- •Введение
- •1.Физические основы строения материалов
- •1.1. Квантово-механическая теория строения атома
- •1.2. Волновое уравнение электронов
- •1.3. Электронная конфигурация атомов
- •2. Строение твердого тела
- •2.1. Химическая связь в молекулах
- •2.2. Агрегатные состояния вещества
- •2.3. Строение твердых тел. Кристаллическая решетка
- •2.4. Дефекты кристаллических решеток твердых тел
- •2.5. Химические связи в кристаллах
- •2.6. Электронные состояния твердых тел
- •2.7. Металлы, диэлектрики, полупроводники с точки зрения зонной теории
- •3. Электропроводность полупроводников
- •3.1. Собственные полупроводники
- •3.2. Статистика свободных носителей заряда
- •3.3. Эффективная масса электрона
- •3.4. Концентрация свободных носителей и положение уровня Ферми в собственном полупроводнике
- •3.5. Примесные полупроводники
- •3.5.1. Донорные полупроводники
- •3.5.2. Акцепторные полупроводники
- •3.5.3. Оценка энергии активации и размеров примесных атомов
- •3.6. Рекомбинация носителей заряда
- •3.7. Концентрация свободных носителей заряда в примесном полупроводнике
- •3.7.1. Донорный полупроводник
- •3.7.2. Акцепторный полупроводник
- •3.7.3. Уравнение электронейтральности
- •3.7.4. Однородный вырожденный полупроводник
- •3.8. Связь между концентрациями носителей заряда в примесном и собственном полупроводниках (закон действующих масс)
- •3.9. Электрический ток в полупроводниках
- •3.10. Физические основы анализа полупроводниковых приборов
- •3.10.1. Общий порядок расчета
- •3.10.2. Неравновесные носители заряда
- •3.10.3. Уравнения непрерывности
- •4. Контактные явления в полупроводниках
- •4.1. Неоднородный полупроводник одного типа электропроводности
- •4.2. Электронно-дырочный переход в условиях равновесия
- •4.3. Энергетическая диаграмма р-n перехода в условиях равновесия
- •4.4. Расчет концентраций носителей заряда в электронно-дырочном переходе
- •4.5. Электронно-дырочный переход под воздействием внешнего напряжения
- •4.6. Толщина р-n перехода
- •4.7. Методика определения параметров р-п перехода
- •4.7.1. Основные параметры перехода
- •4.7.2. Граничные условия в области пространственного заряда
- •4.7.3. Анализ идеализированного диода
- •4.8. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
- •4.9. Генерация и рекомбинация в электронно-дырочных переходах
- •4.10. Емкости p-n перехода
- •4.10.1. Барьерная емкость перехода
- •4.10.2. Диффузионная емкость перехода
- •4.11. Контакт между полупроводниками с одним типом электропроводности
- •4.12. Работа выхода
- •4.13. Контакт металл – полупроводник
- •4.14. Влияние состояния поверхности на характеристики электронно-дырочного перехода
- •4.14.1. Теория приповерхностной области пространственного заряда
- •4.14.2. Поверхностная проводимость
- •4.14.3. Расчет поверхностных токов
- •4.15. Гетеропереходы
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода
- •5.1. Лавинный пробой
- •5.2. Туннельный пробой
- •5.3. Тепловой пробой
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках
- •6.1. Эффект Холла
- •6.2. Эффект Эттингсгаузена
- •6.3. Эффект Зеебека
- •6.4. Эффект Пельтье
- •6.5. Эффект Томсона
- •7.Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •7.1. Природа фотопроводимости
- •7.2. Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения
- •7.3. Люминесценция полупроводников
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •1.Физические основы строения материалов 4
- •2. Строение твердого тела 16
- •3. Электропроводность полупроводников 31
- •4. Контактные явления в полупроводниках 56
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода 108
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках 116
- •7.Фотопроводимость и поглощение света 123
- •Владимир Михайлович Бардаков Алефтина Алексеевна Лессинг Основы физики полупроводников
3.10.3. Уравнения непрерывности
В физике полупроводников и полупроводниковых приборов в рамках квазиклассического приближения исходными являются уравнения непрерывности потоков функций распределения. Аргументами функций распределения в общем случае являются координаты, импульсы (или квазиимпульсы) частиц и время, а в условиях равновесия – энергия частиц.
Интегрирование кинетических уравнений Больцмана по всем импульсам дает уравнения непрерывности потоков частиц – электронов и дырок, которые часто называют просто уравнениями непрерывности:
; .
Левые части уравнений имеют смысл суммарной скорости увеличения концентраций частиц, первые слагаемые правых частей – скорости увеличения концентраций частиц за счет процессов их генерации и рекомбинации, а последние слагаемые – скорости увеличения концентраций частиц за счет дивергенции их потоков.
В условиях квазинейтральности, то есть при выполнении условия , уравнения непрерывности можно представить в следующем виде:
и решать только одно из этих уравнений.
Здесь – биполярный коэффициент диффузии;
– биполярная подвижность;
– биполярное время жизни носителей.
Единственное биполярное уравнение непрерывности заменяет два уравнения непрерывности, а также уравнение Пуассона, что является несомненным упрощением. Трудность состоит в том, что биполярное уравнение непрерывности содержит биполярные коэффициенты, зависящие от концентраций электронов и дырок, но в практически важных случаях низкого и высокого уровней инжекции биполярные коэффициенты оказываются постоянными.
При низком уровне инжекции в п-области р << п, и биполярные кинетические коэффициенты, а также биполярное время жизни совпадают с соответствующими коэффициентами для неосновных носителей:
; ; .
При этом уравнение непрерывности для неосновных носителей заряда принимает вид:
.
При высоком уровне инжекции
; ; ; .
В этом случае биполярные уравнения принимают вид
или .
Следовательно, при высоком уровне инжекции биполярное уравнение непрерывности совпадает с любым уравнением для электронов или дырок, в которых отсутствует член с , а коэффициенты определяются вышеприведенными выражениями.
Контрольные вопросы и задания
1. Что представляют собой процессы ионизации и рекомбинации?
2. Какие полупроводники являются собственными? Объясните процесс образования свободных носителей заряда в собственных полупроводниках.
3. Опишите процесс образования свободных носителей заряда в донорных полупроводниках.
4. Опишите процесс образования свободных носителей заряда в акцепторных полупроводниках.
5. Что позволяет определить статистика Ферми – Дирака?
6. Что называется уровнем Ферми?
7. Какой физический смысл имеет уровень Ферми?
8. Какой полупроводник является вырожденным?
9. Что понимают под эффективной массой электрона?
10. Как определить концентрацию электронов и дырок в собственном полупроводнике?
11. Как можно определить положение уровня Ферми в собственном полупроводнике?
12. Как определить концентрацию электронов и дырок в примесном полупроводнике?
13. Как можно определить положение уровня Ферми в примесном полупроводнике?
14. В чем состоит закон действующих масс?
15. Как определяется удельная проводимость собственных и примесных полупроводников?
16. Какие носители заряда являются неравновесными?
17. В чем суть уравнений непрерывности?