- •40.Диференціальні підсильвальні каскади.
- •1. Класифікація твердих тіл за їх електрофізичними властивостями. Модельні уявлення щодо електропровідності твердих тіл. Елементи зонної теорії твердих тіл.
- •Модельні уявлення щодо електропровідності тв. Тіл
- •Елементи зонної теорії тв. Тіл
- •2. Класична теорія електропровідності. Рухомість носіїв заряду, питомий опір та провідність.
- •3. Статистика електронів та дірок в напівпровідниках. Густина квантових станів. Функція розподілу Фермі – Дірака для електронів та дірок.
- •4. Залежність положення рівня Фермі від концентрації домішок та температури в напівпровідниках.
- •5. Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
- •6. Напівпровідник у зовнішньому електричному полі. Дебаєвська довжина екранування.
- •7. Модельні уявлення, щодо контакту двох напівпровідників із різними типами провідності. Ефект випрямлення струму на p-n переході.
- •9. Товщина шару об΄ємного заряду p-n переходу. Бар΄єрна та дифузійна ємність p-n переходу. Варікапи, їх характеристики та параметри.
- •10. Контакт вироджених n- та p- напівпровідників. Тунельний діоди, їх характеристики та параметри.
- •11. Пробой p-n-перехода. Стабилитрон.
- •12. Внутрішній фотоефекти. Фотодіоди та фототранзистори, їх характеристики та парметри.
- •13. Контакт метал – напівпровідник. Товщина шару об΄ємного заряду в контакті метал – напівпровідник.
- •14. Ефект випрямлення струму в контакті метал – напівпровідник. Діоди Шотки, їх характеристики та параметри.
- •15. Біполярні транзистори, їх характеристики та параметри.
- •16. Распределение носителей заряда в базе биполярного транзистора. Эффект модуляции толщины базы биполярного транзистора.
- •17. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
- •18. Схемы питания и стабилизации режима работы транзистора
- •21. Виды имс. Методы фотолитографии. Конструктивно-технологічні особливості біполярных имс, мдн- імс та гібридних імс.
- •23. Параллельный Колебательный Контур. Резонанс Токов.
- •24.Связанные контуры. Резонанс в индуктивно связанных контурах.
- •26 Четырехполюсники.
- •27. Електричні кола з розподіленими параметрами.
- •28.Не линейные электрические цепи.
- •29. Методы преобразования цепей
- •30. Методы расчёта сложных цепей. Метод Сигнальных графов
- •31. Переходные процессы в rc-цепях.
- •32. Переходные процессы в rl-цепях
- •33.Переходные процессы в rlc цепях
- •34.Операторный метод анализа переходных процессов.
- •35. Спектральный метод ряд фурье и его свойства.
- •36.Классификация усилителей. Основные хар-ки и параметры усилителей,
- •37. Классы усиления.
- •38. Усилитель низкой частоты
- •39. Обратные связи в усилителях.
- •40. Дифференциальные усилительные каскады
- •41. Выходные каскады усиления, характеристики и параметры.
- •46. Чм и фм –модуляция колебания.
- •45. Амплитудная модуляция
- •47. Детектирование сигналов. Детектор.
- •49. Мінімізація логічних пристроїв. Мінімізація із застосуванням карт Вейча.
- •50. Комбінаційні логічні пристрої. Типові функціональні вузли цифрових комбінаційних логічних пристроів
- •51.Перетворювачі кодів. Дешифратори.
- •52.Цифрові компаратори
- •53. Синхронний rs-тригери
- •57. Регістри
- •58. Лічильники
- •59. Дискретизация непрерервних сигналiв
- •60. Квантование сигналов
- •61.Фурье перетворення дискретных сигналiв
- •62. Алгоритми швидкого перетворення Фурьє
- •64. Рекурсивные и нерекурсивные фильтры
- •65 Методи синтезу цифрових фільтрів з нескінченною імпульсною характеристикою. Метод білінійного z-перетворення.
- •67.Ефекти кванування в цифрових фільтрах.
- •68. Явище епр. Тонка, надтонка та спер надтонка структура спектрів епр.
- •69. Форма ліній епр. Однорідне та неоднорідне розширення ліній епр.
- •71. Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
- •73.Двойные резонансы.
- •76. Отрицательные температуры и отрецательный коефициент поглощения.
- •79. Физические принципы лежащие в основе построения модуляторов лазерного излучения. Типы модуляторов.
38. Усилитель низкой частоты
При выборе динамического режима работы транзистора. работающего в качестве усилителя малых сигналов низкой частоты, следует помнить, что:
1. Изменения переменных токов и напряжений должно происходить только в активной области не заходя в область насыщения и отсечки.
2. Динамический режим работы транзистора ограничен максимально допустимыми значениями:
а)I э макс.-максимально допустимый ток эмиттера, определяемый мощностью эмиттерного перехода,
б)Uк макс. - максимально допустимое напряжение коллектора, определяемое напряжением пробоя,
в) Pк. макс. доп. - допустимая мощность рассеивания коллекторного перехода.
На рис. 4.7 показана область, за пределы которой не должна выходить рабочая точка при работе транзистора в качестве усилителя.
