- •Введение
- •1.Физические основы строения материалов
- •1.1. Квантово-механическая теория строения атома
- •1.2. Волновое уравнение электронов
- •1.3. Электронная конфигурация атомов
- •2. Строение твердого тела
- •2.1. Химическая связь в молекулах
- •2.2. Агрегатные состояния вещества
- •2.3. Строение твердых тел. Кристаллическая решетка
- •2.4. Дефекты кристаллических решеток твердых тел
- •2.5. Химические связи в кристаллах
- •2.6. Электронные состояния твердых тел
- •2.7. Металлы, диэлектрики, полупроводники с точки зрения зонной теории
- •3. Электропроводность полупроводников
- •3.1. Собственные полупроводники
- •3.2. Статистика свободных носителей заряда
- •3.3. Эффективная масса электрона
- •3.4. Концентрация свободных носителей и положение уровня Ферми в собственном полупроводнике
- •3.5. Примесные полупроводники
- •3.5.1. Донорные полупроводники
- •3.5.2. Акцепторные полупроводники
- •3.5.3. Оценка энергии активации и размеров примесных атомов
- •3.6. Рекомбинация носителей заряда
- •3.7. Концентрация свободных носителей заряда в примесном полупроводнике
- •3.7.1. Донорный полупроводник
- •3.7.2. Акцепторный полупроводник
- •3.7.3. Уравнение электронейтральности
- •3.7.4. Однородный вырожденный полупроводник
- •3.8. Связь между концентрациями носителей заряда в примесном и собственном полупроводниках (закон действующих масс)
- •3.9. Электрический ток в полупроводниках
- •3.10. Физические основы анализа полупроводниковых приборов
- •3.10.1. Общий порядок расчета
- •3.10.2. Неравновесные носители заряда
- •3.10.3. Уравнения непрерывности
- •4. Контактные явления в полупроводниках
- •4.1. Неоднородный полупроводник одного типа электропроводности
- •4.2. Электронно-дырочный переход в условиях равновесия
- •4.3. Энергетическая диаграмма р-n перехода в условиях равновесия
- •4.4. Расчет концентраций носителей заряда в электронно-дырочном переходе
- •4.5. Электронно-дырочный переход под воздействием внешнего напряжения
- •4.6. Толщина р-n перехода
- •4.7. Методика определения параметров р-п перехода
- •4.7.1. Основные параметры перехода
- •4.7.2. Граничные условия в области пространственного заряда
- •4.7.3. Анализ идеализированного диода
- •4.8. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
- •4.9. Генерация и рекомбинация в электронно-дырочных переходах
- •4.10. Емкости p-n перехода
- •4.10.1. Барьерная емкость перехода
- •4.10.2. Диффузионная емкость перехода
- •4.11. Контакт между полупроводниками с одним типом электропроводности
- •4.12. Работа выхода
- •4.13. Контакт металл – полупроводник
- •4.14. Влияние состояния поверхности на характеристики электронно-дырочного перехода
- •4.14.1. Теория приповерхностной области пространственного заряда
- •4.14.2. Поверхностная проводимость
- •4.14.3. Расчет поверхностных токов
- •4.15. Гетеропереходы
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода
- •5.1. Лавинный пробой
- •5.2. Туннельный пробой
- •5.3. Тепловой пробой
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках
- •6.1. Эффект Холла
- •6.2. Эффект Эттингсгаузена
- •6.3. Эффект Зеебека
- •6.4. Эффект Пельтье
- •6.5. Эффект Томсона
- •7.Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •7.1. Природа фотопроводимости
- •7.2. Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения
- •7.3. Люминесценция полупроводников
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •1.Физические основы строения материалов 4
- •2. Строение твердого тела 16
- •3. Электропроводность полупроводников 31
- •4. Контактные явления в полупроводниках 56
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода 108
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках 116
- •7.Фотопроводимость и поглощение света 123
- •Владимир Михайлович Бардаков Алефтина Алексеевна Лессинг Основы физики полупроводников
2.3. Строение твердых тел. Кристаллическая решетка
Большинство веществ, находящихся в твердом состоянии обладают кристаллической структурой. В кристаллических твердых веществах существует определенное для данного вещества расположение частиц, сохраняющееся на всем протяжении тела при всех температурах ниже температуры плавления. Располагаясь в пространстве определенным образом, ближайшие друг к другу атомы образуют контур какого-нибудь геометрического тела, например, куба. Каждый кристалл состоит из множества таких одинаково ориентированных геометрических тел, называемых элементарными ячейками. Совокупность этих ячеек представляет собой кристаллическую решетку. Кристаллические решетки могут иметь различную структуру. В зависимости от типа решетки различают не только число частиц в элементарной ячейке, но и расстояние между ними, а значит, и плотность упаковки частиц.
Причина образования той или иной кристаллической решетки зависит в основном от размеров атома, количества электронов и электронной конфигурации его внешних оболочек.
