- •Введение
- •1.Физические основы строения материалов
- •1.1. Квантово-механическая теория строения атома
- •1.2. Волновое уравнение электронов
- •1.3. Электронная конфигурация атомов
- •2. Строение твердого тела
- •2.1. Химическая связь в молекулах
- •2.2. Агрегатные состояния вещества
- •2.3. Строение твердых тел. Кристаллическая решетка
- •2.4. Дефекты кристаллических решеток твердых тел
- •2.5. Химические связи в кристаллах
- •2.6. Электронные состояния твердых тел
- •2.7. Металлы, диэлектрики, полупроводники с точки зрения зонной теории
- •3. Электропроводность полупроводников
- •3.1. Собственные полупроводники
- •3.2. Статистика свободных носителей заряда
- •3.3. Эффективная масса электрона
- •3.4. Концентрация свободных носителей и положение уровня Ферми в собственном полупроводнике
- •3.5. Примесные полупроводники
- •3.5.1. Донорные полупроводники
- •3.5.2. Акцепторные полупроводники
- •3.5.3. Оценка энергии активации и размеров примесных атомов
- •3.6. Рекомбинация носителей заряда
- •3.7. Концентрация свободных носителей заряда в примесном полупроводнике
- •3.7.1. Донорный полупроводник
- •3.7.2. Акцепторный полупроводник
- •3.7.3. Уравнение электронейтральности
- •3.7.4. Однородный вырожденный полупроводник
- •3.8. Связь между концентрациями носителей заряда в примесном и собственном полупроводниках (закон действующих масс)
- •3.9. Электрический ток в полупроводниках
- •3.10. Физические основы анализа полупроводниковых приборов
- •3.10.1. Общий порядок расчета
- •3.10.2. Неравновесные носители заряда
- •3.10.3. Уравнения непрерывности
- •4. Контактные явления в полупроводниках
- •4.1. Неоднородный полупроводник одного типа электропроводности
- •4.2. Электронно-дырочный переход в условиях равновесия
- •4.3. Энергетическая диаграмма р-n перехода в условиях равновесия
- •4.4. Расчет концентраций носителей заряда в электронно-дырочном переходе
- •4.5. Электронно-дырочный переход под воздействием внешнего напряжения
- •4.6. Толщина р-n перехода
- •4.7. Методика определения параметров р-п перехода
- •4.7.1. Основные параметры перехода
- •4.7.2. Граничные условия в области пространственного заряда
- •4.7.3. Анализ идеализированного диода
- •4.8. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
- •4.9. Генерация и рекомбинация в электронно-дырочных переходах
- •4.10. Емкости p-n перехода
- •4.10.1. Барьерная емкость перехода
- •4.10.2. Диффузионная емкость перехода
- •4.11. Контакт между полупроводниками с одним типом электропроводности
- •4.12. Работа выхода
- •4.13. Контакт металл – полупроводник
- •4.14. Влияние состояния поверхности на характеристики электронно-дырочного перехода
- •4.14.1. Теория приповерхностной области пространственного заряда
- •4.14.2. Поверхностная проводимость
- •4.14.3. Расчет поверхностных токов
- •4.15. Гетеропереходы
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода
- •5.1. Лавинный пробой
- •5.2. Туннельный пробой
- •5.3. Тепловой пробой
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках
- •6.1. Эффект Холла
- •6.2. Эффект Эттингсгаузена
- •6.3. Эффект Зеебека
- •6.4. Эффект Пельтье
- •6.5. Эффект Томсона
- •7.Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •7.1. Природа фотопроводимости
- •7.2. Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения
- •7.3. Люминесценция полупроводников
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •1.Физические основы строения материалов 4
- •2. Строение твердого тела 16
- •3. Электропроводность полупроводников 31
- •4. Контактные явления в полупроводниках 56
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода 108
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках 116
- •7.Фотопроводимость и поглощение света 123
- •Владимир Михайлович Бардаков Алефтина Алексеевна Лессинг Основы физики полупроводников
5.3. Тепловой пробой
Явление теплового пробоя связано с тем, что при прохождении обратного тока в переходе выделяется определенное количество тепла. Если это количество превосходит отводимое от перехода, температура его начинает повышаться, и, следовательно, возрастает обратный ток, что еще больше увеличит количество выделяемого тепла. Такой нарастающий процесс может привести к недопустимому разогреву перехода – тепловому пробою.
Для количественной оценки теплового пробоя рассмотрим уравнение теплового равновесия перехода. Оно наступает в том случае, когда количество выделяемого тепла равно количеству отводимого. Количество тепла, выделяемого в переходе в единицу времени:
Рвыд = U0 I0.
