- •Введение
- •1.Физические основы строения материалов
- •1.1. Квантово-механическая теория строения атома
- •1.2. Волновое уравнение электронов
- •1.3. Электронная конфигурация атомов
- •2. Строение твердого тела
- •2.1. Химическая связь в молекулах
- •2.2. Агрегатные состояния вещества
- •2.3. Строение твердых тел. Кристаллическая решетка
- •2.4. Дефекты кристаллических решеток твердых тел
- •2.5. Химические связи в кристаллах
- •2.6. Электронные состояния твердых тел
- •2.7. Металлы, диэлектрики, полупроводники с точки зрения зонной теории
- •3. Электропроводность полупроводников
- •3.1. Собственные полупроводники
- •3.2. Статистика свободных носителей заряда
- •3.3. Эффективная масса электрона
- •3.4. Концентрация свободных носителей и положение уровня Ферми в собственном полупроводнике
- •3.5. Примесные полупроводники
- •3.5.1. Донорные полупроводники
- •3.5.2. Акцепторные полупроводники
- •3.5.3. Оценка энергии активации и размеров примесных атомов
- •3.6. Рекомбинация носителей заряда
- •3.7. Концентрация свободных носителей заряда в примесном полупроводнике
- •3.7.1. Донорный полупроводник
- •3.7.2. Акцепторный полупроводник
- •3.7.3. Уравнение электронейтральности
- •3.7.4. Однородный вырожденный полупроводник
- •3.8. Связь между концентрациями носителей заряда в примесном и собственном полупроводниках (закон действующих масс)
- •3.9. Электрический ток в полупроводниках
- •3.10. Физические основы анализа полупроводниковых приборов
- •3.10.1. Общий порядок расчета
- •3.10.2. Неравновесные носители заряда
- •3.10.3. Уравнения непрерывности
- •4. Контактные явления в полупроводниках
- •4.1. Неоднородный полупроводник одного типа электропроводности
- •4.2. Электронно-дырочный переход в условиях равновесия
- •4.3. Энергетическая диаграмма р-n перехода в условиях равновесия
- •4.4. Расчет концентраций носителей заряда в электронно-дырочном переходе
- •4.5. Электронно-дырочный переход под воздействием внешнего напряжения
- •4.6. Толщина р-n перехода
- •4.7. Методика определения параметров р-п перехода
- •4.7.1. Основные параметры перехода
- •4.7.2. Граничные условия в области пространственного заряда
- •4.7.3. Анализ идеализированного диода
- •4.8. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
- •4.9. Генерация и рекомбинация в электронно-дырочных переходах
- •4.10. Емкости p-n перехода
- •4.10.1. Барьерная емкость перехода
- •4.10.2. Диффузионная емкость перехода
- •4.11. Контакт между полупроводниками с одним типом электропроводности
- •4.12. Работа выхода
- •4.13. Контакт металл – полупроводник
- •4.14. Влияние состояния поверхности на характеристики электронно-дырочного перехода
- •4.14.1. Теория приповерхностной области пространственного заряда
- •4.14.2. Поверхностная проводимость
- •4.14.3. Расчет поверхностных токов
- •4.15. Гетеропереходы
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода
- •5.1. Лавинный пробой
- •5.2. Туннельный пробой
- •5.3. Тепловой пробой
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках
- •6.1. Эффект Холла
- •6.2. Эффект Эттингсгаузена
- •6.3. Эффект Зеебека
- •6.4. Эффект Пельтье
- •6.5. Эффект Томсона
- •7.Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •7.1. Природа фотопроводимости
- •7.2. Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения
- •7.3. Люминесценция полупроводников
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •1.Физические основы строения материалов 4
- •2. Строение твердого тела 16
- •3. Электропроводность полупроводников 31
- •4. Контактные явления в полупроводниках 56
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода 108
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках 116
- •7.Фотопроводимость и поглощение света 123
- •Владимир Михайлович Бардаков Алефтина Алексеевна Лессинг Основы физики полупроводников
2. Строение твердого тела
2.1. Химическая связь в молекулах
Квантово-механическое уравнение Шрёдингера, описывающее характер движения электрона в атоме, дает возможность объяснить природу химических связей, возникающих между атомами в молекуле.