Правильный кристалл имеет кристаллическую решетку со строго периодичным электростатическим полем. Атомы такого кристалла расположены в пространстве упорядоченно, то есть обладают свойством пространственной периодичности или трансляционной симметрии. Это значит, что существуют три компланарных, то есть не лежащих в одной плоскости вектора обладающих тем свойством, что любое перемещение структуры на вектор , где n1, n2, n3 – любые целые числа, оставляет эту структуру неизменной.
Наименьшие значения векторов называют трансляционными или основными векторами кристаллической решетки. Параллелепипед, построенный на трех основных векторах, представляет собой элементарную кристаллическую ячейку. Длины ребер элементарной ячейки называют постоянными решетки. Постоянные решетки – a1, а2, а3 – могут быть различны по величине в зависимости от формы ячейки.
Рассмотрим линейную (одномерную) кристаллическую решетку, которая представляет собой совокупность частиц, расположенных вдоль бесконечной прямой линии. В этом случае существует только один трансляционный вектор модуль которого равен а. В этом случае объем элементарной ячейки равен длине отрезка а.
Здесь могут иметь место различные случаи:
а ) решетка состоит из одинаковых атомов, расположенных на одинаковом расстоянии друг от друга (рис. 2.2)
б ) решетка состоит из одинаковых атомов, но объединенных попарно в группы (рис. 2.3)
в ) решетка состоит из разных атомов (рис. 2.4)
Из рисунков видно, что в первом случае каждая ячейка содержит только один атом. Такая ячейка называется простой. В случаях б) и в) каждая ячейка содержит по два атома, такие ячейки называются сложными.
Как правило, сложную решетку можно свести к простой соответствующим выбором трансляционных векторов. Это можно рассмотреть на примере двухмерной решетки.
Простая двумерная решетка представляет собой прямоугольник, вершины которого можно поместить в узлы решетки. В этом случае возможен выбор трансляционных векторов, представленный на рис. 2.5.
Т ак как каждый из узлов одновременно принадлежит четырем различным ячейкам, а каждая ячейка содержит по четыре узла, граничащих с соседними ячейками, то число атомов в ячейке равно 1.
Сложная двухмерная решетка может иметь структуру, показанную на рис. 2.6.
В качестве основных векторов можно выбрать также , тогда элементарная ячейка будет представлять собой прямоугольник, содержащий два атома.
Совокупность координат r01, r02, … r0n всех атомов, входящих в состав одной элементарной ячейки (отсчет ведется от какого-либо узла решетки), образует базис сложной решетки. В данном случае базис равен:
r02 = 0, r02 = .
Можно выбрать основные векторы , тогда элементарная ячейка будет представлять собой ромб, содержащий только один атом.
В случае трехмерной решетки (рис. 2.7.) можно направить основные векторы вдоль ребер куба , получим кубическую элементарную ячейку. Так как каждый атом, находящийся в узле, принадлежит восьми соседним кубам, то число атомов в ячейке будет равно двум.
Базис определится соотношениями:
r01 = 0, r02 = ).
Если за основные принять векторы:
т о получится ромбоэдрическая элементарная ячейка. Так как атомы расположены только в вершинах ячейки, каждая ячейка содержит только по одному атому, и решетка будет простой.
Всего существует 14 типов кристаллических решеток, к которым могут быть сведены все типы решеток, это так называемые решетки Бравэ.
Тип кристаллической решетки определяется формой того геометрического тела, которое составляет основу его элементарной ячейки. Наиболее распространенными типами кристаллических решеток являются следующие:
1. Простая кубическая решетка. В каждой вершине такой решетки располагается один атом, принадлежащий одновременно восьми соседним элементарным ячейкам. В такой форме кристаллизуется лишь полоний.
2. Кубическая объемно центрированная (ОЦК). Здесь, помимо атомов в вершинах кубов, имеется еще один атом в центре (рис. 2.8, а). К данному типу относятся кристаллические решетки молибдена и вольфрама.
3 . Кубическая гранецентрированная решетка (ГЦК). Эта решетка имеет шесть атомов в центрах граней и, кроме того, восемь атомов в вершинах куба (рис. 2.8, б). В такой форме кристаллизуется алюминий и ряд других химических элементов.
4. Решетка типа алмаза. Может рассматриваться как две вложенные друг в друга кубические гранецентрированные решетки, смещенные на расстоянии четверти диагонали куба. В данной форме кристаллизуются углерод, кремний, германий и серая модификация олова.
5. Решетка типа арсенида галлия получается из решетки типа алмаза в том случае, когда атомы Ga совпадают с узлами одной гранецентрированной решетки, а атомы As – с узлами другой.
6. Гексагональная плотноупакованная (ГПУ) (рис. 2.8, в). Ячейка решетки ГПУ представляет собой призму, основаниями которой являются центрированные одним атомом шестигранники. Внутри этой ячейки между основаниями находятся еще три атома, образующие равносторонний треугольник.
Реальные кристаллы обладают еще одной важной для понимания их свойств особенностью. Кристаллическая решетка не является идеальной, а имеет различные дефекты строения.