- •40.Диференціальні підсильвальні каскади.
- •1. Класифікація твердих тіл за їх електрофізичними властивостями. Модельні уявлення щодо електропровідності твердих тіл. Елементи зонної теорії твердих тіл.
- •Модельні уявлення щодо електропровідності тв. Тіл
- •Елементи зонної теорії тв. Тіл
- •2. Класична теорія електропровідності. Рухомість носіїв заряду, питомий опір та провідність.
- •3. Статистика електронів та дірок в напівпровідниках. Густина квантових станів. Функція розподілу Фермі – Дірака для електронів та дірок.
- •4. Залежність положення рівня Фермі від концентрації домішок та температури в напівпровідниках.
- •5. Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
- •6. Напівпровідник у зовнішньому електричному полі. Дебаєвська довжина екранування.
- •7. Модельні уявлення, щодо контакту двох напівпровідників із різними типами провідності. Ефект випрямлення струму на p-n переході.
- •9. Товщина шару об΄ємного заряду p-n переходу. Бар΄єрна та дифузійна ємність p-n переходу. Варікапи, їх характеристики та параметри.
- •10. Контакт вироджених n- та p- напівпровідників. Тунельний діоди, їх характеристики та параметри.
- •11. Пробой p-n-перехода. Стабилитрон.
- •12. Внутрішній фотоефекти. Фотодіоди та фототранзистори, їх характеристики та парметри.
- •13. Контакт метал – напівпровідник. Товщина шару об΄ємного заряду в контакті метал – напівпровідник.
- •14. Ефект випрямлення струму в контакті метал – напівпровідник. Діоди Шотки, їх характеристики та параметри.
- •15. Біполярні транзистори, їх характеристики та параметри.
- •16. Распределение носителей заряда в базе биполярного транзистора. Эффект модуляции толщины базы биполярного транзистора.
- •17. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
- •18. Схемы питания и стабилизации режима работы транзистора
- •21. Виды имс. Методы фотолитографии. Конструктивно-технологічні особливості біполярных имс, мдн- імс та гібридних імс.
- •23. Параллельный Колебательный Контур. Резонанс Токов.
- •24.Связанные контуры. Резонанс в индуктивно связанных контурах.
- •26 Четырехполюсники.
- •27. Електричні кола з розподіленими параметрами.
- •28.Не линейные электрические цепи.
- •29. Методы преобразования цепей
- •30. Методы расчёта сложных цепей. Метод Сигнальных графов
- •31. Переходные процессы в rc-цепях.
- •32. Переходные процессы в rl-цепях
- •33.Переходные процессы в rlc цепях
- •34.Операторный метод анализа переходных процессов.
- •35. Спектральный метод ряд фурье и его свойства.
- •36.Классификация усилителей. Основные хар-ки и параметры усилителей,
- •37. Классы усиления.
- •38. Усилитель низкой частоты
- •39. Обратные связи в усилителях.
- •40. Дифференциальные усилительные каскады
- •41. Выходные каскады усиления, характеристики и параметры.
- •46. Чм и фм –модуляция колебания.
- •45. Амплитудная модуляция
- •47. Детектирование сигналов. Детектор.
- •49. Мінімізація логічних пристроїв. Мінімізація із застосуванням карт Вейча.
- •50. Комбінаційні логічні пристрої. Типові функціональні вузли цифрових комбінаційних логічних пристроів
- •51.Перетворювачі кодів. Дешифратори.
- •52.Цифрові компаратори
- •53. Синхронний rs-тригери
- •57. Регістри
- •58. Лічильники
- •59. Дискретизация непрерервних сигналiв
- •60. Квантование сигналов
- •61.Фурье перетворення дискретных сигналiв
- •62. Алгоритми швидкого перетворення Фурьє
- •64. Рекурсивные и нерекурсивные фильтры
- •65 Методи синтезу цифрових фільтрів з нескінченною імпульсною характеристикою. Метод білінійного z-перетворення.
- •67.Ефекти кванування в цифрових фільтрах.
