Глава 23. Полевые транзисторы

1. Напряжение отсечки — это напряжение, при котором исчезает ток стока полевого транзистора.

2. Напряжение отсечки дается производителем транзисто­ра при напряжении затвор-исток равном нулю.

3. Полевой транзистор с изолированным затвором обеднен­ного типа (МОП транзистор) проводит, когда напряже­ние смещения на затворе равно нулю. Это считается нор­мальным.

4. МОП транзистор обогащенного типа в нормальном со­стоянии закрыт, и открывается только при подаче на затвор соответствующего напряжения смещения.

5. При работе с МОП транзисторами должны соблюдать­ся следующие меры предосторожности:

а. До установки его выводы должны быть закорочены.

б. Используйте металлический браслет на запястьи для заземления работающей руки.

в. Используйте паяльник с заземленным жалом.

г. Всегда выключайте питание перед установкой МОП транзистора.

Глава 24. Тиристоры

1. Диод на основе р-п-перехода имеет один переход и два вывода (анод и катод), а КУВ имеет три перехода и три вывода (анод, катод и управляющий переход).

2. Приложенное к аноду напряжение удерживает КУВ во включенном состоянии даже после удаления напряже­ния с управляющего перехода. Это позволяет току про­текать от катода к аноду.

3. Нагрузочный резистор включается последовательно с КУВ для ограничения тока катод-анод.

4. КУВ можно проверить с помощью омметра или про­мышленного прибора для проверки транзисторов. Для проверки КУВ с помощью омметра подсоедините поло­жительный вывод к катоду, а отрицательный к аноду. Прибор должен показать высокое сопротивление, пре­вышающее 1 МОм. Поменяйте выводы местами: поло­жительный вывод — к аноду, а отрицательный — к ка­тоду. Прибор опять должен показать высокое сопротив­ление, превышающее 1 МОм. Соедините управляющий электрод с анодом — сопротивление должно упасть до величины меньшей 1000 Ом. Удалите соединение управ­ляющего электрода с анодом — сопротивление должно остаться низким. Отсоедините выводы и повторите про­верку.

5. Диак используется как устройство запуска триака. Он предотвращает включение триака до тех пор, пока на управляющем электроде не будет достигнуто некоторое напряжение.

Глава 25. Интегральные микросхемы

1. Гибридные интегральные микросхемы содержат моно­литные, тонкопленочные, толстопленочные и дискрет­ные компоненты.

2. Чип — это полупроводниковый материал, содержащий интегральную микросхему и имеющий площадь около одного квадратного сантиметра.

3. Резисторы и конденсаторы в интегральной микросхеме не формируются монолитным методом, поскольку тре­буется достаточно высокая точность соблюдения вели­чины их параметров. Монолитный метод не позволяет получить такую же точность, какую дает тонкопленоч­ная и толстопленочная техника.

Глава 26. Оптоэлектронные устройства

1. Самое короткое время отклика на изменения интенсив­ности света из всех фоточувствительных устройств име­ет фотодиод.

2. Фототранзистор имеет более широкую область приме­нений, поскольку у него более высокое усиление. Одна­ко, его время отклика на изменения интенсивности све­та больше, чем у фотодиода.

3. Чем больше ток, протекающий через светодиод, тем ярче испускаемый им свет. Однако последовательно со светодиодом должен быть включен резистор, ограничи­вающий ток, для избежания повреждения светодиода.