§ 45. Кинетика термолюминесценции

На рис. 45 и 46 упрощенно поясняется механизм термо юми- несценции, электронно-кинетическая модель которой в действи- тельности выглядит сложнее, в частности, возможен обратный[ переход на уровень р электронов из зоны проводимости, которые попали туда в результате термического возбуждения. Такая воз- можность учтена на рис. 47, где г — по-прежнему уровень лову- шек, а تجا —уровень захвата дырок дефектного или примесного происхождения. Рассмотрим кинетику термолюминесценции в со- ответствии с 'ЭТОЙ моделью. Пусть первоначально кристалл под- вергался воздействию ионизирующего излучения, в результате чего часть электронов из заполненной валентнО'й зоны перешла в зону проводимости в, а оттуда часть .из них попала в ловушки на уровнях л

При нагреве кристалла до температуры т (термическое воз- буждение) электроны с некоторой вероятностью могут перейти с уровней Г 'В зону проводимости (переход هج), а оттуда попасть на уровень V, в результате чего возникает люминесценция; одновре- менно возможен обратный переход (переход Р) электронов из 30- ны проводимости на уровни ۶.

Пусть «п د число электронов в зоне проводимости в некото- рый момент времени /; „-число электронов в ловушках на уров- йях لم ;م —число дырок на активаторных уровнях تجأ; л? —число уровней р (число ловушек), как за-

полненных, так и незаполненных.

Будем полагать, что все уровни Р находятся на одной и той же энерге- тической глубине е, считая от зоны проводимости. Тогда изменение числа электронов можно представить сле- дующими уравнениями:

Рис. 47. Кинетика радиотермо- люминесценции

٠١؛сьцси = —а.п((йл-<1Цс1

9٥п٠١—п١ — سأاوت11)اا٣ة

(45.1)

146