- •68. Явище епр. Тонка, надтонка та спер надтонка структура спектрів епр.
- •69. Форма ліній епр. Однорідне та неоднорідне розширення ліній епр.
- •71. Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
- •73.Двойные резонансы.
- •76. Отрицательные температуры и отрецательный коефициент поглощения.
- •79. Физические принципы лежащие в основе построения модуляторов лазерного излучения. Типы модуляторов.
49. Мінімізація логічних пристроїв. Мінімізація із застосуванням карт Вейча.
Наиболее просто и наглядно задача минимизации ФАЛ решается с использованием её кубических представлений.
Известно, что любая ФАЛ с n переменными хар-ся своими куб-ми комплексами к0,к1,к2…кn-1. Из куб-х компексов к(z) можно выделить множество кубов П(z) таких, что каждый член комплекса к(0) т.е. вершины куба, будет включён по крайней мере в один куб из множества П(z). Тогда множество кубов П(z) называется покрытием комплекса к(z) или покрытием лог. ф-и. Для любой ФАЛ существует несколько её покрытий. В свою очередь каждому покрытию П(z) также как и самому комплексу соответствует своя ДНФ получаемая лог-м сложением логического произведения соответствующих выделенным кубам ФАЛ.
Мінімізація ФАЛ із застосуванням карт Вейча
Карта Вейча.
Карта Вейча–прямоугольная таблица число клеток которой для ФАЛ с n переменными равно 2n. Каждой из клеток ставится в соответствие некоторый набор входных переменных, причём рядом расположенным клеткам соответствуют соседние наборы входных переменных (кодов) а в самих клетках записаны значение функции определённые для этих кодов.
Д
X1
данную карту удобно представить как поверхность цилиндра.
Минимизация полностью определённой ФАЛ.
При миним. ФАЛ. Использ-ся её «0»-е или «1»-е значения.
Алгоритм миним. сводится к :
1-е На карте Вейча ФАЛ n переменных выделяются прямоуг-е области объединенные выбраным значением ф-и (лог. 0 или 1). Каждая обл. д. содержать 2к клеток, где к – целое число .Выделенныее области могут пересекатся.
2-е Каждой из выделенной областей соотв-ет к – куб исхоной ФАЛ , к-я представл-ся самост. лог-им произведением, знач. кот-х в рамках выделенной обл. остаются постоян-ными. Каждое произведение содержит nk произведений и носит название импликанты.
3-е Из полученного множества выбир. мин. число макс-но больших областей включающих все выбран-ные значения ФАЛ.
4-е Лог-ки суммируют импликанты соотв-их выбранным областям. Полученная сумма образует МДНФ т.е. является покрытием ФАЛ мин. стоимости.(покрытием Квайна). При объединении клеток с еденичным значением ФАЛ получают МДНФ самой ф-и, а при объединении клеток с 0-м значением МДНФ ф-и инверсно заданной.
если полностью определена ФАЛ n пременных принимает значение единицы на m наборах переменных то на остальных 2n-m входных наборах её значение равно 0. След-но объединение 0-х значений приве-дёт к получению ф-и инверсно заданной. Применяя полученной инверсной ДНФ теорему Де Моргана
получаем миним. ф-ю записаною в виде КНФ.
Минимизация недоопрой ФАЛ.
Недоопределённой наз. ФАЛ, значение которой заданы не на всех наборах входных переменных. Т.е. сущ. факультативные (необязательные) значения ф-и. При миним-и эти значения доопределяются произвольно, из условий получения на карте Вейча наименьшего числа максимально больших областей, что приводит к получению покрытия минимальной стоимости и простейшеё технической реализации.
Минимизация системы ФАЛ.
Если лог. устр-во имеет N выходов, то его поведение описывается системой N уравнений ФАЛ.
Мин-я стр-ры токого устр-ва выполняется с пом. минимизации N структур на выходе каждой из которых формируется только один вых. сигнал. С точки зрения всего устр-ва такая стр-