быть взята относительная частота w/w0.
Соответственно модуль равен:
а угол
Частотную зависимость модуля
принято называть амплитудно-частотной характеристикой или резонансной кривой тока.
Частотная, зависимость угла фазового сдвига тока относительно приложенного напряжения называется фазо-частотной или просто фазовой характеристикой тока; она выражается зависимостью.
Если колебательный контур подключен к источнику напряжения с внутренним сопротивлением ri,
Амплитудно-частотные и фазовые характеристики находятся в этом случае -по формулам:
