
- •Введение
- •1.Физические основы строения материалов
- •1.1. Квантово-механическая теория строения атома
- •1.2. Волновое уравнение электронов
- •1.3. Электронная конфигурация атомов
- •2. Строение твердого тела
- •2.1. Химическая связь в молекулах
- •2.2. Агрегатные состояния вещества
- •2.3. Строение твердых тел. Кристаллическая решетка
- •2.4. Дефекты кристаллических решеток твердых тел
- •2.5. Химические связи в кристаллах
- •2.6. Электронные состояния твердых тел
- •2.7. Металлы, диэлектрики, полупроводники с точки зрения зонной теории
- •3. Электропроводность полупроводников
- •3.1. Собственные полупроводники
- •3.2. Статистика свободных носителей заряда
- •3.3. Эффективная масса электрона
- •3.4. Концентрация свободных носителей и положение уровня Ферми в собственном полупроводнике
- •3.5. Примесные полупроводники
- •3.5.1. Донорные полупроводники
- •3.5.2. Акцепторные полупроводники
- •3.5.3. Оценка энергии активации и размеров примесных атомов
- •3.6. Рекомбинация носителей заряда
- •3.7. Концентрация свободных носителей заряда в примесном полупроводнике
- •3.7.1. Донорный полупроводник
- •3.7.2. Акцепторный полупроводник
- •3.7.3. Уравнение электронейтральности
- •3.7.4. Однородный вырожденный полупроводник
- •3.8. Связь между концентрациями носителей заряда в примесном и собственном полупроводниках (закон действующих масс)
- •3.9. Электрический ток в полупроводниках
- •3.10. Физические основы анализа полупроводниковых приборов
- •3.10.1. Общий порядок расчета
- •3.10.2. Неравновесные носители заряда
- •3.10.3. Уравнения непрерывности
- •4. Контактные явления в полупроводниках
- •4.1. Неоднородный полупроводник одного типа электропроводности
- •4.2. Электронно-дырочный переход в условиях равновесия
- •4.3. Энергетическая диаграмма р-n перехода в условиях равновесия
- •4.4. Расчет концентраций носителей заряда в электронно-дырочном переходе
- •4.5. Электронно-дырочный переход под воздействием внешнего напряжения
- •4.6. Толщина р-n перехода
- •4.7. Методика определения параметров р-п перехода
- •4.7.1. Основные параметры перехода
- •4.7.2. Граничные условия в области пространственного заряда
- •4.7.3. Анализ идеализированного диода
- •4.8. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
- •4.9. Генерация и рекомбинация в электронно-дырочных переходах
- •4.10. Емкости p-n перехода
- •4.10.1. Барьерная емкость перехода
- •4.10.2. Диффузионная емкость перехода
- •4.11. Контакт между полупроводниками с одним типом электропроводности
- •4.12. Работа выхода
- •4.13. Контакт металл – полупроводник
- •4.14. Влияние состояния поверхности на характеристики электронно-дырочного перехода
- •4.14.1. Теория приповерхностной области пространственного заряда
- •4.14.2. Поверхностная проводимость
- •4.14.3. Расчет поверхностных токов
- •4.15. Гетеропереходы
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода
- •5.1. Лавинный пробой
- •5.2. Туннельный пробой
- •5.3. Тепловой пробой
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках
- •6.1. Эффект Холла
- •6.2. Эффект Эттингсгаузена
- •6.3. Эффект Зеебека
- •6.4. Эффект Пельтье
- •6.5. Эффект Томсона
- •7.Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •7.1. Природа фотопроводимости
- •7.2. Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения
- •7.3. Люминесценция полупроводников
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •1.Физические основы строения материалов 4
- •2. Строение твердого тела 16
- •3. Электропроводность полупроводников 31
- •4. Контактные явления в полупроводниках 56
- •5. Пробой электронно-дырочного перехода 108
- •6. Кинетические и термоэлектрические явления в полупроводниках 116
- •7.Фотопроводимость и поглощение света 123
- •Владимир Михайлович Бардаков Алефтина Алексеевна Лессинг Основы физики полупроводников
6.4. Эффект Пельтье
Эффект Пельтье заключается в том, что при прохождении электрического тока через контакт двух полупроводников в нем в зависимости от направления тока выделяется или поглощается тепло.
