- •Введение
- •1.Физические основы строения материалов
- •1.1. Квантово-механическая теория строения атома
- •1.2. Волновое уравнение электронов
- •1.3. Электронная конфигурация атомов
- •2. Строение твердого тела
- •2.1. Химическая связь в молекулах
- •2.2. Агрегатные состояния вещества
- •2.3. Строение твердых тел. Кристаллическая решетка
- •2.4. Дефекты кристаллических решеток твердых тел
- •2.5. Химические связи в кристаллах
- •2.6. Электронные состояния твердых тел
- •2.7. Металлы, диэлектрики, полупроводники с точки зрения зонной теории
- •3. Электропроводность полупроводников
- •3.1. Собственные полупроводники
- •3.2. Статистика свободных носителей заряда
- •3.3. Эффективная масса электрона
- •3.4. Концентрация свободных носителей и положение уровня Ферми в собственном полупроводнике
- •3.5. Примесные полупроводники
- •3.5.1. Донорные полупроводники
- •3.5.2. Акцепторные полупроводники
- •3.5.3. Оценка энергии активации и размеров примесных атомов
- •3.6. Рекомбинация носителей заряда
- •3.7. Концентрация свободных носителей заряда в примесном полупроводнике
- •3.7.1. Донорный полупроводник
- •3.7.2. Акцепторный полупроводник
- •3.7.3. Уравнение электронейтральности
- •3.7.4. Однородный вырожденный полупроводник
- •3.8. Связь между концентрациями носителей заряда в примесном и собственном полупроводниках (закон действующих масс)
- •3.9. Электрический ток в полупроводниках
- •3.10. Физические основы анализа полупроводниковых приборов
- •3.10.1. Общий порядок расчета
- •3.10.2. Неравновесные носители заряда
- •3.10.3. Уравнения непрерывности
- •4. Контактные явления в полупроводниках
- •4.1. Неоднородный полупроводник одного типа электропроводности
- •4.2. Электронно-дырочный переход в условиях равновесия
- •4.3. Энергетическая диаграмма р-n перехода в условиях равновесия
- •4.4. Расчет концентраций носителей заряда в электронно-дырочном переходе
- •4.5. Электронно-дырочный переход под воздействием внешнего напряжения
- •4.6. Толщина р-n перехода
- •4.7. Методика определения параметров р-п перехода
- •4.7.1. Основные параметры перехода
- •4.7.2. Граничные условия в области пространственного заряда
- •4.7.3. Анализ идеализированного диода
- •4.8. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
- •4.9. Генерация и рекомбинация в электронно-дырочных переходах
- •4.10. Емкости p-n перехода
- •4.10.1. Барьерная емкость перехода
- •4.10.2. Диффузионная емкость перехода
- •4.11. Контакт между полупроводниками с одним типом электропроводности
- •4.12. Работа выхода
- •4.13. Контакт металл – полупроводник
- •4.14. Влияние состояния поверхности на характеристики электронно-дырочного перехода
- •4.14.1. Теория приповерхностной области пространственного заряда
- •4.14.2. Поверхностная проводимость
- •4.14.3. Расчет поверхностных токов
- •4.15. Гетеропереходы
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода
- •5.1. Лавинный пробой
- •5.2. Туннельный пробой
- •5.3. Тепловой пробой
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках
- •6.1. Эффект Холла
- •6.2. Эффект Эттингсгаузена
- •6.3. Эффект Зеебека
- •6.4. Эффект Пельтье
- •6.5. Эффект Томсона
- •7.Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •7.1. Природа фотопроводимости
- •7.2. Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения
- •7.3. Люминесценция полупроводников
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •1.Физические основы строения материалов 4
- •2. Строение твердого тела 16
- •3. Электропроводность полупроводников 31
- •4. Контактные явления в полупроводниках 56
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода 108
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках 116
- •7.Фотопроводимость и поглощение света 123
- •Владимир Михайлович Бардаков Алефтина Алексеевна Лессинг Основы физики полупроводников
1.2. Волновое уравнение электронов
Благодаря наличию у электрона волновых свойств, движение его в атоме может быть описано с помощью квантово-механического волнового уравнения. Впервые волновое уравнение было получено австрийским ученым Эрвином Шрёдингером и носит его имя. Это уравнение связывает энергию электрона с пространственными координатами и так называемой волновой функцией .
