- •40.Диференціальні підсильвальні каскади.
- •1. Класифікація твердих тіл за їх електрофізичними властивостями. Модельні уявлення щодо електропровідності твердих тіл. Елементи зонної теорії твердих тіл.
- •Модельні уявлення щодо електропровідності тв. Тіл
- •Елементи зонної теорії тв. Тіл
- •2. Класична теорія електропровідності. Рухомість носіїв заряду, питомий опір та провідність.
- •3. Статистика електронів та дірок в напівпровідниках. Густина квантових станів. Функція розподілу Фермі – Дірака для електронів та дірок.
- •4. Залежність положення рівня Фермі від концентрації домішок та температури в напівпровідниках.
- •5. Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
- •6. Напівпровідник у зовнішньому електричному полі. Дебаєвська довжина екранування.
- •7. Модельні уявлення, щодо контакту двох напівпровідників із різними типами провідності. Ефект випрямлення струму на p-n переході.
- •9. Товщина шару об΄ємного заряду p-n переходу. Бар΄єрна та дифузійна ємність p-n переходу. Варікапи, їх характеристики та параметри.
- •10. Контакт вироджених n- та p- напівпровідників. Тунельний діоди, їх характеристики та параметри.
- •11. Пробой p-n-перехода. Стабилитрон.
- •12. Внутрішній фотоефекти. Фотодіоди та фототранзистори, їх характеристики та парметри.
- •13. Контакт метал – напівпровідник. Товщина шару об΄ємного заряду в контакті метал – напівпровідник.
- •14. Ефект випрямлення струму в контакті метал – напівпровідник. Діоди Шотки, їх характеристики та параметри.
- •15. Біполярні транзистори, їх характеристики та параметри.
- •16. Распределение носителей заряда в базе биполярного транзистора. Эффект модуляции толщины базы биполярного транзистора.
- •17. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
- •18. Схемы питания и стабилизации режима работы транзистора
- •21. Виды имс. Методы фотолитографии. Конструктивно-технологічні особливості біполярных имс, мдн- імс та гібридних імс.
- •23. Параллельный Колебательный Контур. Резонанс Токов.
- •24.Связанные контуры. Резонанс в индуктивно связанных контурах.
- •26 Четырехполюсники.
- •27. Електричні кола з розподіленими параметрами.
- •28.Не линейные электрические цепи.
- •29. Методы преобразования цепей
- •30. Методы расчёта сложных цепей. Метод Сигнальных графов
- •31. Переходные процессы в rc-цепях.
- •32. Переходные процессы в rl-цепях
- •33.Переходные процессы в rlc цепях
- •34.Операторный метод анализа переходных процессов.
- •35. Спектральный метод ряд фурье и его свойства.
- •36.Классификация усилителей. Основные хар-ки и параметры усилителей,
- •37. Классы усиления.
- •38. Усилитель низкой частоты
- •39. Обратные связи в усилителях.
- •40. Дифференциальные усилительные каскады
- •41. Выходные каскады усиления, характеристики и параметры.
- •46. Чм и фм –модуляция колебания.
- •45. Амплитудная модуляция
- •47. Детектирование сигналов. Детектор.
- •49. Мінімізація логічних пристроїв. Мінімізація із застосуванням карт Вейча.
- •50. Комбінаційні логічні пристрої. Типові функціональні вузли цифрових комбінаційних логічних пристроів
- •51.Перетворювачі кодів. Дешифратори.
- •52.Цифрові компаратори
- •53. Синхронний rs-тригери
- •57. Регістри
- •58. Лічильники
- •59. Дискретизация непрерервних сигналiв
- •60. Квантование сигналов
- •61.Фурье перетворення дискретных сигналiв
- •62. Алгоритми швидкого перетворення Фурьє
- •64. Рекурсивные и нерекурсивные фильтры
- •65 Методи синтезу цифрових фільтрів з нескінченною імпульсною характеристикою. Метод білінійного z-перетворення.
- •67.Ефекти кванування в цифрових фільтрах.
- •68. Явище епр. Тонка, надтонка та спер надтонка структура спектрів епр.
- •69. Форма ліній епр. Однорідне та неоднорідне розширення ліній епр.
- •71. Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
- •73.Двойные резонансы.