Количество выделяемого или поглощаемого тепла пропорционально току, протекающему через переход, и некоторому коэффициенту П12, называемому коэффициентом Пельтье:
.
Коэффициент Пельтье зависит от природы материала, из которого изготовлены ветви термоэлемента. Особенно сильно явление Пельтье проявляется в полупроводниках, которые состоят из ветвей с чередующейся дырочной и электронной электропроводностью.
Рассмотрим природу этого эффекта на примере n-p-n полупроводника, приведенного на рис. 6.5. Пусть к левой n-области подключен положительный контакт источника, а к правой – отрицательный. При выбранном направлении тока на контакте 1 свободные электроны и дырки, возникшие в результате теплового хаотического движения, двигаются под действием поля в противоположные стороны, обедняя контакт носителями заряда. При ионизации атома для переброса электрона из заполненной зоны в свободную и образование дырки в валентной зоне была затрачена некоторая энергия. При прохождении тока через контакт 1 электроны и дырки, уходящие от контакта, унесут эту энергию с собой и контакт будет охлаждаться.
Н
аоборот,
контакт 2 будет нагреваться, так как к
нему с обеих сторон подходят электроны
и дырки. В результате контакт обогащается
носителями разного знака и происходит
их рекомбинация с выделением энергии
в виде тепла. В результате при пропускании
тока термоэлемент работает как
своеобразный тепловой насос, забирая
часть тепловой энергии на контакте 1 и
выделяя эту энергию на контакте 2.
Связь между коэффициентом Пельтье и коэффициентом термо-э.д.с. выражается соотношением
П12 = αТ.
6.5. Эффект Томсона
Эффект Томсона заключается в том, что если вдоль однородного полупроводника существует градиент температуры, то при прохождении тока в объеме материала, кроме тепла Джоуля, выделяется или поглощается тепло, количество которого пропорционально количеству протекающего электричества и перепаду температур:
.
Коэффициент τТ называется коэффициентом Томсона.
П
усть
между контактами полупроводника (рис.
6.6) существует разность температур dT.
Наличие градиента температуры вызывает
термоэлектрическую электродвижущую
силу, определяемую уравнением Зеебека
dU
= αdT,
которая обеспечит в этой цепи прохождение
тока dI.
При этом на одном из контактов выделяется тепло Пельтье в количестве П`dI, а на другом поглощается количество тепла, равное ПdI. В результате в цепи выделяется тепло Пельтье, и если коэффициент П` мало отличается от П, то количество этого тепла выражается следующей формулой:
.
Наличие электрического тока и градиента температур приводит к тому, что в полупроводнике выделяется тепло за счет эффекта Томсона, равного за 1 секунду:
.
Эти термодинамические явления можно считать обратимыми, поскольку они зависят от направления тока и градиента температуры, но, кроме них, имеют место и необратимые процессы выделения джоулева тепла, пропорционального квадрату тока dI2. При малых токах эти эффекты можно не учитывать, тогда на основании закона сохранения энергии можно записать следующее:
,
откуда находим:
.
Учитывая, что П = αТ, получим:
.
Таким образом, коэффициенты α, П, τТ, характеризующие термоэлектрические свойства данного вещества, связаны между собой термодинамическими соотношениями.
Контрольные вопросы
1. В чем состоит эффект Холла?
2. Как определяется коэффициент Холла для полупроводников с одним и двумя типами носителей заряда?
3. Какие параметры полупроводника можно определить, исследуя эффект Холла?
4. В чем состоит эффект Эттингсгаузена?
5. Что является причиной эффекта Эттингсгаузена в собственных полупроводниках?
6. Что является причиной этого эффекта в примесных полупроводниках?
7. Как, используя эффект Холла, определить тип полупроводника?
8. В чем состоит эффект Зеебека?
9. Какими эффектами объясняется возникновение термо-ЭДС?
10. В чем состоит эффект Пельтье?
11. Какая связь между удельной термо-ЭДС и коэффициентом Пельтье?
12. В чем состоит эффект Томсона?
13. Как связаны коэффициенты Пельтье, Томсона и удельная термо-ЭДС?