Для частицы, движущейся в силовом поле и обладающей потенциальной энергией Wп (x,y,z,t), уравнение Шрёдингера имеет вид:
.
Функция , являющаяся решением этого уравнения, называется волновой функцией. Эта величина – комплексная, поэтому физический смысл имеет не сама функция , а ее модуль * = 2 . Эта величина выражает плотность вероятности нахождения электрона в соответствующей области пространства в данный момент времени. Другими словами, вероятность обнаружения электрона в некотором объеме V выражается произведением 2V.
Рассмотрим более подробно суть решения уравнения Шрёдингера.
В идеальном кристалле на электрон действует самосогласованное электрическое поле, которое является суммой полей ионов решетки и всех электронов в кристалле. Зонная теория твердого тела предполагает, что потенциальная энергия электрона в этом поле является периодической функцией с периодом, равным периоду решетки. При этом уравнение Шрёдингера имеет решение в виде функции Блоха:
,
где – периодическая функция с периодом решетки кристалла; – волновой вектор; – радиус-вектор.
Таким образом, волновая функция представляет собой плоскую волну с периодически модулированной амплитудой.
Уравнение Шрёдингера имеет отличные от нуля решения только при некоторых дискретных значениях энергии W, то есть имеет место некоторое квантовое состояние. Каждому квантовому состоянию соответствует определенное значение энергии электрона, а также его импульса р = m0 v.
Для свободного электрона с потенциальной энергией Wп модуляция амплитуды плоской волны отсутствует. В этом случае энергия электрона и его импульс определяются соотношениями:
,
где т0 – масса электрона; v – групповая скорость.
Эта зависимость представляет собой закон дисперсии свободного электрона.
В полупроводниковом кристалле закон дисперсии искажен периодическим полем решетки. Он может быть представлен в виде многозначной функции , полностью определенной в зоне Бриллюэна – области пространства, размеры которой определяются периодом кристаллической решетки а. Для трехмерной решетки границы зоны Бриллюэна находятся в строго определенном соответствии с границами кристаллической ячейки. Многозначность функции соответствует разделению энергетического спектра кристалла на разрешенные зоны.
В зоне проводимости электроны заполняют разрешенные состояния вблизи минимальной энергии WС, которую называют дном зоны проводимости. Этой энергии соответствует значение волнового вектора . Если = 0, то есть энергетический уровень находится в центре зоны Бриллюэна, и функция не зависит от направления волнового вектора, то в окрестности точки = 0 функция может быть представлена в виде
, где .
Отсюда следует, что вблизи дна зоны проводимости электроны могут рассматриваться как квазичастицы – электроны проводимости, свойства которых отличаются от свойств свободных электронов только значением эффективной массы тп* . Энергия дна свободной зоны WC может считаться потенциальной энергией электрона проводимости, энергия – его кинетической энергией, а величина – квазиимпульсом электрона проводимости.
В валентной зоне незаполненными электронами остаются только разрешенные состояния вблизи максимальной энергии WВ , которую называют потолком валентной зоны. При этом оказывается удобным рассматривать перемещение этих незаполненных состояний, введя понятие квазичастиц – дырок в валентной зоне. Заряд дырки положителен и равен по величине заряду свободного электрона. Закон дисперсии дырок симметричен закону дисперсии электронов, так как энергии WВ обычно соответствует нулевое значение вектора = 0. Эта точка является точкой вырождения, поскольку в ней смыкаются две дисперсионные ветви:
; ,
где mpl и mph – эффективные массы легких и тяжелых дырок.
Энергия WВ может считаться потенциальной энергией дырок;
энергии для легких и тяжелых дырок – кинетической энергией;
– квазиимпульсом дырок.
Решая уравнение Шрёдингера для движения электрона в атоме водорода, можно получить выражение (1.7) для энергии электрона, которое мы получили, основываясь на гипотезе де Бройля.