- •Введение
- •1.Физические основы строения материалов
- •1.1. Квантово-механическая теория строения атома
- •1.2. Волновое уравнение электронов
- •1.3. Электронная конфигурация атомов
- •2. Строение твердого тела
- •2.1. Химическая связь в молекулах
- •2.2. Агрегатные состояния вещества
- •2.3. Строение твердых тел. Кристаллическая решетка
- •2.4. Дефекты кристаллических решеток твердых тел
- •2.5. Химические связи в кристаллах
- •2.6. Электронные состояния твердых тел
- •2.7. Металлы, диэлектрики, полупроводники с точки зрения зонной теории
- •3. Электропроводность полупроводников
- •3.1. Собственные полупроводники
- •3.2. Статистика свободных носителей заряда
- •3.3. Эффективная масса электрона
- •3.4. Концентрация свободных носителей и положение уровня Ферми в собственном полупроводнике
- •3.5. Примесные полупроводники
- •3.5.1. Донорные полупроводники
- •3.5.2. Акцепторные полупроводники
- •3.5.3. Оценка энергии активации и размеров примесных атомов
- •3.6. Рекомбинация носителей заряда
- •3.7. Концентрация свободных носителей заряда в примесном полупроводнике
- •3.7.1. Донорный полупроводник
- •3.7.2. Акцепторный полупроводник
- •3.7.3. Уравнение электронейтральности
- •3.7.4. Однородный вырожденный полупроводник
- •3.8. Связь между концентрациями носителей заряда в примесном и собственном полупроводниках (закон действующих масс)
- •3.9. Электрический ток в полупроводниках
- •3.10. Физические основы анализа полупроводниковых приборов
- •3.10.1. Общий порядок расчета
- •3.10.2. Неравновесные носители заряда
- •3.10.3. Уравнения непрерывности
- •4. Контактные явления в полупроводниках
- •4.1. Неоднородный полупроводник одного типа электропроводности
- •4.2. Электронно-дырочный переход в условиях равновесия
- •4.3. Энергетическая диаграмма р-n перехода в условиях равновесия
- •4.4. Расчет концентраций носителей заряда в электронно-дырочном переходе
- •4.5. Электронно-дырочный переход под воздействием внешнего напряжения
- •4.6. Толщина р-n перехода
- •4.7. Методика определения параметров р-п перехода
- •4.7.1. Основные параметры перехода
- •4.7.2. Граничные условия в области пространственного заряда
- •4.7.3. Анализ идеализированного диода
- •4.8. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
- •4.9. Генерация и рекомбинация в электронно-дырочных переходах
- •4.10. Емкости p-n перехода
- •4.10.1. Барьерная емкость перехода
- •4.10.2. Диффузионная емкость перехода
- •4.11. Контакт между полупроводниками с одним типом электропроводности
- •4.12. Работа выхода
- •4.13. Контакт металл – полупроводник
- •4.14. Влияние состояния поверхности на характеристики электронно-дырочного перехода
- •4.14.1. Теория приповерхностной области пространственного заряда
- •4.14.2. Поверхностная проводимость
- •4.14.3. Расчет поверхностных токов
- •4.15. Гетеропереходы
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода
- •5.1. Лавинный пробой
- •5.2. Туннельный пробой
- •5.3. Тепловой пробой
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках
- •6.1. Эффект Холла
- •6.2. Эффект Эттингсгаузена
- •6.3. Эффект Зеебека
- •6.4. Эффект Пельтье
- •6.5. Эффект Томсона
- •7.Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •7.1. Природа фотопроводимости
- •7.2. Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения
- •7.3. Люминесценция полупроводников
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •1.Физические основы строения материалов 4
- •2. Строение твердого тела 16
- •3. Электропроводность полупроводников 31
- •4. Контактные явления в полупроводниках 56
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода 108
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках 116
- •7.Фотопроводимость и поглощение света 123
- •Владимир Михайлович Бардаков Алефтина Алексеевна Лессинг Основы физики полупроводников
4.7.2. Граничные условия в области пространственного заряда
Важной особенностью энергетических диаграмм является практически горизонтальное расположение квазиуровней Ферми в области пространственного заряда. При этом квазиуровни Ферми для электронов и дырок параллельны друг другу, а расстояние между ними соответствует приложенному напряжению
WFn – WFp = е0U.
Качественное объяснение постоянства квазиуровней Ферми в области пространственного заряда основано на допущении о малости токов, связанных с рекомбинацией и генерацией носителей заряда. При этом каждая из плотностей тока jn и jp постоянна в любой точке перехода.
Минимальное значение концентрации электронов в области пространственного заряда достигается на ее границе с р-областью в плоскости х = lр. В этой плоскости значение dWFn(x)/dx максимально. По мере продвижения в область пространственного заряда (против оси х) концентрация электронов резко возрастает, следовательно, значение dWFn(x)/dx резко снижается. Таким образом, практически во всей области пространственного заряда эта величина остается много меньше граничного значения в плоскости х = lр, что и позволяет считать значение dWFn(x) постоянным. Аналогичные рассуждения применимы и в отношении функции dWFn(x), что приводит к равенству
или .
Таким образом, произведение концентраций электронов и дырок в области пространственного заряда определяется напряжением на переходе и нe зависит от координаты.
Для решения уравнений непрерывность необходимо использовать граничные условия. В качестве одного из граничных условий можно принять значения граничных концентраций носителей заряда на границах областей базы и эмиттера:
и .
Ранее были введены понятия избыточных концентраций электронов и дырок как превышения их концентраций над равновесными значениями:
; .
Области базы и эмиттера за пределами области пространственного заряда являются квазинейтральными, и или = .
Полагаем, что эти условия, справедливые для квазинейтральных областей базы и эмиттера, выполняются и на границах области пространственного заряда с квазинейтральными областями, то есть
; = .
Степень нарушения равновесия на границах оценивается уровнем инжекции δ. Для базы р-типа
;
для эмиттера n-типа
.
При уровень инжекции считается низким, при – высоким. Отметим, что при обычно выполненном условии Nэ >> Nб высокого уровня инжекции в эмиттере быть не может, так как концентрация неосновных носителей не может существенно превышать равновесную концентрацию основных носителей, равную Nэ.
При низком уровне инжекции носители заряда, инжектированные через переход, не изменяют существенно проводимость нейтральных областей. Для низкого уровня инжекции получаем:
; ,
или
; .
Эти уравнения получили название граничных условий Шокли.
Для высокого уровня инжекции в р-базе . В эмиттере высокого уровня инжекции быть не может.
Таким образом, дрейфовые и диффузионные токи пропорциональны концентрациям носителей заряда и градиентам квазиуровней Ферми.
Квазиуровни Ферми в области пространственного заряда постоянны. Расстояние между ними равно приложенному напряжению, умноженному на заряд электрона.
Приложение к р-п переходу внешнего напряжения изменяет высоту потенциального барьера, ширину перехода, а также граничные концентрации подвижных носителей заряда.
При положительном напряжении происходит инжекция неосновных носителей заряда через переход, при отрицательном напряжении – экстракция неосновных носителей заряда.
При низком уровне инжекции концентрации неосновных носителей заряда на границах перехода описываются граничными условиями Шокли.