Количество отводимого тепла может быть рассчитано по формуле
,
где Т – температура электронно-дырочного перехода; Токр – температура окружающей среды или тела, в которое осуществляется теплоотвод; RT – тепловое сопротивление между переходом и окружающей средой или телом, в которое осуществляется теплоотвод.
Тепловое сопротивление определяет перепад температур Т и Токр, необходимый для отвода 1 Вт мощности от перехода в окружающую среду. Тепловое сопротивление рассчитывается по формуле
,
где λ – теплопроводность материала; δТ – толщина теплопроводящего слоя; ST – площадь контакта кристалла с окружающей средой.
Количество выделяемого тепла можно определить из выражения
.
Условие теплового равновесия имеет вид
.
При подстановке выражений для тока получим:
. (5.3)
Решая полученное уравнение относительно Т, можно определить установившуюся температуру перехода при данном напряжении на нем.
Построим графики зависимости левой и правой частей уравнения от температуры (рис. 5.3).
При фиксированном значении напряжения, приложенного к переходу, зависимость выделяемой в нем мощности от температуры имеет такой же характер, как и для обратного тока, то есть экспоненциальный, зависимость отводимой мощности от температуры имеет линейный характер. Поэтому получим две точки пересечения графиков (рис. 5.3, а).
Точка Траб соответствует устойчивому тепловому равновесию. В этой точке выполняется условие
< .
Действительно, при случайном отклонении температуры перехода вниз от рабочей количество отводимого тепла становится меньше выделяемого (кривая Ротв идет ниже Рвыд), переход разогревается и температура повышается до Траб. При повышении температуры по отношению к Траб количество отводимого тепла превосходит количество выделяемого, переход охлаждается.
Т очка Ткр соответствует неустойчивому равновесию. При этом выполняется условие
> .
Случайное повышение температуры выше Ткр приводит к тому, что количество выделяемого в переходе тепла превосходит отводимое, то есть происходит неограниченный разогрев перехода вплоть до разрушения.
При повышении обратного напряжения (кривая 2 на рис.5.3, б) точки Траб и Ткр сближаются, пока не сольются в одну. При этом условии переход работает неустойчиво, то есть малейшее повышение температуры выше рабочей вызывает неограниченный разогрев. Напряжение, соответствующее такому случаю, считается напряжением пробоя Uпр.
Решая уравнение (5.3) относительно U, при условии, что кривые Рвыд и Ротв касаются, то есть
= ,
получим выражение для напряжения теплового пробоя
.
Здесь I0 – ток перехода при некоторой температуре Т0, близкой к рабочей, но не равной ей.
Полученное выражение показывает, что величина напряжения теплового пробоя зависит от условий теплоотвода, уменьшаясь при увеличении теплового сопротивления, а также от температуры окружающей среды, повышение которой приводит к уменьшению напряжения теплового пробоя.
На рис 5.4 показаны вольт-амперные характеристики при разных видах пробоя.
Т уннельный пробой происходит в очень узких переходах, имеющих толщину в доли микрона, которая получается при концентрации примеси свыше 1019 см-3. Напряжение туннельного пробоя невелико.
Лавинный пробой происходит в широких переходах при концентрации примесей не более 1018 см-3. Напряжение лавинного пробоя больше, чем туннельного. При снижении концентрации примесей напряжение лавинного пробоя возрастает. При концентрации от 1018 см-3до 1019 см-3 могут возникнуть и лавинный и туннельный пробои.
При лавинном и туннельном пробоях вольт-амперные характеристики идут вертикально, ток может достигать очень больших величин, что может привести к перегреву перехода и возникновению теплового пробоя.
Тепловой пробой происходит в переходах с большими обратными токами. Условием развития теплового пробоя является нарушение баланса между количеством тепла, выделяемого в переходе и количеством тепла, отводимого от перехода в окружающую среду. При этом рост тока сопровождается снижением обратного напряжения, поскольку с ростом тока уменьшается сопротивление перехода.
Контрольные вопросы и задания
1. Какова природа лавинного пробоя?
2. В каких переходах возможно развитие лавинного пробоя?
3. Что называют коэффициентом умножения?
4. Что называют коэффициентом ионизации?
5. Запишите эмпирические зависимости напряжения лавинного пробоя от удельного сопротивления р- и п-областей.
6. Как напряжение лавинного пробоя зависит от температуры?
7. Какова природа туннельного пробоя?
8. В каких переходах возможно развитие туннельного пробоя?
9. Запишите эмпирические зависимости напряжения туннельного пробоя от удельного сопротивления р- и п-областей.
10. Как напряжение туннельного пробоя зависит от температуры?
11. В чем состоит тепловой пробой?
12. При каком условии развивается тепловой пробой?
13. Объясните температурную зависимость мощностей: выделяемой в переходе и отводимой от перехода.
14. Что называется тепловым сопротивлением?
15. Сделайте сравнение вольт-амперных характеристик при различных видах пробоя.