- •76. Отрицательные температуры и отрецательный коефициент поглощения.
- •79. Физические принципы лежащие в основе построения модуляторов лазерного излучения. Типы модуляторов.
71. Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
Все ядра с непарным массовым числом имеют спин I, который принимает только полуцелые значения. Ядра с парным массовым числом или вообще не имеют спина (12С, 16О, 32S) или имеют целочисленный спин (2H). Присутствие спинового момента у заряженного ядра приводит к возникновению ядерного магнитного момента:
, где - ядерный g-фактор, - ядерный магнетон.
, где М – масса протона, с – скорость света.
Состояние ядерного спина квантованное. Уровни энергии ядерного спина вырождены со степенью вырождения (2I+1). Оно может быть снято внешним магнитным полем.
Рассмотрим двухуровневую систему - 1Н:
Для протона ml=±1/2 (проекция спина на заданное направление). Поместим протон в магнитное поле и получим:
- условие резонансных переходов.
Распределение спинов между этими состояниями подчиняется закону Больцмана:
Между энергетическими подуровнями ядерного спина возникают индуцированные переходы при некоторых значениях поля Н. Переходы спина снизу вверх и с верху вниз равновероятны. ЯМР осуществляется на частотах v=5-20 МГц. Интенсивность поглощения зависит от разности населенностей спиновых уровней. При поглощении энергии населенности будут выравниваться. Поэтому необходимо существование обмена энергией спиновой системы с другими системами. В ЯМР такой обмен энергией обеспечивает спин-спиновая и спин решеточная релаксация. Время этих релаксационных процессов до пары секунд. (≈10-2 – 2 с). Для ЯМР характерно то, что такие ядерные параметры как спин, магнитный и квадрупольный моменты с высокой степенью точности можно считать не зависимыми от окружения.
ЯМР в жидкостях:
Рассмотрим ЯМР в жидкостях на примере ядер водорода в молекулах этилового спирта (СН3-СН2-ОН). В этом веществе ядра водорода с точки зрения химической связи можно отнести к трём группам: одно входит в группу ОН, два ядра в группу СН2, три - СН3. На (рис. 1) приведен спектр ЯМР протона (1Н) в этиловом спирте.
Где σ - химический сдвиг (относительная величина экранирования ядра). В этом спектре четко видно три отдельных сигнала. Их интенсивности находятся в соотношении 1:2:3 и соответствуют отношению числа протонов, которые находятся в каждом типе окружения. Важной характеристикой спектра ЯМР - константа спин-спинового взаимодействия, (j). Взаимодействие между ядрами вещества проявляется через электронное окружение. Эти взаимодействие обуславливают тонкую структуру резонансных линий (рис. 2).
Константа с.-с. взаимодействия - величина ращепления спектра.
Спектры ЯМР жидких веществ состоят из тонких линий, что позволяет наблюдать малые, по очень важные эффекты, обусловленые химическим сдвигом, и спин-спиновым взаимодействием.
ЯМР в твёрдом теле:
В реальных системах резонансная частота, а с ней и вид спектра ЯМР и положение линий в спектре, сильно зависит от эффективного поля в месте расположения ядра. Тут существенный вклад даёт локальные магнитные поля (поля соседних ядер, магнитные поля электронных оболочек, взаимодействие ядра с квадрупольным моментом). В общем виде полный гамильтониан:
- эффект Зеемана для ядер; - квадрупольное взаимодействие (часто = 0); - диполь-дипольное взаимодействие; - спин-орбитальное и спин-спиновое взаимодействие при
отсутствии внешнего магнитного поля. Эта поправка часто = О, так как усредняется по всем направлением; взаимодействие ядерных спинов с орбитальным и спиновым моментом электрона. В нем заключены сдвиг Найта и химический сдвиг; - непрямое взаимодействие между ядерными спинами.
Диполь-дипольное взаимодействие:
В системе ядерных спинов каждый отдельными спин чуствует влияние поля, созданого магнитными диполями всех остальных спинов, и его собственный дипольный момент испытывает зеемановское взаимодействие, с этим полем. Расмотрим молекулу воды:
Изотоп 160 не имеет спина, поэтому воду можно представить как ряд независимых пар протонов. Каждый протон в молекуле воды находится в локальном магнитном поле.
r - расстояние между протонами в диполе воды.