3. Если ставится условие работы без нелинейных искажений, т.е. условие точного воспроизведения на выходе транзистора формы сигнала, поданного на вход, то изменения переменных токов и напряжений должны происходить на участке выходной динамической характеристики, для которого изменения выходного тока прямо пропорциональны изменениям входного тока. Кроме того, т.к. нелинейные искажения в транзисторах в очень большой степени определяются нелинейностью входной динамической характеристики, необходимо, чтобы изменения переменных токов и напряжений лежали бы на прямолинейном участке входной динамической характеристики.
39. Обратные связи в усилителях.
Виды обратной связи
Обратную связь, существующую собственно в УП(усилит прибор) при y12¹0 или h12¹0 т. д., называют внутренней в отличие от внешней обратной связи, осуществляемой с помощью дополнительных элементов (резисторов, конденсаторов и т.д.) присоединяемых к УП. Для ПОС
Uвых=Ku0Uвхå; Uвхå= Uвх +bocUвых; boc-коэф обратн связи; Кuпос=Uвых/Uвх0=Ku0/(1-bocKu0)
Т.е. с введением в УУ ПОС увелич коэф усиления (увелич наклон передат хар-ки). Если boc=1/ Ku0 то знаменатель обращается в 0, что соответствует коэф усиления=¥. При дальнейшем увелич boc, Кuпос становиться отрицат-ым, что означает получение на передат хар-ке участка с отрицат наклоном. Передат хар-ка при этом перестает быть однозначной.
Для ООС Uвых=Ku0Uвхå; Uвхå= Uвх -bocUвых; Кuоос=Uвых/Uвх0=Ku0/(1+bocKu0).
Введение ООС уменьш коэф усиления – это проявляется в уменьш наклона ее передат хар-ки.
Рис.2 ОС по напряжению
Рис.3. ОС по току
Uвхå=Uвх0+Uoc
Iвхå=Iвх0+Ioc
Влияние ОС на коэф усиления.
Кuоос=Ku0/(1+bocKu0) – глубина ОС. Пусть Ku0 получил приращение D Ku0. Разложив в ряд Тейлора уравнение для ООС получим: Кuоос=(dКuоос/dКuо)* D Ku0, или
dКuо – относит изменение коэф усиления УУ без ООС; dКuоос – относ измен-е с введенной ООС.
Нестабильность Кuо УУ в ООС будет зависеть от нестабильности коэф передачи самой цепи ООС.
DКuоос=(dКuоос/dbоc)* Dboc
относит изменение Кuоос:
Знак – говорит о том, что увеличение boc ведет к снижению Кuоос. Используя (17) и (18) и считая исх систему линейной для суммарной нестабильности коэф передачи можно записать
Коэф передачи и относит изменение коэф передачи с ПОС всегда больше, чем у исходного УУ. При этом знак зависит от конкретного коэф передачи.
Влияние ОС на полосу пропускания
Введение ООС УУ всегда расширяет полосу усиливаемых частот. Пусть передат хар-ка УУ имеет вид W(P)= Кuо/(T1(P)+1).
Охватим УУ частотно-независ цепью ООС. Тогда передат ф-ия с ООС имеет вид
По определению полоса пропускания УУ определяется по уровню снижения коэф передачи в 1,41 раза, т.е. на 3дБ.
Для ПОС
. fпoc=fв(1-Кuboc)(22)
Частотную хар-ку можно получить смещением вверх горизонт участка ЛАЧХ на величину
20lg(1-Kuoboc),дБ.
Влияние ОС на искажения, вх и вых сопротивления.
Um1ooc= Um1/(1+Kuoboc). Т.е. любой сигнал, появляющийся на вых УУ вне зависимости от природы его возникновения будет уменьшен на величину глубины ОС.
Введение в УУ последовательной ООС в глубину раз увеличивает его входное сопротивления Zвхоос=Zвхо(1+Кuoboc); Введение ПОС увеличивает вх ток , что эквивалентно уменьшению входного сопротивления Zвхпос=Zвхо(1-Кuoboc);
Zвхоос=(Zвхо Zоос)/[Zвхо(1+Кuo)+Zooc];
Для парал ПОС Zвхоос=(Zвхо Zоос)/[Zвхо(1-Кuo)+Zooc];
Вых R УУ с ОС зависит только от способа снятия сигнала ОС и не зависит от того каким образом этот сигнал введен в его вх цепь.
Zвыхоос=Zвыхо/(1+Kuoboc); введение в УУ ООС по вых напряжению уменьш его вых сопротивление в глубину ООС раз. Любая ООС стремится поддержать неизменным значение того параметра , кот использовался для получения сигнала ОС. Для ПОС по Uвых получим
Zвыхпос=Zвыхо/(1+Kuoboc); вых сопротивление увеличивается до ¥ (при увеличении Kuo). При boc>1/ Kuo изменяется знак на “-“.
Для случая ООС по вых току
Zвыхоос=ZосKuoboc + Zвыхо. Т.е. цепь ООС по Iвых увеличивает Zвых. А для ПОС
Zвыхпос= Zвыхо – ZосKuoboc