П ри сближении атомов происходит взаимное перекрытие их электронных оболочек и между атомами возникают силы электростатического взаимодействия. Важной характеристикой взаимодействия является изменение потенциальной энергии сближающихся атомов.
Изменение потенциальной энергии в зависимости от расстояния между ядрами при образовании молекулы водорода из двух нейтральных атомов представлено на рис. 2.1. При сближении удаленных друг от друга атомов вплоть до некоторого расстояния R0 потенциальная энергия уменьшается. Это уменьшение потенциальной энергии связано с преобладанием сил электростатического притяжения над силами отталкивания.
Происхождение сил электростатического притяжения у двух нейтральных атомов объясняется тем, что перекрытие электронных оболочек сближающихся атомов водорода приводит к обобществлению электронов для обоих ядер. Этот эффект носит название обменного взаимодействия. В зависимости от ориентации спинов обобществленных электронов взаимодействие может приводить к образованию либо сил притяжения, либо сил отталкивания. Если спины параллельны, то возникает отталкивание и молекула не образуется. При антипараллельных спинах возникают силы притяжения.
Химическая связь, осуществляемая обобществленными электронами, называется ковалентной. Обобществленные электроны чаще всего находятся в области перекрытия, поскольку там на них действуют силы притяжения обоих ядер, что приводит к уменьшению энергии электронов.
В образовании химической связи участвуют только электроны самой внешней оболочки, или валентные электроны, а поскольку все атомы стремятся иметь устойчивую (или полностью заполненную) оболочку (как у инертных газов), то количество пар обобществленных электронов соответствует валентности электронов. Например, у кислорода валентность равна двум, до устойчивой оболочки ему не хватает двух электронов, поэтому при образовании молекулы кислорода О2 возникают две обобществленные электронные пары:
Ковалентные связи обладают свойством направленности. Например, в атоме азота в р-состоянии три электрона при одинаковом орбитальном квантовом числе l = 1 имеют разные магнитные квантовые числа m = –1, 0, 1, а это означает, что их электронные орбиты ориентированы в пространстве по-разному. Эта направленность сохраняется и при образовании химических соединений. Например, в молекуле аммиака NH3 атомы водорода расположены по отношению к атому азота по трем разным направлениям.
Существует физический эффект, который носит название электроотрицательности атомов. Электроотрицательность характеризует способность атома в молекуле притягивать электроны, участвующие в образовании химической связи.
Если молекула образуется из атомов с одинаковой электроотрицательностью, то центры тяжести положительного и отрицательного зарядов оказываются совмещенными, связь между атомами называется неполярной ковалентной связью. Если же молекулу образуют атомы с разной, но близкой электроотрицательностью, то центры тяжести положительного и отрицательного зарядов разнесены в пространстве, такую связь называют полярной ковалентной. В первом случае обобществленные электроны в равной степени принадлежат обоим атомам, а во втором они оказываются смещенными в сторону одного из атомов. Чем больше электроотрицательность, тем сильнее атом притягивает электроны. Следовательно, электронные пары смещаются в сторону более электроотрицательного элемента. Средняя плотность отрицательного заряда будет выше у более электроотрицательного элемента, и поэтому связь становится полярной. Наибольшей электроотрицательностью обладают фтор и другие галогены, наименьшей – щелочные металлы.
В молекуле, образованной из атомов с сильно различающимися значениями электроотрицательности, электронная пара настолько смещается в сторону более электроотрицательного атома, что ее можно считать принадлежащей этому атому. Такая молекула состоит уже не из нейтральных атомов, а из разноименно заряженных ионов. Примером является молекула поваренной соли NaCl. Химическая связь в таких молекулах называется ионной.