Разместим наш диполь в системе координат х, у, таким образом
Во внешнем магнитном поле спины протонов будут прецисировать вдоль и против поля. При этих условиях зеемановский член спин гамильтониана запишется так:
А диполь-дипольное взаимодействие:
При
спектр ЯМР будет состоять из еденичной линии.
При
то линия будет дуплетом.
Теперь:
Максимальное расстояние между линиями дуплета будет наблюдаться при:
■
Из этих данных изучая угловую зависимость спектров ЯМР можно определить r.
Химический сдвиг:
Внешнее однородное магнитное поле которое вызвано прецесией всей совокупности электронов атома вокруг вектора напряженности магнитного поля определяет возникновение электронных токов. Они создают диамагнитный момент и создают вторичное поле, которое влияет на ядра и объясняет появление химического сдвига. Для атомов с заполненной электронной оболочкой (по Лейбу):
- плотность электронов на расстоянии г от ядра. Если атом химически связан с другими атомами, то есть входит в состав молекулы, то соответственно к общей теории химического экранирования необходимо рассматривать три составляющих химического сдвига:
Где - диамагнитный фактор (аналогичен Лейбу). Зависит от распределения электронов в атоме в основном энергетическом состоянии; - парамагнитная составляющая зависящая от возбужденных состояний атома; - коррекция связана с взаимодействием электронов соседних атомов. Часто берут равной 0.
Сдвиг Найта:
Влияние электронов проводимости на магнитный момент ядра (при Н=0):
Где S - спин электронов проводимости; А - константа СТС.
Поправка к магнитному полю ΔН - сдвиг Найта.
Поскольку в нулевом внешнем магнитном поле спины электронов проводимости ориентированы хаотично, то стоит брать усредненное во времени значение спина (<S>).
Если выразить <S> через спиновую восприимчивость получим:
Теперь подставляя в формулу вырождение для спиновой восприимчивости свободного электрона получаем:
Отсюда получаем важные данные: сдвиг Найта прямо пропорционален внешнему магнитному полю и обратно пропорционален температуре.
Квадрупольное взаимодействие:
Ядра спин которых больше 1/2 характеризуются несферической формой. При наличии градиента электрического поля то
неоднозначность в положении ядра будет снята и получим (2I+1) энергетических уровня. Почти не проявляется в полях
кубической решетки, но проявляется в кристаллических полях аксиальной и ниже симметрии.
72. Явление ЯКР. Ядерный квадрупальный гамельтониан.
Эффект связан с тем, что атомы спин которых больше 1/2 имеют не сферичные ядра. Ядро не сферичное, а эллипсоид.
Если в месте, где расположено ядро будет градиент электрического поля, то неоднозначность ориентации (Emin ... Emax) ядра будет снята и имеем (2I+1) энергетических уровня для данного ядра.
Здесь магнитное поле, чтобы снять вырождение не нужно.
Чтобы снять вырождение нужно:
1. Несферичность ядра
2. Наличие grad электрического поля кристаллической решетки в том месте расположения ядра.
Эффект тонкий, желательно чтобы концентрация центров, где наблюдается ЯКР была большой, образцы крупные до 2 см3 в объеме. Если ЯКР наблюдается на изотопах, то их нужбо большое количество (до 70%).
отвечающих за спектр ЯКР, где
Q - параметр ассиметричности; gradE - градиент электрического поля.
Электрический квадрупольный момент=еО
Тоесть ЯКР - результат взаимодействия eQ (электронного квадрупольного момента) с gradE в результате которого спектр
ращепится на 2I+1 уровень.
Q - характеризует несферичность ядра, измеряется в ед. площади.
Если ядро вытянуто вдоль I, то Q положительное, а если сплюснуто, то Q отрицательно. Градиент электрического поля (gradE).
Квадрупольный гамильтониан имеет вид:
lz - проекция спина ядра на ось z.
Пример 3: Sb123: I=7/2
Какие бы изотопы не взяли, везде частота перехода будет:
Исследование спектров ЯКР дает информацию о величине grad E,a на gradE в свою очередь влияет тип химической связи.
Все что влияет на gradE это объект исследования ЯКР. (Исследование фазового перехода, деформационное влияние на кристалл.).